新聞中心

EEPW首頁 > 嵌入式系統(tǒng) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > TMS320C6201DSP處理器與FLASH存儲器接口設(shè)計(jì)

TMS320C6201DSP處理器與FLASH存儲器接口設(shè)計(jì)

作者: 時(shí)間:2010-07-08 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/257943.htm

2 FLASH存儲器MBM29LV800BA

  2.1 MBM29LV800BA介紹

  MBM29LV800BA是FUJITSU公司生產(chǎn)的1M×8/512K×l6位的FLASH存儲器,其管腳信號如圖2所示。/BYTE為×8或×16工作方式配置管腳(/BYTE接低時(shí)為×8方式,地址線為[A-1,A0,…A18]共20根,數(shù)據(jù)線為DQ[0:7],數(shù)據(jù)線高8位不用;/BYTE接高時(shí)為×16方式,地址線為A[0:18]共19根,A-1,不用,數(shù)據(jù)線為DQ[0:15]);RY/*BY為表示FLASH就緒或忙的管腳(它是集電極開路引腳,多個(gè)RY/*BY管腳可通過上拉電阻直接線與連接)。

  MBM29LV800BA具有許多特點(diǎn),主要如下

  單電源3.0V讀、編程寫入、擦除;
  與JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的命令集和引腳分布兼容;
  增加了快速編程寫人命令,寫入僅需兩個(gè)總線周期;
  具有至少100 000次的編程寫入/擦寫壽命;
  靈活的扇區(qū)結(jié)構(gòu)支持整片內(nèi)容擦除、任一扇區(qū)內(nèi)容擦除、相連續(xù)的多扇區(qū)內(nèi)容并行擦除;
  具有嵌入式編程寫入算法,可自動寫入和驗(yàn)證寫入地址的數(shù)據(jù);
  具有嵌入式擦除算法,可自動預(yù)編程和擦除整個(gè)芯片或任一扇區(qū)的內(nèi)容;
  具有數(shù)據(jù)查尋位和切換位,可以通過軟件查尋方法檢測編程寫入/擦除操作的狀態(tài);
  具有RY/*BY管腳,可以通過硬件方法檢測編程寫入/擦除操作的狀態(tài);
  自動休眠功能,當(dāng)?shù)刂繁3址€(wěn)定時(shí),自動轉(zhuǎn)入低功耗模式;
  具有低電壓禁止寫入功能;
  具有擦除暫停/擦除恢復(fù)功能,

  2.2 MBM29LV800BA的主要命令及嵌入式算法

  MBM29LV800BA的編程寫入及擦除命令如表2所示。其中,X為十六進(jìn)制數(shù)字的任意值,RA為被讀數(shù)據(jù)的FLASH地址,RD為從FLASH地址RA讀出的數(shù)據(jù),PA為寫編程命令字的FLASH地址,PD為編程命令宇,SA為被擦除內(nèi)容的扇區(qū)地址。 MBM29LV800BA具有嵌入式編程寫入和擦除算法機(jī)構(gòu),當(dāng)向FLASH寫入數(shù)據(jù)內(nèi)容或擦除其扇區(qū)內(nèi)容時(shí),需要根據(jù)相應(yīng)的算法編程才能完成。其編程擦除算法流程為:首先寫編程擦除命令序列;然后運(yùn)行數(shù)據(jù)測試算法以確定擦除操作完成;其編程寫入算法流程為:程序開始,首先驗(yàn)證寫入扇區(qū)是否為空,不空則運(yùn)行擦除算法;然后運(yùn)行編程寫入算法,寫編程寫入命令序列,再運(yùn)行數(shù)據(jù)測試算法或查詢RY/*BY管腳信號以確定該次操作完成。地址增1繼續(xù)上述過程,否則結(jié)束操作;數(shù)據(jù)測試算法主要是測試DQ7和DQ5位的數(shù)據(jù)變化,以確定泫次操作是進(jìn)行中、完成、還是失敗。

  3 C6201/6701與FLASH的接口設(shè)計(jì)

  基于C6000系列DSP的嵌入式系統(tǒng)往往采用地址映射方式為MAPl的ROM引導(dǎo)方式。這種方式是把開發(fā)成功的敝入式可執(zhí)行程序燒寫在CEl空間(從0~01400000地址開始的ROM存儲器)中,并根據(jù)引導(dǎo)方式設(shè)置相應(yīng)的引導(dǎo)模式管腳BOOTMODE[4:0]。這樣,當(dāng)嵌入式系統(tǒng)上電工作時(shí),從復(fù)位信號的上升沿開始,輔助DMA把執(zhí)行程序從引導(dǎo)ROM中移至片上程序存儲船中,然后在片上程序存儲器開始執(zhí)行程序。這種方式呵充分發(fā)揮C6000系列DSP的并行結(jié)構(gòu)特點(diǎn),具有最好的執(zhí)行性能。當(dāng)引導(dǎo)ROM器件采用FLASH存儲器MBM29LV800BA時(shí),C6201/C6701與FLASH存儲器以8位方式連接的接口設(shè)計(jì)如圖3所示。FLASH的地址線[A-1,A0,…A18]與DSP的EMIF接口地址線[EA2,EA 3+…,EA21]直接相連;FLASH的低8位數(shù)據(jù)線DQ[0:7]與EMIF接口數(shù)據(jù)線[ED0,…,ED7]直接相連,高8位數(shù)據(jù)線DQ[8:15]不連接;讀寫使能信號可直接相連;EMIF接口的片選信號/CEl與字節(jié)使能信號/BE0相與后與FLASH的片選信號相連;FLASH的方式信號/BYTE接地;由于EMIF接口的ARDY信號為低時(shí),DSP自動插入等待時(shí)鐘周期,因此,F(xiàn)LASH的就緒或忙RY/*BY信號經(jīng)上拉電阻直接與ARDY信號相連,這種設(shè)計(jì)使FLASH的編程寫操作可不運(yùn)行數(shù)據(jù)測試算法,大大簡化了程序設(shè)計(jì);C6201/C6701與FLASH以16位或32位方式相連咱6接口設(shè)計(jì)與8位方式類似。



  4 引導(dǎo)程序開發(fā)實(shí)現(xiàn)過程

  C6000系列DSP的引導(dǎo)程序開發(fā)實(shí)現(xiàn)不能一步完成,它需要一系列的實(shí)現(xiàn)步驟:首先,在硬件設(shè)計(jì)的同時(shí),可在C6000系列DSP的集成開發(fā)環(huán)境CCS中,用C語言和匯編語言編寫應(yīng)用程序USAGE.C,通過編譯、連接查找、修正原程序中的錯(cuò)誤,生成COFF格式的可執(zhí)行文件USAGE.OUT;其次,當(dāng)硬件設(shè)計(jì)成功時(shí),利用仿真器加載軟件程序USAGE.OUT到硬件系統(tǒng)中調(diào)試驗(yàn)證軟件程序,直至程序無錯(cuò)誤;然后,編寫、加載鏈接指令文件Link.crud,重新編譯、鏈接軟件程序生成BOOT.OUT文件,再利用TI公司提供的HEX轉(zhuǎn)換工具包中的轉(zhuǎn)換程序和FLASH存儲器寬度,把該BOOT.OUT文件轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的BOOT.HEX文件,由于轉(zhuǎn)換工具包中沒有提供相應(yīng)的轉(zhuǎn)換程序把BOOT.OUT文件直接轉(zhuǎn)換為FLASH認(rèn)可的二進(jìn)制文件,因此還需要編寫轉(zhuǎn)換程序把BOOT.HEX文件再轉(zhuǎn)換為BOOT.BIN二進(jìn)制文件;最后,在CCS中編寫FLASH寫入程序,編譯、鏈接生成可執(zhí)行文件,并通過JTAG端口加載運(yùn)行,把得到的引導(dǎo)程序BOOT.BIN作為數(shù)據(jù)文件寫入引導(dǎo)FLASH存儲器中。需注意的是程序?qū)懭隖LASH存儲器時(shí),需要把CEl空間寄存器設(shè)計(jì)為32位寬度存儲器接口方式。

  設(shè)置引導(dǎo)方式管腳BOOTMODE[4:0]的信號電平為01101。當(dāng)系統(tǒng)再次加電時(shí),即可直接執(zhí)行用戶開發(fā)的嵌入式應(yīng)用程序。

  由于C6000系列DSP具有驚人的運(yùn)算速度,并且具有體積小、功耗低等特點(diǎn),必將迅速得到廣泛的應(yīng)用,盡快掌握其開發(fā)應(yīng)用技術(shù),可使其發(fā)揮重大作用;FLASH存儲器具有容量大、體積小、功耗低、在系統(tǒng)可編程的特點(diǎn),大大方便了DSP的開發(fā)及應(yīng)用。C6000系列DSP與FLASH的接口設(shè)計(jì)技術(shù)已成功地在作者開發(fā)的基于三個(gè)C6201/6701處理器的嵌入式實(shí)時(shí)圖像匹配計(jì)算機(jī)中得到應(yīng)用。




上一頁 1 2 下一頁

關(guān)鍵詞: TMS320C6201DSP 處理器 Flash

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉