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淺談功率半導體的技術與未來產(chǎn)業(yè)發(fā)展（一）

作者： 時間：2013-10-14 來源：網(wǎng)絡 收藏
頻器件，一般工作在幾十至幾百赫茲，少數(shù)可達幾千赫茲。然而功率電路在更高頻率下工作時將凸顯許多優(yōu)點，如高效、節(jié)能、減小設備體積與重量、節(jié)約原材料等。因此在二十世紀八十年代發(fā)生了“20kHz革命”，即功率半導體電路中的工作頻率提高到20kHz以上。這時傳統(tǒng)的功率半導體器件如SCR和GTR（巨型晶體管或稱為電力晶體管）等因速度慢、功耗大而不再適用，以功率MOS和IGBT為代表的新一代功率半導體器件因此應運而生。新一代功率半導體器件除具有高頻（相對于傳統(tǒng)功率器件而言）工作的特點外還都是電壓控制器件，因而使驅動電路簡單，逐漸成為功率半導體器件的主流和發(fā)展方向，在國際上被稱為現(xiàn)代功率半導體器件（ModernPowerSemiconductorDevices）。

　　現(xiàn)代功率半導體器件的制造技術與超大規(guī)模集成電路一樣都是以微細加工和MOS工藝為基礎，因而為功率半導體的集成化、智能化和單片系統(tǒng)化提供了可能，進而促進了將功率半導體器件與過壓、過流、過溫等傳感與保護電路及其驅動和控制電路等集成于同一芯片的單片功率集成電路的迅速發(fā)展。

　　目前市場主流的功率半導體器件是硅基器件，包括部分SOI（SOI：SilicononInsulator）基高壓集成電路，隨著以SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）為代表的寬禁帶半導體材料制備、制造工藝與器件物理的迅速發(fā)展，SiC和硅基GaN電力電子器件逐漸成為功率半導體器件的重要發(fā)展領域。
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