日本松下將量產新一代半導體：氮化鎵

　　據(jù)日經BP報道，松下研發(fā)出用于電源和馬達控制的新一代半導體，將于2016年春季在日本國內企業(yè)中率先量產。新一代半導體采用氮化鎵(GaN)，能將耗電量控制在原來一半左右。據(jù)悉，松下目前已與日本國內外約10家企業(yè)就供貨進入最終交涉，新一代半導體被松下定位為重振持續(xù)虧損的半導體業(yè)務的戰(zhàn)略產品，松下計劃首先將向服務器電源裝置等供貨。

　　氮化鎵被稱為“終極半導體材料”，世界上僅有美國風險企業(yè)涉足。松下將在生產子公司松下電器半導體有限公司(panasonic Semiconductor Solutions )的魚津工廠(位于富山縣魚津市)進行量產，并希望借此獲得世界市場的領先地位。