三星業(yè)內(nèi)首先量產(chǎn)企業(yè)級(jí)服務(wù)器用DDR4內(nèi)存

　　全球存儲(chǔ)領(lǐng)軍品牌三星電子今日宣布，已開(kāi)始正式量產(chǎn)業(yè)內(nèi)首款基于3D TSV(through silicon via,硅通孔)封裝技術(shù)的64GB DDR4 RDIMM內(nèi)存。該款高密度高性能的內(nèi)存模塊不僅能推動(dòng)企業(yè)級(jí)服務(wù)器和云計(jì)算環(huán)境下應(yīng)用程序的不斷發(fā)展，也會(huì)在數(shù)據(jù)中心解決方案的進(jìn)一步多樣化上起到關(guān)鍵性作用。

　　新推出的RDIMM內(nèi)存由36個(gè)DDR4 DRAM芯片組成，而每片芯片又包含4顆4Gb的DDR4 DRAM裸片。這款低能耗的芯片采用了三星最尖端的20納米級(jí)制程技術(shù)和3D TSV封裝技術(shù)。

　　三星電子存儲(chǔ)芯片事業(yè)部?jī)?nèi)存市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)負(fù)責(zé)人白智淏副總裁表示：“通過(guò)推出采用3D TSV技術(shù)的尖端解決方案，三星力求加強(qiáng)在DRAM市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，并進(jìn)而推動(dòng)全球DRAM市場(chǎng)的增長(zhǎng)。預(yù)計(jì)今年下半年下一代CPU即將問(wèn)世，而DDR4市場(chǎng)規(guī)模也有望隨之顯著擴(kuò)大。此次推出的采用3D TSV封裝技術(shù)的高效節(jié)能型DDR4內(nèi)存模塊，正是三星領(lǐng)先主流DDR4市場(chǎng)的又一新作?！?/p>

　　繼去年首次量產(chǎn)3DV-NAND閃存之后，三星此次量產(chǎn)3D TSV內(nèi)存模塊標(biāo)志著存儲(chǔ)技術(shù)史上的一個(gè)新的里程碑。如果說(shuō)3DV-NAND技術(shù)實(shí)現(xiàn)了單顆裸片上各個(gè)存儲(chǔ)單元如高樓般的垂直堆疊結(jié)構(gòu)，那么創(chuàng)新性的3D TSV封裝技術(shù)則實(shí)現(xiàn)了多層堆疊的裸片之間的垂直互連。通過(guò)此次推出全新的TSV內(nèi)存模塊，三星更加穩(wěn)固了其在“3D內(nèi)存時(shí)代”的科技領(lǐng)先地位。

　　為了成功制造一個(gè)3D TSVDDR4 DRAM封裝，需要將DDR4裸片研磨至厚度僅為數(shù)十微米，并打出數(shù)百個(gè)通孔。有源電路直接穿過(guò)這些通孔，而裸片之間則通過(guò)有源電路實(shí)現(xiàn)垂直互連。因此，與引線(xiàn)鍵合封裝技術(shù)相比，采用TSV封裝技術(shù)的64GB內(nèi)存模塊速度最高提升一倍，而能耗也降低約一半。

　　今后，三星有望采用3D TSV技術(shù)將DDR4裸片堆疊4層以上，制造出密度更高的內(nèi)存模塊。鑒于服務(wù)器市場(chǎng)正加速?gòu)腄DR3向DDR4過(guò)渡，預(yù)計(jì)此舉將加快高端內(nèi)存市場(chǎng)的擴(kuò)大。

　　自2010年和2011年分別成功研發(fā)出基于3D TSV技術(shù)的40納米級(jí)8GB DRAM RDIMM和30納米級(jí)32GBDRAMRDIMM以來(lái)，三星一直在不斷改善3D TSV技術(shù)。今年，三星專(zhuān)為T(mén)SV封裝開(kāi)始運(yùn)行了一套新的制造系統(tǒng)，用來(lái)量產(chǎn)新型服務(wù)器用內(nèi)存模塊。

　　據(jù)Gartner的研究報(bào)告，全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將于年內(nèi)在金額上達(dá)到386億美元，在容量上達(dá)到298億Gb。其中服務(wù)器市場(chǎng)將約有67億Gb，約占今年整個(gè)DRAM生產(chǎn)規(guī)模的20%以上。