SK海力士今年成長(zhǎng)三大核心　20納米、M14新廠、3D NAND

　　面對(duì)競(jìng)爭(zhēng)激烈的半導(dǎo)體市場(chǎng)，SK海力士(SK Hynix)為了維持存儲(chǔ)器事業(yè)持續(xù)成長(zhǎng)，2015年將面臨三大課題：成功量產(chǎn)22納米DRAM、建構(gòu)利川M14新廠的量產(chǎn)系統(tǒng)，以及強(qiáng)化三階儲(chǔ)存單元(Triple-Level Cell;TLC)與3D V-NAND競(jìng)爭(zhēng)力。

　　根據(jù)韓媒E-Daily報(bào)導(dǎo)，SK海力士社長(zhǎng)樸星昱日前在京畿道利川總部舉行的定期股東大會(huì)上表示，2015年下半初期將開始量產(chǎn)22納米DRAM，意即最快在7月SK海力士就會(huì)開始量產(chǎn)22納米DRAM。

　　SK海力士近2年業(yè)績(jī)屢創(chuàng)新高，主力產(chǎn)品DRAM銷售長(zhǎng)紅居功厥偉。

　　然而基于半導(dǎo)體事業(yè)特性，DRAM市場(chǎng)春天難以長(zhǎng)久維持，且與競(jìng)爭(zhēng)業(yè)者間的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)也愈發(fā)激烈，讓公司內(nèi)部危機(jī)感高漲。22納米DRAM能否研發(fā)成功并快速量產(chǎn)，將是SK海力士維持競(jìng)爭(zhēng)力并持續(xù)成長(zhǎng)的關(guān)鍵。

　　樸星昱表示，存儲(chǔ)器市場(chǎng)因技術(shù)難度增高，制程轉(zhuǎn)換與確保生產(chǎn)效能的難度也跟著提升，反觀客戶端對(duì)于產(chǎn)品質(zhì)量的供應(yīng)穩(wěn)定性卻更為要求。身為存儲(chǔ)器業(yè)者，基礎(chǔ)競(jìng)爭(zhēng)力愈來(lái)愈重要。也因此，量產(chǎn)22納米DRAM，成為克服SK海力士目前難題的核心關(guān)鍵。22納米DRAM若成功量產(chǎn)，將可一口氣提升競(jìng)爭(zhēng)力與收益性，也可縮短跟三星電子(Samsung Electronics)之間的微細(xì)制程差距。

　　另一方面，透過(guò)利川M14新廠打造業(yè)界最高水準(zhǔn)的量產(chǎn)系統(tǒng)，并強(qiáng)化TLC與3D垂直構(gòu)造等NAND元件競(jìng)爭(zhēng)力，也是SK海力士2015年的兩大主要課題。

　　總投資金額達(dá)2.1兆韓元的M14廠，是用來(lái)取代老舊DRAM廠的核心基礎(chǔ)設(shè)施。SK海力士計(jì)劃借由M14廠建構(gòu)業(yè)界最高水準(zhǔn)的量產(chǎn)系統(tǒng)，將8吋(200mm)晶圓生產(chǎn)設(shè)備改造為12吋(300mm)晶圓用設(shè)備，可望克服產(chǎn)能低落的問(wèn)題。預(yù)定在2015年上半完工，自下半年開始稼動(dòng)。

　　此外，SK海力士存儲(chǔ)器事業(yè)80%集中在DRAM領(lǐng)域，因此NAND事業(yè)若能依預(yù)期成長(zhǎng)，將有助于SK海力士事業(yè)的多元化發(fā)展。業(yè)界預(yù)測(cè)SK海力士將在第2季推出TLC NAND，第3季推出3D NAND產(chǎn)品。樸星昱表示2015年將透過(guò)強(qiáng)化TLC與3D等NAND元件競(jìng)爭(zhēng)力，以及補(bǔ)強(qiáng)解決方案實(shí)力等策略，確實(shí)地在市場(chǎng)上站穩(wěn)腳步。