半導體所“低熱阻高光效半導體照明關(guān)鍵技術(shù)”通過鑒定

　　2014年1月18日，由中國科學院科技促進發(fā)展局主持召開的“低熱阻高光效半導體照明關(guān)鍵技術(shù)”科技成果鑒定會在中科院半導體研究所舉行。

　　成果鑒定會上，由清華大學周炳琨、北京大學甘子釗、中科院微電子研究所吳德馨及南京大學鄭有炓等多位院士和行業(yè)內(nèi)知名專家組成的鑒定委員會聽取了半導體照明研發(fā)中心研究員李晉閩的技術(shù)總結(jié)報告、測試報告、技術(shù)查新報告及用戶使用報告，并審查了相關(guān)材料，最終對該項成果形成了鑒定意見。該技術(shù)重點解決了高端功率型LED發(fā)光效率低和散熱性能差兩大技術(shù)瓶頸，通過技術(shù)輻射有力提高了國內(nèi)高端功率型LED的產(chǎn)業(yè)化水平。該項成果技術(shù)創(chuàng)新特色突出，具有重要的科學意義和實用價值，實現(xiàn)了低熱阻高光效半導體照明核心器件，與國內(nèi)外同類技術(shù)相比，總體上達到國際領(lǐng)先水平。同時該成果已經(jīng)成功轉(zhuǎn)移到相關(guān)企業(yè)，取得重要的社會和經(jīng)濟效益。其中復合光學膜技術(shù)已被行業(yè)廣泛采用，成為主流關(guān)鍵工藝技術(shù)，有力地促進了高端LED芯片的國產(chǎn)化進度。最終，鑒定委員會一致同意“低熱阻高光效半導體照明關(guān)鍵技術(shù)”通過成果鑒定。

　　此次鑒定會的成功召開，不僅展示了照明中心在半導體照明領(lǐng)域科研方面的新成果，提升了中心在相關(guān)領(lǐng)域的影響力，也為今后的發(fā)展奠定了扎實基礎(chǔ)，為企業(yè)的發(fā)展提供了有力的保障。