Intel撐腰、展訊芯片將采14納米FinFET

　　聯(lián)發(fā)科、臺(tái)積電小心了!中國(guó)手機(jī)晶片廠展訊(Spreadtrum)獲得英特爾(Intel)加持后如虎添翼，高層放話明年發(fā)布的行動(dòng)晶片將找英特爾代工，采用14奈米FinFET制程。

　　EETimes 27日?qǐng)?bào)導(dǎo)，展訊執(zhí)行長(zhǎng)李力游(Leo Li)接受EETimes專訪透露，展訊2016年推出的高低階行動(dòng)晶片都計(jì)畫采用英特爾的14奈米FinFET制程。展訊的行動(dòng)晶片原本由臺(tái)積電代工。

　　不僅如此，原本外界猜測(cè)，展訊可能會(huì)因英特爾入股，放棄ARM架構(gòu)，投向英特爾懷抱。然而李力游堅(jiān)稱，除非英特爾技術(shù)具有競(jìng)爭(zhēng)力，不然展訊沒有義務(wù)改用英特爾架構(gòu)晶片，英特爾不能強(qiáng)迫他們。雙方協(xié)議沒有載明，展訊未來的行動(dòng)晶片須放棄ARM架構(gòu)，改采英特爾技術(shù)，暗示展訊仍會(huì)使用ARM架構(gòu)晶片，與聯(lián)發(fā)科競(jìng) 爭(zhēng)。

　　李力游強(qiáng)調(diào)，展訊對(duì)英特爾技術(shù)仍有興趣，將使用英特爾行動(dòng)晶片SoPHIA測(cè)試客戶反應(yīng)，要是SoPHIA評(píng)價(jià)不錯(cuò)，他們會(huì)考慮使 用。EETimes指出，展訊推說需測(cè)試客戶反應(yīng)，感覺似乎無意替英特爾晶片大力背書。今年底展訊將發(fā)布8核心的系統(tǒng)單晶片(SoC)，會(huì)繼續(xù)采用ARM 架構(gòu)，并采用臺(tái)積電的16奈米制程。

　　去年秋天英特爾砸下15億美元入股清華紫光集團(tuán)(Tsinghua Unigroup)，取得旗下展訊和銳迪科(RDA Microelectronics)的20%股權(quán)。

　　若 展訊真的找英特爾代工生產(chǎn)，未來還可能會(huì)采10奈米制程。俄羅斯科技網(wǎng)站Mustapekka.fi獨(dú)家拿到的英特爾(Intel)2013年-2016 年計(jì)畫時(shí)程，英特爾打算在明年第3季發(fā)表采用10奈米制程技術(shù)的“Cannonlake”處理器，而14奈米的Skylake架構(gòu)系列處理器則會(huì)如期在今 年第4季問世。

　　韓聯(lián)社2月中報(bào)導(dǎo)，三星表示自家的Exynos 7處理器將率先采用14奈米FinFET制程。三星新機(jī)皇Galaxy S6采用Exynos 7八核心處理器。與目前市場(chǎng)主流的20奈米相比，三星14奈米的三維設(shè)計(jì)能耗減少35%，但效能卻加快20%。

　　霸榮香港分部記者Shuli Ren去年報(bào)導(dǎo)，英特爾入股目的或許并非想要尋求產(chǎn)能或擴(kuò)充專利，而是為了避免面臨大陸的反壟斷調(diào)查。德意志銀行分析師Jessica Chang去年9月23日研究報(bào)指出，高通(Qualcomm)、展訊對(duì)大陸行動(dòng)晶片市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)變得愈來愈積極，聯(lián)發(fā)科面臨的壓力與日俱增。該證券并指出，高通對(duì)中國(guó)大陸的業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)已經(jīng)變得更有經(jīng)驗(yàn)，同時(shí)也花費(fèi)更多力氣滿足大陸對(duì)LTE的需求，本次更搶在聯(lián)發(fā)科之前推出解決方案。