功率半導(dǎo)體市場起飛！

近期，市場各方消息顯示，功率半導(dǎo)體市場逐漸開啟新一輪景氣上行周期，新潔能、揚杰科技、臺基股份等多家功率半導(dǎo)體公司股價紛紛上漲，包括華潤微、揚杰科技、華虹半導(dǎo)體等在內(nèi)的企業(yè)產(chǎn)能利用率接近滿載，部分高性能功率器件已率先開啟漲價潮。

在此市場景氣上行之際，功率半導(dǎo)體市場也將迎來新一輪放量周期，近期士蘭微投資120億元的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線正式開工，除此之外，包括芯聯(lián)集成、捷捷微電、芯粵能多家企業(yè)功率半導(dǎo)體項目也在上半年有最新動態(tài)。

多家企業(yè)產(chǎn)能利用率接近滿載

從市場需求端看，消費電子行業(yè)從去年末開始緩慢復(fù)蘇，至今年一季度有所起色。并且高端的汽車電子、AI帶動的高性能計算及高速通信等需求，給功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來新的成長驅(qū)動力。其中值得注意的是工控領(lǐng)域。多家功率半導(dǎo)體上市公司表示，工控領(lǐng)域的需求較為穩(wěn)定，在下行周期對業(yè)績起到了很大的潤色作用。

從最近多家企業(yè)兩個季度的產(chǎn)能利用率看，行業(yè)整體起色較為明顯。華潤微近期在接受相關(guān)機構(gòu)調(diào)研時表示，公司6英寸及8英寸產(chǎn)線的產(chǎn)能利用率達到90%以上，其中部分產(chǎn)品線已在95%以上；12英寸產(chǎn)線處于爬坡上量以及客戶驗證階段。

揚杰科技則表示，已經(jīng)處于滿產(chǎn)滿銷狀態(tài)；二季度產(chǎn)品價格基本企穩(wěn)，目前公司在手訂單充足。宏微科技則看好下半年需求，其近日表示，預(yù)計第三季度訂單較上半年更飽和。

華虹半導(dǎo)體方面，據(jù)華虹一季度業(yè)績發(fā)布會，截至一季度末，華虹8英寸月產(chǎn)能達到39.1萬片，總產(chǎn)能利用率為91.7%，較上季度提升7.6個百分點。此外，在CIS、BCD和嵌入式非易失性存儲器，以及部分功率器件的需求推動下，華虹12英寸產(chǎn)能利用率保持強勁。另外，華虹半導(dǎo)體對二季度預(yù)期較好，從二季度業(yè)績指引來看，華虹預(yù)計銷售收入約在4.7億美元至5億美元之間，中值環(huán)比一季度實際業(yè)績上升5.4%，預(yù)計毛利率約在6%至10%之間，中值環(huán)比一季度實際毛利率提升1.6%。

芯聯(lián)集成近期在接受行業(yè)媒體采訪時表示，功率半導(dǎo)體復(fù)蘇得比預(yù)期要早，公司產(chǎn)線也已經(jīng)基本上處于滿載狀態(tài)。芯聯(lián)集成在近日接受機構(gòu)調(diào)研時表示，AI催生出面向大型GPU的高性能電源管理芯片的需求。公司的第一代BCD已開始小規(guī)模量產(chǎn)，第二代55nm解決方案獲得了關(guān)鍵客戶重大定點。公司正全力擴大客戶群、加速產(chǎn)品導(dǎo)入，BCD產(chǎn)品將成為公司增長點之一。

而從功率器件價格上看，今年1月起，各個功率半導(dǎo)體公司相繼調(diào)價:三聯(lián)盛全系列產(chǎn)品上調(diào)10-20%、藍彩電子全系列產(chǎn)品上調(diào)10-18%、高格芯微全線產(chǎn)品上調(diào)10-20%、捷捷微電TrenchMOS上調(diào)5-10%等。而最近兩個月，據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈端消息，針對部分中低壓產(chǎn)品,華潤微、揚杰科技等功率大廠也相繼有漲價和談價的動作。華潤微認為產(chǎn)品價格方面基本觸底，年內(nèi)有望逐步修復(fù)。揚杰科技則表示，半導(dǎo)體產(chǎn)品價格受上游成本、技術(shù)工藝水平、行業(yè)周期性及下游需求等多種因素影響，近期隨著原材料價格波動，公司產(chǎn)成品價格也會隨之進行相應(yīng)的調(diào)整。

開工/投產(chǎn)，多個項目迎來新進展

功率半導(dǎo)體也將迎來新一輪放量周期，近期士蘭微投資120億元的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線正式開工，除此之外，還有多家企業(yè)功率半導(dǎo)體項目也在上半年有最新動態(tài)。

投資120億！士蘭微8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線開工

據(jù)廈門廣電網(wǎng)消息，6月18日，士蘭集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線在海滄區(qū)開工。據(jù)悉，該項目總投資120億元，分兩期建設(shè)，兩期建成后將形成8英寸SiC功率器件芯片年產(chǎn)72萬片的生產(chǎn)能力。其中第一期項目總投資70億元，預(yù)計在2025年3季度末實現(xiàn)初步通線，2025年4季度試生產(chǎn)并實現(xiàn)產(chǎn)出2萬片的目標；2026年-2028年持續(xù)進行產(chǎn)能爬坡，最終將形成年產(chǎn)42萬片8吋SiC功率器件芯片的生產(chǎn)能力。

公開資料顯示，此次士蘭集宏8英寸制造生產(chǎn)項目是繼士蘭集科“12英寸特色工藝芯片生產(chǎn)線”和士蘭明鎵“先進化合物半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線”兩個重要項目后，士蘭微電子落地廈門海滄的第三個重要項目。這條生產(chǎn)線投產(chǎn)后將成為國內(nèi)第一條擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)、產(chǎn)能規(guī)模最大的8英寸碳化硅功率器件芯片生產(chǎn)線。將較好滿足國內(nèi)新能源汽車所需的碳化硅芯片需求，并有能力向光伏、儲能、充電樁等功率逆變產(chǎn)品提供高性能的碳化硅芯片，同時促進國內(nèi)8英寸碳化硅襯底及相關(guān)工藝裝備的協(xié)同發(fā)展。

芯聯(lián)集成國內(nèi)首條8英寸SiC MOSFET產(chǎn)線預(yù)計今年將完成通線驗證

在SiC方面，芯聯(lián)集成于2021年起開始投入SiC MOSFET芯片、模組封裝技術(shù)的研發(fā)和產(chǎn)能建設(shè)。

目前，芯聯(lián)集成最新一代的SiC MOSFET產(chǎn)品性能已達世界領(lǐng)先水平，用于車載主驅(qū)逆變器的SiC MOSFET器件和模塊也于2023年實現(xiàn)量產(chǎn)。截至2023年12月，芯聯(lián)集成6英寸SiC MOSFET產(chǎn)線已實現(xiàn)月產(chǎn)出5000片以上。

今年四月，芯聯(lián)集成在業(yè)績說明會上表示，芯聯(lián)集成的國內(nèi)首條8英寸SiC MOSFET產(chǎn)線已始投片，今年將完成通線驗證，明年進入量產(chǎn)。與此同時，公司溝槽式碳化硅MOSFET研發(fā)已經(jīng)進入驗證階段，這些進展都將在一定程度上推動碳化硅器件的成本優(yōu)化。

捷捷微電8英寸功率半導(dǎo)體項目加速推進

5月16日，捷捷微電8英寸功率半導(dǎo)體器件芯片項目簽約落戶蘇錫通科技產(chǎn)業(yè)園區(qū)。據(jù)悉，捷捷微電功率半導(dǎo)體“車規(guī)級”封測產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項目也已于4月份廠房封頂，正在進行玻璃幕墻施工。

據(jù)悉，捷捷微電功率半導(dǎo)體“車規(guī)級”封測項目于2023年初開工，建設(shè)期在2年左右。該項目總投資為133395.95萬元，總建筑面積16.2萬平方米，擬投入募集資金119500萬元，主要從事車規(guī)級大功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售，建設(shè)完成后可達年產(chǎn)1900kk車規(guī)級大功率器件DFN系列產(chǎn)品、120kk車規(guī)級大功率器件TOLL系列產(chǎn)品、90kk車規(guī)級大功率器件LFPACK系列產(chǎn)品以及60kkWCSP電源器件產(chǎn)品的生產(chǎn)能力。

芯粵能SiC芯片制造項目加速一期產(chǎn)能爬坡

公開資料顯示，芯粵能碳化硅（SiC）芯片制造項目是廣東“強芯工程”重大項目，總投資額為75億元，占地150畝，一期投資35億元，建成年產(chǎn)24萬片6英寸SiC芯片的生產(chǎn)線，二期建設(shè)年產(chǎn)24萬片8英寸SiC芯片的生產(chǎn)線，產(chǎn)品包括IGBT、SiC SBD/JBS、SiC MOSFET等功率器件，主要應(yīng)用于新能源汽車、光伏、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。

2023年6月，芯粵能表示其車規(guī)級SiC芯片產(chǎn)線已經(jīng)進入量產(chǎn)階段，包括1200V 16毫歐/35毫歐等一系列車規(guī)級和工控級SiC芯片產(chǎn)品，各方面測試數(shù)據(jù)良好，陸續(xù)交付多家主機廠和客戶送樣驗證。芯粵能稱已簽約COT客戶10余家，并即將完成4家客戶規(guī)格產(chǎn)品量產(chǎn)。近日，據(jù)芯粵能晶圓廠廠長邵永華介紹，目前整個工廠正在擴產(chǎn)爬坡，預(yù)計今年年底實現(xiàn)年產(chǎn)24萬片6英寸車規(guī)級SiC芯片的規(guī)劃產(chǎn)能。預(yù)留的8英寸產(chǎn)線就在6英寸產(chǎn)線隔壁，建成后將具備年產(chǎn)24萬片8英寸車規(guī)級SiC芯片的能力。