覆晶技術(shù)成熟 三星導(dǎo)入Flash LED應(yīng)用

　　覆晶(Flip-Chip)技術(shù)逐步純熟，2014年覆晶產(chǎn)品導(dǎo)入各項應(yīng)用的比重將明顯提升，業(yè)者積極將覆晶技術(shù)導(dǎo)入FlashLED應(yīng)用，三星順勢擴大FlashLED產(chǎn)品版圖，宣布推出采覆晶技術(shù)的標準封裝規(guī)格2016的FlashLED。

　　FlashLED需要具備高穩(wěn)定性、發(fā)光角度小、低電壓即可驅(qū)動等特質(zhì)，覆晶具有發(fā)光角度大、封裝體積小、高光效的優(yōu)勢，適合用于面積有限，可以瞬間通過大電流的FlashLED產(chǎn)品中。

　　三星過去的FlashLED產(chǎn)品多采用4039與4139封裝規(guī)格，以供應(yīng)旗下品牌手機為大宗。隨著品牌手機大廠紛紛導(dǎo)入雙FlashLED設(shè)計，帶動需求的拉升，三星也在2014年宣布推出標準封裝規(guī)格2016的FlashLED產(chǎn)品，值得關(guān)注的是，三星的2016FlashLED產(chǎn)品采用覆晶技術(shù)。

　　根據(jù)三星的說法，全新的標準型2016FlashLED將導(dǎo)入覆晶技術(shù)，并且同步采用三星獨有的cell-film螢光粉技術(shù)，也就是在每個單一封裝元件上貼覆螢光粉薄膜，而這顆2016產(chǎn)品的光輸出達220lm，并能有效的改善色偏達40%，同時提供比過去傳統(tǒng)FlashLED更好的光品質(zhì)。