三星10nm 拚明年底量產(chǎn)

　　半導(dǎo)體市場(chǎng)第2季需求明顯趨緩，但國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)公布2015年4月份北美半導(dǎo)體設(shè)備訂單及出貨金額，卻同步攀上近3年新高，其中 有2個(gè)主要原因，一是記憶體廠力拚20奈米DRAM制程微縮及3D NAND擴(kuò)產(chǎn);二是晶圓代工廠10奈米制程競(jìng)賽正式開(kāi)打。

　　臺(tái)積電16奈米鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程已進(jìn)入量產(chǎn)階段，雖然進(jìn)度上落后三星14奈米FinFET制程，但臺(tái)積電信心滿滿，認(rèn)為第3季產(chǎn)能快速拉升后，明年將可奪回14/16奈米FinFET制程市場(chǎng)占有率，且加計(jì)20奈米的市占率將在明年遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

　　為了避免先進(jìn)制程推進(jìn)速度落后對(duì)手的情況再度發(fā)生，臺(tái)積電今年拉高資本支出逾100億美元，全力投入10奈米FinFET制程的研發(fā)，預(yù)計(jì)今年底就可開(kāi)始試 產(chǎn)，接受客戶的產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案(tape-out)，明年底將進(jìn)入量產(chǎn)。雖然臺(tái)積電10奈米進(jìn)度仍落后半導(dǎo)體市場(chǎng)龍頭英特爾，但已明顯拉進(jìn)雙方的技術(shù)差距。

　　不過(guò)，三星也非省油的燈，根據(jù)外電報(bào)導(dǎo)，三星在美國(guó)舉辦的會(huì)議中，宣布10奈米FinFET制程將在明年底全面投產(chǎn)，時(shí)間點(diǎn)與臺(tái)積電大致相同。三星晶圓代工部門副總裁Hong Hao表示，三星10奈米制程在功耗、晶片尺寸、效能上都有很大的優(yōu)勢(shì)。

　　為了對(duì)抗臺(tái)積電，三星的14奈米布局也加速進(jìn)行，與晶圓代工廠格羅方德進(jìn)行策略聯(lián)盟。三星位于韓國(guó)的2座晶圓廠、位于美國(guó)奧斯汀的12寸廠、以及格羅方德位于美國(guó)紐約州的晶圓廠，都已導(dǎo)入14奈米制程并開(kāi)始生產(chǎn)。

　　臺(tái)積電10奈米面臨三星的挑戰(zhàn)，已有許多不一樣的投資布局，包括今年進(jìn)行矽智財(cái)驗(yàn)證程序，且已完成35件設(shè)計(jì)工具的驗(yàn)證，同時(shí)也將率先在部份光罩上導(dǎo)入新一 代的極紫外光(EUV)微影技術(shù)。此外，臺(tái)積電也提供客戶后段封測(cè)代工服務(wù)，在先進(jìn)封裝開(kāi)發(fā)出的整合扇出型(InFO)技術(shù)已開(kāi)始驗(yàn)證16奈米產(chǎn)品，預(yù)計(jì) 明年量產(chǎn)，第二代InFO將應(yīng)用在10奈米世代。