三大原廠 HBM 路線圖

TrendForce 對 HBM 市場的最新研究表明，英偉達計劃使其 HBM 供應商多元化，以實現(xiàn)更強大、更高效的供應鏈管理。三星的 HBM3 (24GB) 預計將于今年 12 月完成英偉達的驗證。HBM3e 的進展情況如下表所示，美光于 7 月底向英偉達提供了 8hi (24GB) 樣品，8 月中旬向 SK 海力士提供，10 月初向三星提供。

鑒于 HBM 驗證過程的復雜性（預計需要兩個季度），TrendForce 預計一些制造商可能會在 2023 年底之前獲悉 HBM3e 的初步結(jié)果。不過，普遍預計主要制造商將在 2024 年第一季度之前獲得明確的結(jié)果。值得注意的是，最終評估仍在進行中，結(jié)果將影響英偉達 2024 年的采購決策。

英偉達繼續(xù)主導高端芯片市場，擴大其先進 AI 芯片陣容

2024 年即將到來，多家 AI 芯片供應商紛紛推出最新產(chǎn)品。英偉達目前的 2023 年高端 AI 系列采用了 HBM，包括 A100/A800 和 H100/H800 等型號。2024 年，英偉達計劃進一步完善其產(chǎn)品組合。新增加的產(chǎn)品包括使用 6 個 HBM3e 芯片的 H200 和使用 8 個 HBM3e 芯片的 B100。英偉達還將集成自家基于 Arm 的 CPU 和 GPU，推出 GH200 和 GB200，通過更專業(yè)、更強大的 AI 解決方案增強其產(chǎn)品陣容。

相比之下，AMD 2024 年的重點是采用 HBM3 的 MI300 系列，下一代 MI350 過渡到 HBM3e。該公司預計將于 2024 年下半年開始對 MI350 進行 HBM 驗證，預計 25 年 1 季度產(chǎn)品將大幅增加。

Intel Habana 在 2H22 推出了 Gaudi 2，它采用了 6 個 HBM2e 堆棧。即將推出的 Gaudi 3（預計于 2024 年中期推出）預計將繼續(xù)使用 HBM2e，但將升級至 8 個堆棧。TrendForce 認為，英偉達憑借其最先進的 HBM 規(guī)格、產(chǎn)品準備和戰(zhàn)略時間表，將在 GPU 領域保持領先地位，進而在競爭激烈的 AI 芯片市場保持領先地位。

HBM4 可能轉(zhuǎn)向商品 DRAM 之外的定制

HBM4 預計將于 2026 年推出，具有針對英偉達和其他 CSP 未來產(chǎn)品量身定制的增強規(guī)格和性能。在更高速度的推動下，HBM4 將標志著其最底部邏輯芯片（基礎芯片）首次使用 12 納米工藝晶圓，由代工廠提供。這一進步標志著代工廠和存儲器供應商之間針對每種 HBM 產(chǎn)品的合作努力，反映了高速存儲器技術不斷發(fā)展的前景。

隨著更高計算性能的推動，HBM4 將從當前的 12 層 (12hi) 堆棧擴展到 16 層 (16hi) 堆棧，從而刺激對新混合鍵合技術的需求。HBM4 12hi 產(chǎn)品將于 2026 年推出，16hi 型號將于 2027 年推出。

最后，TrendForce 指出 HBM4 市場的定制需求發(fā)生了重大轉(zhuǎn)變。買家正在啟動定制規(guī)范，超越與 SoC 相鄰的傳統(tǒng)布局，并探索將 HBM 直接堆疊在 SoC 頂部等選項。雖然這些可能性仍在評估中，但 TrendForce 預計將針對 HBM 行業(yè)的未來采取更加量身定制的方法。

與商品 DRAM 的標準化方法相反，這種向定制化的轉(zhuǎn)變預計將帶來獨特的設計和定價策略，標志著對傳統(tǒng)框架的背離，并預示著 HBM 技術專業(yè)化生產(chǎn)時代的到來。

存儲芯片市場價格的反彈信號，讓行業(yè)人士看到「曙光」。在 2024 年存儲產(chǎn)業(yè)趨勢研討會上，集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理吳雅婷表示：「2023 年，原廠產(chǎn)能策略步調(diào)一致，均以去庫存為目標。目前實際生產(chǎn)量已經(jīng)低于需求，預計第四季度庫存去化將加速。展望明年，供需將逐步走向平衡，帶動價格緩步上漲?！菇?2 年來，全球存儲芯片產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了過山車行情，從 2021 年的缺貨，供不應求，到 2022 年的產(chǎn)能過剩，2023 年第三季度開始出現(xiàn)反轉(zhuǎn)信號，存儲芯片春天即將到來。

進入第四季度，多個型號的存儲芯片呈現(xiàn)漲價之勢。根據(jù)集邦咨詢最新研究數(shù)據(jù)，今年第四季 Mobile DRAM（移動動態(tài)隨機存取存儲器）合約價季漲幅預估將擴大至 13% 至 18%。NAND Flash（閃存存儲器）方面，eMMC（嵌入式多媒體存儲芯片）、UFS（通用閃存存儲芯片）第四季合約價漲幅約 10% 至 15%；由于 Mobile DRAM 一直以來獲利表現(xiàn)均較其他 DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）產(chǎn)品低，因此成為本次的領漲項目。

兆易創(chuàng)新在接受機構(gòu)調(diào)研時表示：「大存儲在今年第三季度已經(jīng)達到了價格的底部區(qū)間。在今年三季度末大存儲出現(xiàn)一些價格反彈，此反彈對利基存儲有一定的帶動效應，利基存儲價格也在筑底并有微弱反彈。明年大存儲的價格有望延續(xù)反彈的走勢，但也不太會出現(xiàn)暴漲暴跌的情況；利基型 DRAM 也會隨著大存儲反彈的走勢，延續(xù)微弱反彈的趨勢。具體供需關系還要看明年需求的恢復情況以及主流廠商減產(chǎn)的持續(xù)時間?！?/span>