美光科技將在日本增產(chǎn)智能手機存儲器

　　美國半導體企業(yè)美光科技(Micron Technology)將增產(chǎn)用于智慧手機等產(chǎn)品的半導體記憶體。將向去年收購的原爾必達記憶體位于日本廣島的工廠投資1千億日元，力爭2015財年(截 至15年8月)內(nèi)將產(chǎn)能提高20%。今年美光科技在該工廠時隔3年重啟大規(guī)模投資，計劃通過積極投資來追趕在相關(guān)領(lǐng)域位居全球首位的韓國三星電子。

　　美光科技將在廣島增產(chǎn)使用最尖端微細加工技術(shù)(線寬為20奈米)的DRAM。和上一代25奈米線寬相比，從1枚晶圓上可以獲得的半導體晶片數(shù)量將增加約 20%，生產(chǎn)效率將大幅提高。美光科技還將在旗下的臺灣工廠實施增產(chǎn)投資，爭取將美光整體的DRAM供給能力提高20%。

　　美光本財年計劃在全球?qū)嵤?8億美元的設(shè)備投資，將把一半左右用于DRAM。該公司的首席執(zhí)行官(CEO)馬克·杜爾坎(Mark Durcan)在接受日本經(jīng)濟新聞(中文版：日經(jīng)中文網(wǎng))采訪時表示“移動終端和伺服器等產(chǎn)品的DRAM需求旺盛，今后也將根據(jù)市場動態(tài)，積極實施投 資”。

　　關(guān)于長期保存數(shù)據(jù)的NAND型記憶卡，杜爾坎表示將在2015年推出使用最尖端三維技術(shù)的產(chǎn)品。三星占據(jù)領(lǐng)先優(yōu)勢的產(chǎn)品方面，計劃在原爾必達的秋田工廠完成部分生產(chǎn)工序。