氧化鋁及硅LED集成封裝基板材料的熱阻比較分析
圖1為目前高功率LED封裝使用的結(jié)構(gòu),LED芯片會先封裝在導(dǎo)熱基板上,再打金線及封膠,這LED封裝結(jié)構(gòu)體具備輕巧,高熱導(dǎo)及電路簡單等優(yōu)點(diǎn),可應(yīng)用在戶外及室內(nèi)照明?;宓倪x擇中,氧化鋁(Al2O3)及硅(Si)都是目前市面上已在應(yīng)用的材料,其中氧化鋁基板因是絕緣體,必須有傳導(dǎo)熱設(shè)計,藉由電鍍增厚銅層達(dá)75um;而硅是優(yōu)良導(dǎo)熱體,但絕緣性不良,必須在表面做絕緣處理。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/222007.htm圖1 LED封裝結(jié)構(gòu)
氧化鋁基板及硅基板目前皆已應(yīng)用于高功率LED的封裝,由于LED發(fā)光效率仍有待提升,熱仍是使用LED燈具上必須解決的重要問題,因此LED導(dǎo)熱功能必須仔細(xì)分析。要分析導(dǎo)熱功能必須使用熱阻儀來量測,以下的分析將細(xì)分LED封裝體結(jié)構(gòu),包括芯片層,接合層及基板層,來分析每層熱阻,分析工具則是目前世界公認(rèn)最精確的T3Ster儀器。本文將簡單解析氧化鋁基板及硅基LED板封裝在熱阻的表現(xiàn)(T3Ster儀器實測),其中專有名詞定義如下:
Rth:熱阻,單位是(℃/W),公式為T/KA;
T:導(dǎo)熱基板的厚度(um);
K:導(dǎo)熱基板的導(dǎo)熱系數(shù)(W/mC);
A:導(dǎo)熱面積(mmxmm)。
圖2 E公司氧化鋁基板的LED封裝熱阻分析
將氧化鋁應(yīng)用在LED封裝主要是因為氧化鋁材料高絕緣性及可制作輕小的組件,然而,氧化鋁基板應(yīng)用在電子組件,會因為氧化鋁材料導(dǎo)熱系數(shù)低(約20K/W),造成高熱阻。圖2為T3Ster熱阻儀測試E公司氧化鋁基板封裝LED(LEDarea:1x1mm;LEDemitter:3.15x3.5mm))的結(jié)果,在25℃環(huán)境溫度下測試時,各封裝層的熱阻如下:
1.Chip:2℃/W
2.Bondinglayer:3℃/W
3.氧化鋁基板:20℃/W(高熱阻,基板制作不佳)當(dāng)175mA小電流通入在1x1mm2的LED芯片上,氧化鋁基板因熱阻的溫升為10.5℃(=20x175mAx3.0V),熱不易傳導(dǎo)出LED芯片;當(dāng)350mA電流通入在1x1mm2的LED芯片上,氧化鋁基板因熱阻的溫升為23℃(=20x350mAx3.3V),此時氧化鋁基板會無法將熱傳導(dǎo)出LED芯片,LED芯片會產(chǎn)生大量光衰;而當(dāng)500mA大電流通入在1x1mm2的LED芯片上時,氧化鋁基板因熱阻的溫升大約為36℃(20x(500Ax3.6V),此時氧化鋁基板也會無法將熱傳導(dǎo)出LED芯片,LED芯片會快速光衰。因此,LED芯片封裝若選擇氧化鋁基板,因其熱阻高,封裝組件只適合使用在低功率(~175mA,約0.5W)。
圖3 R公司氧化鋁基板的LED封裝熱阻分析
圖3為T3Ster熱阻儀測試氧化鋁基板封裝LED(LEDarea:1x1mm;LEDemitter:3.15x3.5mm))的結(jié)果,在25℃環(huán)境溫度下測試時,各封裝層的熱阻如下:
1.Chip:2℃/W
2.Bondinglayer:1.5℃/W
3.氧化鋁基板:4.7℃/W(氧化鋁基板厚度:400um,銅層厚度75um)
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