三星稱5nm工藝芯片制造完全沒有問題

　　就在昨天的 ISSCC(International Solid State Circuit Conference)國際固態(tài)電路會(huì)議上，三星的舉動(dòng)令業(yè)界感 到驚訝，全球首次展示了 10nm FinFET 半導(dǎo)體制程。當(dāng)時(shí)業(yè)內(nèi)人士紛紛表示，三星有望搶在英特爾之前造出全球第一款 10nm 工藝用于移動(dòng)平臺(tái)的處理器。

　　實(shí) 際上，作為韓國高科技巨頭，三星在半導(dǎo)體制造方面已經(jīng)非常超前，目前僅有三星一家可以正式大規(guī)模量產(chǎn) 14nm FinFET 工藝的移動(dòng)設(shè)備芯片，而此前在工藝方面極有優(yōu)勢的英特爾卻一推再推。雖然在芯片領(lǐng)域，三星在業(yè)務(wù)方面尚未上升到高通或者英特爾的高度，但三星的芯片發(fā)展可 謂神速，迎來的是對(duì)統(tǒng)治級(jí)競爭對(duì)手的直接挑戰(zhàn)。

　　不過，如果你認(rèn)為三星首秀 10nm FinFET 工藝制程已經(jīng)夠驚艷全場的話，那么三星在 ISSCC 會(huì)議上的主題演講可能更令人意外。

　　三星：5nm 芯片對(duì)我們而言完全沒有問題

　　據(jù)三星的發(fā)言，該公司還將繼續(xù)推進(jìn)至 5nm 工藝制程，因?yàn)樗麄冋J(rèn)為“根本沒有困難”，而且進(jìn)一步微細(xì)化也有可能很快實(shí)現(xiàn)。

　　該 韓國巨頭甚至表示，他們已經(jīng)確認(rèn)開始 3.2nm FinFET 工藝的工作，通過所謂的 EUV 遠(yuǎn)紫外光刻技術(shù)和四次圖形曝光技術(shù)和獨(dú)家相關(guān)途徑，可以實(shí)現(xiàn)工藝更細(xì)微化?；旧先堑难葜v內(nèi)容非常令人費(fèi)解，完全沒有真正表述究竟使用何種新材料制造這 些更小納米工藝的芯片。英特爾已經(jīng)表示 10nm 之后的半導(dǎo)體制造會(huì)更復(fù)雜，再發(fā)展下去硅原子的物理極限很難突破，不排除三星的新材料解決方案是砷化銦鎵(Indium Gallium Arsenide,InGaAs)。

　　讓我們回到 10nm 工藝，三星稱下一代芯片尺寸將更微小，功耗更低。未來此工藝也將運(yùn)用到 DRAM 和 3D V-NAND 芯片上，三星不會(huì)放棄任何在移動(dòng)領(lǐng)域做儲(chǔ)存霸主的機(jī)會(huì)。三星表示，在 2016 或 2017 年之前暫時(shí)不會(huì)有 10nm 工藝。也就是說，首款采用 14nm 芯片的智能手機(jī) Galaxy S6，在先進(jìn)工藝方面的優(yōu)勢可能會(huì)維持兩年。

　　當(dāng)然，我們不排除下下一代旗艦智能手機(jī)，也就是 Galaxy S7，三星又驚人的為其搭載 10nm 工藝的處理器。