Maxim為什么選擇設(shè)計單片NV SRAM模塊
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開發(fā)NV SRAM的目的是生產(chǎn)一種類似于IC的混合存儲器產(chǎn)品，利用低功耗SRAM配合鋰紐扣電池工作，等同于帶有長期備用穩(wěn)壓電源的CMOS技術(shù)。
為了理解Maxim的單芯片模塊(SPM)封裝設(shè)計以及對鋰錳(ML)二次(可充電)電池的選擇，首先需要知道電池備份存儲器的開發(fā)過程。如果了解選擇電池化學(xué)材料的相關(guān)問題，就很容易找到這一問題的答案。
建議讀者首先熟悉非易失應(yīng)用中所使用的原(不可充電)鋰鈕扣電池，在應(yīng)用筆記505："Lithium Coin-Cell Batteries: Predicting an Application Lifetime"中進行了說明。
“磚模塊”—過孔元件
早期的混合模塊封裝延用了傳統(tǒng)的雙列直插(DIP)封裝，這主要是受市場驅(qū)動的結(jié)果，因為EPROM插座為產(chǎn)品提供了更大的靈活性。模塊在制造過程中經(jīng)過適當處理，具有連接方便、簡單易用并且可靠性高等優(yōu)勢。將原鋰鈕扣電池集成到產(chǎn)品中的主要限制是鈕扣電池不能暴露在+85°C (+185°F)以上的溫度環(huán)境中。大批量電路板組裝過程中遇到的這一工藝限制迫使生產(chǎn)商在處理備份電池模塊時使用特殊的方法。而電池廠商對集成電路應(yīng)用或印刷電路板組裝的要求并不熟悉，因此，電子制造涉及到的環(huán)境問題對他們而言是一個全新領(lǐng)域。當時，設(shè)計更耐熱的鈕扣電池也不是他們開發(fā)計劃所關(guān)心的主要問題。
對于很多用戶而言，習(xí)慣于將DIP模塊封裝稱為“磚模塊”，受模塊物力尺寸的限制，許多用戶很難為這種封裝找到合適的空間。
DIP模塊采用傳統(tǒng)的600mil寬的排列，占用較大的電路板面積，而且封裝的高度也較高。存儲器的每一次容量擴充都必須改動電路板布局，增加引腳數(shù)，并進一步增加電路板面積。模塊采用全密封結(jié)構(gòu)，增加的材料也會影響最終電路板的抗振動特性。
解決溫度限制問題的常用方法是采用插座或手工焊接模塊。但這兩種方法會提高成本，而且安裝很不方便。另外，插座連接還會產(chǎn)生系統(tǒng)可靠性問題。
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