預測2015年DRAM產(chǎn)業(yè)五大趨勢
2014年是 DRAM 產(chǎn)業(yè)獲利頗為豐收的一年。受惠于全球智慧型手機持續(xù)熱銷,一線DRAM大廠紛紛轉(zhuǎn)進行動式記憶體; TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 預估, 2014年行動式記憶體將占整體DRAM產(chǎn)出的36%,2015年更有機會突破40%大關。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/266624.htmDRAMeXchange 研究協(xié)理郭祚榮表示,拜行動式記憶體需求暢旺所賜,標準型記憶體產(chǎn)出相對減少,反倒讓模組價格始終維持在高價水位,2014年4GB模組均價約32美元,標準型記憶體毛利率平均達40%以上。各DRAM廠朝向全面獲利的狀態(tài),寡占市場格局與需求端的市場變化都將牽動2015年DRAM產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展。
DRAMeXchange 預測 2015年 DRAM 產(chǎn)業(yè)五大市場趨勢如下:
(1) DRAM成長趨緩但各廠皆以獲利為優(yōu)先
DRAM產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)為寡占市場結構,僅存的三大DRAM廠皆以獲利導向為優(yōu)先,謹慎控制產(chǎn)出與產(chǎn)品類別的調(diào)整,加上全球智慧型手機持續(xù)維持高度成長,亦讓產(chǎn)能轉(zhuǎn)向行動式記憶體,擠壓到標準型記憶體的產(chǎn)出,讓標準型記憶體市場價格維持高價水位,儼然成為DRAM廠的金雞母,因此在獲利方面都交出亮眼的成績單。DRAMeXchange預估 2015年的DRAM產(chǎn)值將達541億美元,年成長為16%,為市場穩(wěn)定成長獲利的一年。
(2) 三星與SK海力士皆有新廠完工,視市場需求動態(tài)調(diào)整產(chǎn)能
三星(Samsung)與SK海力士(Hynix)不約而同在2014年宣布擴建新廠的消息,產(chǎn)能競賽再起的傳聞甚囂塵上,但DRAMeXchange指出,事實上三星在擴建Line17的同時,Line16 DRAM產(chǎn)能已悄悄縮減并歸還給NAND事業(yè)部使用。而SK海力士M14預計在明年第四季才有少量投片,較大規(guī)模的投片將在2016年才會浮現(xiàn)。
整體而言,DRAMeXchange認為由于市場的需求仍會持續(xù)成長,工廠只是為未來需求而興建,只要投片產(chǎn)出是有計劃性的,后續(xù)價格雖然會逐季下降,但只要制程轉(zhuǎn)進持續(xù)進行,DRAM廠獲利仍能夠保持在現(xiàn)有水位。
(3) 行動式記憶體躍居主流,LPDDR4明年現(xiàn)身
2014年智慧型手機走入平價化,不少高規(guī)低價機種在全球市場攻城掠地,讓新興市場掀起一股智慧型手機的換機潮。 郭祚榮表示,在智慧型手機市場不停擴大的同時,2015年行動式記憶體市占也逼近全球市場的40%,相較于標準型記憶體27%的占比,行動式記憶體已躍升全球DRAM市場主流產(chǎn)品。
另一方面,從行動式記憶體做觀察,2015年主流規(guī)格仍是LPDDR3,產(chǎn)出量達60%以上,而新規(guī)格LPDDR4將在明年首度應用在旗艦智慧型手機機種,無論省電機制與時脈更勝LPDDR3,預計2015年市占率將達到15%。
(4) 20nm成為主戰(zhàn)場,然而資本支出增加將讓制程轉(zhuǎn)進趨緩
韓系DRAM廠25nm制程在2014年下半年已邁入成熟期,無論良率與投片規(guī)模都成為DRAM主流規(guī)格。至于20nm制程,三星已進入驗證階段,SK海力士預計在明年第二季初進入市場;相較之下,美光(Micron)目前規(guī)劃只有華亞科才有20nm制程的標準型記憶體,轉(zhuǎn)進進度較兩大韓廠落后,目標2015年底達到80K投片量。
DRAMeXchange表示,由于進入20nm制程需要更多的設備來生產(chǎn),意味著需要更多的資本支出,然而在獲利導向下,各廠20nm制程的轉(zhuǎn)進比重將會趨緩。
(5) 2015年年底伺服器用DDR4市占有望突破50%大關
在英特爾(Intel)強勢主導與DRAM廠的全力配合下,DDR4記憶體將在伺服器領域率先切入。郭祚榮表示,伺服器記憶體除了穩(wěn)定性的要求外,近期更著墨于低電壓與速度兼顧。根據(jù)JEDEC的規(guī)范,DDR4電壓值僅有1.2V,未來速度更可高達3200Mhz。而價格部分也正與伺服器用DDR3逐步貼近,DRAMeXchange預計DDR4最快于2015年底取代DDR3,正式成為伺服器市場記憶體主流。
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