SiC是如何「拯救」降價(jià)車企的？

進(jìn)入 2024 年，10 多家車企紛紛宣布降價(jià)。車企給供應(yīng)商的降價(jià)壓力更大，普遍要求降價(jià) 20%，過(guò)去一般是每年降 3%-5%。

有觀點(diǎn)認(rèn)為，車市降價(jià)是由于新技術(shù)帶來(lái)的成本下降，但從大背景來(lái)看，2 月銷量下滑，或是更多企業(yè)加入價(jià)格戰(zhàn)的不得已選擇。但從另一個(gè)角度來(lái)看，成本的下降確實(shí)會(huì)緩解降價(jià)的壓力，SiC（碳化硅）會(huì)不會(huì)是出路呢？

降價(jià)風(fēng)波始末

2 月 19 日，可以說(shuō)是一切的開(kāi)始。

降價(jià)潮是由比亞迪掀起的，從 2 月 19 日到 3 月 6 日，在春節(jié)假期結(jié)束后的 17 天里，比亞迪密集推出了 13 款主力車型的榮耀版新車型。以新車之名，行降價(jià)之實(shí)。2 月 9 日當(dāng)天比亞迪宣布，旗下兩款插混車型秦 PLUS 榮耀版和驅(qū)逐艦 05 榮耀版上市，起售價(jià)為 7.98 萬(wàn)元，相較于上一版本冠軍版車型，兩款新版本車型價(jià)格均下降了 2 萬(wàn)元。其中，秦 PLUS DM-i 榮耀版售價(jià)區(qū)間為 7.98 萬(wàn)元-12.58 萬(wàn)元；秦 PLUS EV 榮耀版售價(jià)區(qū)間為 10.98 萬(wàn)元-13.98 萬(wàn)元。

同日，五菱星光宣布降價(jià)，五菱星光 150km 進(jìn)階版插混轎車降至 9.98 萬(wàn)元，較原價(jià) 10.58 萬(wàn)元降低 6000 元，和比亞迪驅(qū)逐艦 05 120km 版本價(jià)格基本一致。

19 日下午，據(jù)哪吒汽車官方消息，對(duì)其多款主力車型實(shí)施全系降價(jià)策略。其中，哪吒 X 全系降價(jià) 22000 元，哪吒 AYA 全系降價(jià) 8000 元，哪吒 S 全系降價(jià) 5000 元。此外，哪吒汽車還推出了保值換購(gòu)政策，即日起至 2024 年 3 月 31 日，購(gòu)買哪吒 S 和哪吒 GT 車型的消費(fèi)者將享有在購(gòu)車后 2 年內(nèi)以開(kāi)票價(jià) 7 折的價(jià)格換購(gòu)哪吒汽車全系新車的權(quán)益。

同樣在 2 月 19 日，長(zhǎng)安啟源加入價(jià)格戰(zhàn)，宣布 A05 起售價(jià) 7.89 萬(wàn)元起，與原指導(dǎo)價(jià) 8.99 萬(wàn)元相比，降價(jià)幅度達(dá) 1.1 萬(wàn)元，并打出了「電比油低」的口號(hào)。長(zhǎng)安啟源 A05 限時(shí)促銷的主要原因是給用戶提供更具優(yōu)惠的價(jià)格，讓利用戶，讓用戶以低于油車的價(jià)格享受新能源產(chǎn)品帶來(lái)的價(jià)值。2 月 20 日，長(zhǎng)安第二代 X5 PLUS、X7 PLUS 正式上市。長(zhǎng)安對(duì)新車推出限時(shí)優(yōu)惠政策，2 月 19 日至 2 月 29 日，享現(xiàn)金最高直降 1.8 萬(wàn)元、1.5 萬(wàn)元，X5 PLUS、X7 PLUS 優(yōu)惠后起售價(jià)分別為 7.39 萬(wàn)元起、8.39 萬(wàn)元起。

3 月以來(lái)，廣汽集團(tuán)兩大品牌埃安和傳祺接踵官宣推新、降價(jià)。

3 月 6 日，廣汽傳祺宣布其 M6Pro 車型與 GS3 車型均大幅降價(jià)。前者售價(jià)直降 2 萬(wàn)元，現(xiàn)價(jià) 9.98 萬(wàn)元起，將價(jià)格拉進(jìn) 10 萬(wàn)元大關(guān)。而后者則降價(jià) 1.6 萬(wàn)元，價(jià)格更是低至不到 7 萬(wàn)元，降價(jià)幅度接近兩成。

車企希望通過(guò)降價(jià)來(lái)清理庫(kù)存，加快產(chǎn)品更新?lián)Q代的速度。一些庫(kù)存較高的車型，通過(guò)降價(jià)銷售可以快速回籠資金，為新產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)提供更多的資金支持。

降價(jià)真的可以「輸血」嗎？

短期來(lái)看，降價(jià)是會(huì)一定程度的帶動(dòng)銷量。優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品需要優(yōu)質(zhì)的保障，而不是僅僅靠著低價(jià)格來(lái)吸引消費(fèi)者，劣幣驅(qū)逐良幣的行為在汽車市場(chǎng)會(huì)越來(lái)越難。長(zhǎng)期來(lái)看，國(guó)企的競(jìng)爭(zhēng)力在逐漸被拉大，產(chǎn)品的創(chuàng)新、技術(shù)的更新、銷售的布局、影響力的發(fā)展等，都受到來(lái)自民營(yíng)企業(yè)和新勢(shì)力造車的挑戰(zhàn)。

燃油車和新能源競(jìng)相博弈，消費(fèi)者的選擇多數(shù)也是二選一，各廠降價(jià)角力競(jìng)逐在所難免，燃油車的促銷短期內(nèi)解決了庫(kù)存和周轉(zhuǎn)資金，但長(zhǎng)期來(lái)看影響了品牌和售后，而新能源在這波打壓下價(jià)格和客戶明顯會(huì)受挫，長(zhǎng)期虧損帶來(lái)的戰(zhàn)略影響至關(guān)重要，首先是活下去，跟重要的是活得久一點(diǎn)，降價(jià)顯然不能解決根本問(wèn)題。

SiC 在這種情況下，更受關(guān)注。

SiC 為什么能帶來(lái)希望？

功率器件作為汽車電動(dòng)化的重要增量器件，近年來(lái)受益下游市場(chǎng)景氣快速增長(zhǎng)，其中，IGBT 與 SiC 分別作為第二代、第三代功率器件的代表，兩者的上車之爭(zhēng)從未停歇，相比 IGBT，SiC 在寬禁帶、擊穿電場(chǎng)、熱導(dǎo)率以及工作溫度等方面擁有明顯優(yōu)勢(shì)，取代 IGBT 似乎正成為新趨勢(shì)，部分有實(shí)力的主機(jī)廠已在同時(shí)布局 IGBT 與 SiC 車型。業(yè)內(nèi)人士表示，現(xiàn)在 SiC 吃掉大部分車規(guī) IGBT 模塊份額，市場(chǎng)增量巨大。

SiC 為第三代半導(dǎo)體代表之一，在寬禁帶、擊穿電場(chǎng)、熱導(dǎo)率以及工作溫度等 4 大關(guān)鍵指標(biāo)上較 Si 基材料具有明顯優(yōu)勢(shì)，英飛凌認(rèn)為，SiC 的禁帶比 Si 大 3 倍，可轉(zhuǎn)化為 10 倍的擊穿電場(chǎng)；熱導(dǎo)率也是 Si 的 3 倍，支持 200℃高溫工作，而 Si 為 150℃，SiC 更適于在車載等惡劣環(huán)境下工作，因此，SiC 被認(rèn)為是功率器件中 Si 的極佳替代材料。與 IGBT 相比，SiC 器件體積可縮小到 IGBT 的 1/3 以上，重量也可減少 40% 以上，且不同工況下 SiC 功耗降幅達(dá) 60% 以上。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，IGBT 換成 SiC 可以提高 3-8% 的逆變器效率，未來(lái) SiC 將會(huì)替代 IGBT，這是發(fā)展趨勢(shì)。

目前，已經(jīng)有多家車企實(shí)現(xiàn)了 SiC 主驅(qū)成本的優(yōu)化，例如：日產(chǎn)新一代 SiC 電驅(qū)系統(tǒng)成本降低 30%、特斯拉主驅(qū)的 SiC 減少了 75%、小鵬全新電驅(qū)的碳化硅成本減少 50% 等等。上游襯底、芯片產(chǎn)能和良率不斷提升，SiC 模塊具備一定的降價(jià)空間。

全球 SiC 從 6 英寸往 8 英寸發(fā)展，有望帶動(dòng)芯片單價(jià)下降。正如硅片晶圓從 8 英寸往 12 英寸發(fā)展，目前 SiC 晶圓也正在從 6 英寸往 8 英寸發(fā)展。更大的晶圓 尺寸可以帶來(lái)單片芯片數(shù)量的提升、提高產(chǎn)出率，以及降低邊緣芯片的比例，從 而提升晶圓利用率。例如，Wolfspeed 統(tǒng)計(jì)，6 英寸 SiC 晶圓中邊緣芯片占比有 14%，而到 8 英寸中占比降低到 7%。隨著全球 SiC 晶圓的尺寸擴(kuò)大，預(yù)計(jì)將帶 動(dòng) SiC 芯片單價(jià)降低，從而打開(kāi)應(yīng)用市場(chǎng)。

SiC 襯底售價(jià)隨著出貨量提升而逐步下行。2021 年，天岳先進(jìn)的平均銷售價(jià)格為 6767 元/片，較 2020 年同比下降 25%。考慮到目前國(guó)產(chǎn) 6 英寸襯底還未大 批量生產(chǎn)，所以預(yù)計(jì)還會(huì)有降價(jià)空間。另一方面，半絕緣型 SiC 襯底由于市場(chǎng)供 應(yīng)商較少，且下游有部分軍事裝備應(yīng)用，所以目前售價(jià)較高。當(dāng)前 SiC 襯底售價(jià) 較高是良率水平低、晶圓尺寸小、自動(dòng)化程度低等多因素導(dǎo)致的。隨著各廠商提 升工藝、往更大尺寸 SiC 晶圓發(fā)展，預(yù)計(jì) SiC 襯底售價(jià)將逐步下行。

因?yàn)?SiC 成本下降依賴于尺寸增加、可用厚度增加和缺陷密度下降。伴隨大直徑襯底占比不斷提高，襯底單位面積生長(zhǎng)成本下降。單晶可用厚度在不斷增加。以直徑 100mm 單晶為例，2015 年前大部分單晶廠商制備單晶平均可用厚度在 15mm 左右，2017 年底已經(jīng)達(dá)到 20mm 左右。

伴隨襯底結(jié)晶缺陷密度下降的同時(shí)，工藝復(fù)雜程度增加。在大部分襯底提供商完成低缺陷密度單晶生長(zhǎng)工藝及厚單晶生長(zhǎng)工藝研發(fā)后，襯底單位面積價(jià)格會(huì)迎來(lái)相對(duì)快速的降低。

可以通過(guò)新技術(shù)，降低電驅(qū)的 SiC 芯片用量和成本

SiC 電力電子器件價(jià)格進(jìn)一步下降，與同類型 Si 器件價(jià)差縮小。根據(jù) CASA，Mouser，從公開(kāi)報(bào)價(jià)來(lái)看，2020 年底 650V SiC SBD 均價(jià)為 1.58 元/A，同比下降 13.2%，與 Si 器件的價(jià)差約 3.8 倍；1200V SiC SBD 均價(jià)為 3.83 元/A，同比下降 8.6%，與 Si 器件的差距約 4.5 倍。根據(jù) CASA 調(diào)研，實(shí)際成交價(jià)低于公開(kāi)報(bào)價(jià)，650V SiC SBD 實(shí)際成交價(jià)格約 0.7 元/A，1200V SiC SBD 價(jià)格約 1.2 元/A，約為公開(kāi)報(bào)價(jià)的 60%-70%，同比則下降了 20%-30%，實(shí)際成交價(jià)與 Si 器件價(jià)差已經(jīng)縮小至 2-2.5 倍之間，已經(jīng)達(dá)到了甜蜜點(diǎn)。

根據(jù)這個(gè)趨勢(shì)，未來(lái) SiC 的價(jià)格會(huì)再次下降。

有市場(chǎng)消息稱，國(guó)內(nèi)主流 6 寸碳化硅 (SiC) 襯底報(bào)價(jià)參照國(guó)際市場(chǎng)每片 750-800 美元的價(jià)格，快速下殺，價(jià)格跌幅直逼三成。甚至有供應(yīng)鏈從業(yè)者表示，由于國(guó)內(nèi) SiC 長(zhǎng)晶、襯底參與者眾多，在一線廠率先掀起降價(jià)模式的情況下，恐將迫使二、三線廠商被動(dòng)跟進(jìn)，碳化硅襯底價(jià)格戰(zhàn)開(kāi)啟。

對(duì)于一線 SiC 廠商掀起「價(jià)格戰(zhàn)」、SiC 襯底降價(jià)近三成等說(shuō)法，業(yè)內(nèi)持有不同觀點(diǎn)。著國(guó)內(nèi)各大廠商 SiC 產(chǎn)能的提升，SiC 襯底的價(jià)格一直處于緩慢下行區(qū)間，平均每年的降速在 5%-10% 上下。比如，現(xiàn)階段，國(guó)產(chǎn) 6 寸 SiC 襯底在 4000 元/片-5000 元/片左右，預(yù)計(jì)到 2025 年價(jià)格將進(jìn)一步下降，有望降至 4000 元/片。

惡意降價(jià)并不符合當(dāng)下行業(yè)發(fā)展規(guī)律。對(duì)于碳化硅行業(yè)新進(jìn)入者來(lái)說(shuō)，現(xiàn)階段制約行業(yè)發(fā)展的因素有兩方面，一個(gè)是產(chǎn)能跟不上；另一個(gè)是良率無(wú)法提升，這也導(dǎo)致中小廠商在面對(duì)頭部大廠商競(jìng)爭(zhēng)時(shí)，通過(guò)降價(jià)的方式，換取市場(chǎng)份額；相反，對(duì)于已經(jīng)接入英飛凌、博世等全球大客戶的碳化硅頭部碳化硅上游廠商來(lái)說(shuō)，穩(wěn)定的產(chǎn)品性能以及批量供應(yīng)能力，才是立足市場(chǎng)的根本，而并非通過(guò)降價(jià)的手段，「出清」市場(chǎng)跟隨者。

隨著技術(shù)的進(jìn)步，成本下降，SiC 襯底的應(yīng)用會(huì)越來(lái)越廣泛，有利于促進(jìn)下游應(yīng)用端的快速發(fā)展。當(dāng) SiC 襯底產(chǎn)能提升后，大幅降價(jià)是有可能的。