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合約價(jià)走跌,Q1全球DRAM總產(chǎn)值季減7.5%

作者: 時(shí)間:2015-05-12 來(lái)源:精實(shí)新聞 收藏

  旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處eXchange最新報(bào)告顯示,第一季合約均價(jià)較前一季跌幅達(dá)11%,加上筆電市場(chǎng)與智慧型手機(jī)步入傳統(tǒng)淡季,因此全球產(chǎn)業(yè)第一季總產(chǎn)值衰退達(dá)7.5%,營(yíng)收來(lái)到120億美元。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/273965.htm

  DRAMeXchange研究協(xié)理郭祚榮表示,受到淡季影響,第一季各DRAM廠都呈現(xiàn)營(yíng)收衰退走勢(shì),但在制程持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)下,毛利并未大幅縮減,整體表現(xiàn)與去年第四季相比相差不遠(yuǎn);然需求面不佳將影響后續(xù)價(jià)格走勢(shì),因此DRAM廠在制程轉(zhuǎn)進(jìn)與產(chǎn)品比重分配,將是今年值得注意的決勝點(diǎn)。DRAMeXchange預(yù)估,2015年DRAM產(chǎn)值預(yù)計(jì)來(lái)到512億美元規(guī)模,年成長(zhǎng)近12%。

  從市占率觀察,DRAMeXchange指出,三星半導(dǎo)體與SK海力士第一季自有品牌記憶體市占率各為43%與27%,韓系廠商合計(jì)市占穩(wěn)占全球市場(chǎng)七成;而美系廠商亦掌握將近22.5%,較前一季小幅下滑,預(yù)期除非有新競(jìng)爭(zhēng)者加入(如中國(guó)大陸積極發(fā)展自有半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)),否則寡占結(jié)構(gòu)下短期市占比例將不易改變。

  從技術(shù)面觀察,DRAMeXchange指出,三星甫進(jìn)入20nm制程良率即表現(xiàn)穩(wěn)健,預(yù)計(jì)年末產(chǎn)出量將逼近60%,仍是DRAM廠中的技術(shù)領(lǐng)先者。SK海力士在25nm制程加持下,營(yíng)收雖然受到價(jià)格下滑而減少,但制程轉(zhuǎn)進(jìn)所帶來(lái)成本降低,依然讓SK海力士有著穩(wěn)健的獲利。至于美光集團(tuán)則因不少產(chǎn)出比重還在30nm制程下,20nm制程轉(zhuǎn)進(jìn)也不如預(yù)期,第一季營(yíng)收大幅下滑13%。DRAMeXchange認(rèn)為,美光如不加速轉(zhuǎn)進(jìn)20nm,價(jià)格下跌將會(huì)侵蝕更高比重的獲利。

  至于臺(tái)廠部分,DRAMeXchange表示,南亞科(2408)目前在30nm微縮制程轉(zhuǎn)進(jìn)速度順利下,預(yù)計(jì)產(chǎn)出年末將超過(guò)50%,成本下降同時(shí)預(yù)計(jì)獲利也會(huì)持穩(wěn),20nm制程預(yù)計(jì)明年才有機(jī)會(huì)導(dǎo)入量產(chǎn)行列。力晶受到標(biāo)準(zhǔn)型記憶體價(jià)格下滑影響,季營(yíng)收衰退7.9%,但25nm制程已步試產(chǎn)階段,最快年底可導(dǎo)入量產(chǎn)。華邦電(2344)由于無(wú)標(biāo)準(zhǔn)型記憶體產(chǎn)品產(chǎn)出,多以利基型記憶體與行動(dòng)式記憶體為主,加上整體投片量來(lái)到44K滿載,營(yíng)收僅小幅衰退1.3%。




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