芯片業(yè)猛刮中國風(fēng) 百億能否砸暈美光

　　國家戰(zhàn)略與意志 存儲(chǔ)芯片不容有失

　　為了推動(dòng)自主存儲(chǔ)芯片的發(fā)展，我國以國家戰(zhàn)略和意志建設(shè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，設(shè)立國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金，一期投入人民幣1200億元，初期規(guī)劃5年，共計(jì)6000億元規(guī)模資金。重點(diǎn)扶植項(xiàng)目包括DRAM(內(nèi)存芯片)、3D NAND Flash(3D NAND閃存)、NOR Flash(NOR閃存)。

　　現(xiàn)狀：處于"萌芽"的發(fā)展初級階段

　　我國存儲(chǔ)芯片的技術(shù)水平

　　我國目前僅能批量生產(chǎn)55nm級別的NOR Flash(NOR閃存)，用于主板BIOS芯片等小容量、寫入慢的邏輯芯片。3D NAND閃存也僅在實(shí)驗(yàn)室狀態(tài)下，完成9層結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)芯片的存儲(chǔ)器功能的電學(xué)驗(yàn)證。DRAM則干脆處于技術(shù)儲(chǔ)備、規(guī)劃當(dāng)中，短期內(nèi)無量產(chǎn)可能。

　　關(guān)鍵：合作伙伴、技術(shù)團(tuán)隊(duì)、矽知識(shí)產(chǎn)權(quán)

　　封裝成型的美光閃存

　　如果靠我國純正血統(tǒng)的技術(shù)、團(tuán)隊(duì)在幾年時(shí)間追趕國外領(lǐng)先的存儲(chǔ)芯片水平，其難度遠(yuǎn)高于我國的大飛機(jī)項(xiàng)目，且不論容量大小，不允許有任何失誤。因此我們找到①技術(shù)的合作伙伴、②有經(jīng)驗(yàn)的優(yōu)秀團(tuán)隊(duì)以及③矽知識(shí)產(chǎn)權(quán)，將是加速我國存儲(chǔ)芯片量產(chǎn)的三大關(guān)鍵因素。

　　捷徑：整體收購國外存儲(chǔ)芯片廠商

　　韓系海力士是我國潛在的收購/合作對象

　　上敘加速自主國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片量產(chǎn)的三大關(guān)鍵因素碎片化，如果能夠整體收購國外存儲(chǔ)芯片廠商，可加速實(shí)現(xiàn)進(jìn)程。其中海力士、美光均具備DRAM、NAND Flash的先進(jìn)核心技術(shù)。我國企業(yè)收購美光存有一線希望;海力士的市占率更高，收購難度要大，僅存有理論上的收購可能。

　　觀點(diǎn)：存儲(chǔ)芯片自主國產(chǎn)化是根本，收購國外存儲(chǔ)芯片廠家則是拓展加速，雙管齊下的目的是為了加速存儲(chǔ)芯片的自主生產(chǎn)進(jìn)程。收購國外存儲(chǔ)芯片廠商可謂山窮水復(fù)疑無路，柳暗花明又一村，我們遇到什么阻礙，當(dāng)中有什么轉(zhuǎn)機(jī)?

　　美光獨(dú)苗一顆 事關(guān)國家安全恐難成

　　技術(shù)和市場相輔相成，以2Gb顆粒來換算，2014年我國市場在DRAM(內(nèi)存芯片)與NAND Flash(閃存芯片)的消化量分別占全球產(chǎn)能19.2%與20.6%，其中我國的NAND Flash消化量有望在2015年突破30%。龐大的市場份額給了我國企業(yè)操作海外收購、技術(shù)合作的巨大空間，已小有成就。

　　▇我國近期收購美國半導(dǎo)體企業(yè)有先例

　　清華紫光近年海外收購頻頻

　　存儲(chǔ)芯片市場即是技術(shù)的競爭，更是市場的競爭。①在與國際技術(shù)大廠合作上，武漢新芯在今年年初與Spansion合作，展開3D NAND閃存的技術(shù)開發(fā)。②收購美國半導(dǎo)體企業(yè)：武岳峰資本收購美國DRAM(內(nèi)存芯片)廠商ISSI。

　　■美國僅剩美光獨(dú)苗 事關(guān)國家安全恐難成

　　清華紫光能否收購美光 還得有"貴人相助"

　　基于閃存的SSD愈發(fā)凸顯取代機(jī)械硬盤的趨勢，閃存更是在移動(dòng)設(shè)備獨(dú)霸天下。內(nèi)存芯片則是PC和移動(dòng)設(shè)備必需。美國在閃存和內(nèi)存芯片僅剩美光這顆獨(dú)苗，失去美光意味著以后美國淪落到看他人臉色。事關(guān)美國國家安全，美國相關(guān)機(jī)構(gòu)批準(zhǔn)的可能性極低。