英特爾打破散熱瓶頸摩爾定律再活百年

 
　1月28日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，英特爾日前宣布，已經(jīng)解決了長(zhǎng)期困擾半導(dǎo)體行業(yè)的芯片散熱問題。 

　　據(jù)美聯(lián)社報(bào)道，英特爾日前表示，已經(jīng)開發(fā)出新的材料來替代當(dāng)前晶體管中的易發(fā)熱材料。與當(dāng)前材料相比，新材料能夠降低電子泄露10倍以上，提升晶體管性能20%以上。

　　業(yè)內(nèi)專家稱，這將是自20世紀(jì)60年代以來晶體管技術(shù)史上的最大突破。該技術(shù)允許半導(dǎo)體廠商制造體積更小的電子產(chǎn)品。

　　近年來，盡管半導(dǎo)體公司仍在續(xù)寫摩爾定律，但芯片散熱問題已經(jīng)成為半導(dǎo)體廠商所撓頭的問題。這主要是由于晶體管所采用的絕緣材料二氧化硅體積越來越小，電流數(shù)量增加導(dǎo)致發(fā)熱量過高。

　　半導(dǎo)體廠商在晶體管中使用二氧化硅的歷史已經(jīng)40多年。而英特爾的新技術(shù)就是利用新材料來取代二氧化硅，從而降低芯片發(fā)熱量。

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