淺談功率半導(dǎo)體的技術(shù)與未來產(chǎn)業(yè)發(fā)展（二）

　　BCD技術(shù)的眾多特殊要求適應(yīng)了不同的應(yīng)用需要，產(chǎn)業(yè)發(fā)展的現(xiàn)狀也證明不存在“通用”的BCD技術(shù)規(guī)范，按照工藝特點(diǎn)，BCD技術(shù)可以分為高壓BCD、大功率BCD、高集成度BCD等。高壓BCD主要用于PDP等要求高耐壓（100V以上）但工作電流不大的領(lǐng)域，大功率BCD主要用于自動(dòng)控制等要求大電流、中等電壓（50V左右）的領(lǐng)域，高集成度BCD則主要用于需要與CMOS非易失性存儲(chǔ)電路工藝兼容的領(lǐng)域。根據(jù)系統(tǒng)應(yīng)用電壓的不同，也可以將基于BCD工藝的功率集成電路分為三類：100V以下，100V-300V及300V以上。100V以下的產(chǎn)品種類最多，應(yīng)用最廣泛，包括DC-DC轉(zhuǎn)換、LCD顯示驅(qū)動(dòng)、背光LED顯示驅(qū)動(dòng)、PoE、CAN和LIN等。100V-300V的產(chǎn)品主要是PDP顯示驅(qū)動(dòng)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等。300V以上的產(chǎn)品主要是半橋/全橋驅(qū)動(dòng)、AC/DC電源轉(zhuǎn)換和高壓照明LED驅(qū)動(dòng)等。

　　BCD工藝正向高壓、高功率、高密度方向發(fā)展，2003年意法半導(dǎo)體引入了采用0.18/0.15？m的體硅BCD8工藝；2006年日本Renesas公司報(bào)道了0.25？m的SOIBCD工藝；2009年?yáng)|芝公司推出了60V0.13？m的體硅BCD工藝，可應(yīng)用于高效DC－DC的電源管理和SoC的單片集成；1200V的BCD技術(shù)也已在Fairchild完成。

　　除硅基和SOI功率集成技術(shù)在不斷發(fā)展外，GaN功率集成在近兩年也受到國(guó)際關(guān)注。GaN智能功率技術(shù)將實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)硅功率芯片技術(shù)所不能達(dá)到的工作安全性、工作速度及高溫承受能力。2009年香港科技大學(xué)率先報(bào)道了單片集成功率晶體管和功率整流器的GaNBoost轉(zhuǎn)換器，并在此基礎(chǔ)上開發(fā)出GaN智能功率集成技術(shù)平臺(tái)雛形。由于GaN電力電子器件可基于硅襯底進(jìn)行研制，因此異質(zhì)集成有可能成為GaN功率半導(dǎo)體的研究熱點(diǎn)

　　在國(guó)內(nèi)，在“02專項(xiàng)”的支持下，HHNEC、華潤(rùn)上華、上海宏力和杭州士蘭微等單位開展了40V－600V高壓BCD工藝技術(shù)研發(fā)，較好地支撐了國(guó)內(nèi)功率IC的發(fā)展，但與FLASH等存儲(chǔ)工藝兼容的高密度BCD工藝平臺(tái)目前尚屬空白。