關(guān)于IGBT 安全工作區(qū) 你需要了解這兩個關(guān)鍵

在 IGBT 的規(guī)格書中，可能會看到安全工作區(qū)（SOA, Safe Operating Area），例如 ROHM 的 RGS30TSX2DHR 如下圖所示。這個安全工作區(qū)是指什么？

圖1. Rohm 的RGS30TSX2DHR 安全工作區(qū) （圖片來源ROHM）

IGBT 的安全工作區(qū)（SOA）是使IGBT在不發(fā)生自損壞或性能沒有下降的情況下的工作電流和電壓條件。實際上，不僅需要在安全工作區(qū)內(nèi)使用IGBT，還需對其所在區(qū)域?qū)嵤囟冉殿~。安全工作區(qū)分為正向偏置安全工作區(qū)（FBSOA, Forward Bias Safe Operating Area）和反向偏置安全工作區(qū)（RBSOA, Reverse Bias Safe Operating Area）。

1 正向偏置安全工作區(qū)

正向偏置安全工作區(qū)定義了IGBT導(dǎo)通期間的可用電流和電壓條件。

圖2. RGS30TSX2DHR 的正向偏置安全工作區(qū) （圖片來源ROHM）

上圖是RGS30TSX2DHR 的正向偏置安全工作區(qū)，可以根據(jù)具體情況分為4個領(lǐng)域，如下所述:

① 受集電極最大額定電流限制的區(qū)域

② 受集電極耗散限制的區(qū)域

③ 受二次擊穿限制的區(qū)域 (該區(qū)域會因器件設(shè)計而有所不同)

④ 受集電極-發(fā)射極最大額定電壓限制的區(qū)域

2  反向偏置安全工作區(qū)

反向偏置安全工作區(qū)定義了IGBT關(guān)斷期間的可用電流和電壓條件。

圖3. RGS30TSX2DHR 的反向偏置安全工作區(qū) （圖片來源ROHM）

上圖是 RGS30TSX2DHR的反向偏置安全工作區(qū)可以簡單分為2個有限區(qū)域，如下所述:

1.受集電極最大額定電流值限制的區(qū)域

2.受集電極-發(fā)射極最大額定電壓限制的區(qū)域。

請注意，當設(shè)計的 VCE－IC 工作軌跡偏離產(chǎn)品本身安全工作區(qū)時，產(chǎn)品可能會發(fā)生出現(xiàn)意外故障。因此，在設(shè)計電路時，在確定與擊穿容限相關(guān)的具體特性和電路常數(shù)時，必須密切注意耗散和其他性能問題。例如，反向偏置安全工作區(qū)具有溫度特性（在高溫下劣化），VCE－IC 的工作軌跡根據(jù)柵極電阻 Rg 和柵極電壓 VGE 而變化。

因此，有必要在了解工作環(huán)境和關(guān)斷時的最小柵極電阻值后，才進行 Rg 和 VGE 設(shè)計。