安森美半導體和Transphorm推出600 V GaN 晶體管用于緊湊型電源及適配器

　　推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體 (ON Semiconductor)，和功率轉(zhuǎn)換器專家Transphorm，先前宣布雙方建立了合作關(guān)系，把基于氮化鎵(GaN)的電源方案推出市場，今天美國時間宣布推出聯(lián)名的NTP8G202N (TPH3202PS)和NTP8G206N (TPH3206PS) 600 V GaN共源共柵(cascade)晶體管和使用這些器件的240 W參考設計。

　　安森美半導體電源分立分部副總裁兼總經(jīng)理Paul Leonard說：“GaN晶體管為開關(guān)電源和其它在能效及功率密度至關(guān)重要的應用帶來了性能飛躍。隨著更多工程師熟悉氮化鎵器件的優(yōu)勢，基于GaN的產(chǎn)品需求將快速增長。安森美半導體和Transphorm正工作于新的發(fā)展前沿，并加速市場的廣泛采納。”

　　兩款新品NTP8G202N (TPH3202PS) 和 NTP8G206N (TPH3206PS)，導通阻抗典型值為150 mΩ和290 mΩ，采用優(yōu)化的TO-220封裝，易于根據(jù)客戶現(xiàn)有的制板能力而集成。兩款600 V產(chǎn)品均已使用JEDEC標準認證并在量產(chǎn)。

　　NCP1397GANGEVB (TDPS250E2D2)評估板為客戶提供完整的參考設計，以實現(xiàn)和評估他們的電源設計中的GaN共源共柵晶體管。該評估板為客戶提供比使用傳統(tǒng)器件的電源更小的占位面積和更高的能效。升壓段提供98%的能效并采用NCP1654功率因數(shù)校正控制器。LLC DC-DC段使用NCP1397諧振模式控制器提供97%的滿載能效。這性能在以200+ 千赫茲(kHz)運行時實現(xiàn)，而且顯然也能滿足EN55022的B類電磁兼容(EMC)性能。完整的文檔請從安森美半導體網(wǎng)站獲取。

　　蒞臨安森美半導體在2015 APEC的 407展臺(Transphorm – 1317展臺)觀看關(guān)于GaN器件以及新的電流模式LLC電源和汽車電機驅(qū)動器的演示。

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