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專利設計發(fā)功 ROHM量產溝槽式SiC-MOSFET

作者: 時間:2015-08-12 來源:新電子 收藏

  技術新突破。羅姆半導體()近日研發(fā)出采用溝槽(Trench)結構的,并已建立完整量產機制。新推出的溝槽式和平面型SiC-MOSFET相比,可降低50%導通電阻,大幅降低太陽能發(fā)電用功率調節(jié)器和工業(yè)用變流器等設備的功率損耗。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/278632.htm

  羅姆半導體功率元件制造部部長伊野和英(左2)表示,新發(fā)布的溝槽式SiC-MOSFET采用該公司獨有的雙溝槽結構專利,目前已開始量產。

  羅姆半導體應用設計支援部課長蘇建榮表示,相對于Si-IGBT,SiC-MOSFET有著耐高溫、高耐壓等特性,可降低導通電阻、切換損耗及能量損耗,使開關速度更快速,并藉由驅動頻率的提升,可讓機器小型化。

  新研發(fā)的溝槽式SiC-MOSFET,其閘極部分為溝槽結構,可提高CELL密度,使相同導通電阻的元件以更小的晶片尺寸呈現(xiàn),藉此打造導通損耗更低、開關性能更好的元件。和過往平面型SiC-MOSFET相比,溝槽式SiC-MOSFET可降低約50%的導通電阻及約35%的輸入電容,提高開關性能。

  據(jù)悉,現(xiàn)今市面上的溝槽式SiC-MOSFET,多為單溝槽結構,雖可有效降低導通電阻,但由于其電場集中在閘極溝槽底部,若電場強度過大,便會擊穿底部,因此可靠性不佳。

  羅姆半導體所研發(fā)的雙溝槽結構,在元件的源極(Source)部分也采用溝槽結構,此設計可緩和閘極溝槽電場集中的問題,以確保元件長期可靠性。羅姆半導體功率元件制造部部長伊野和英進一步指出,該雙溝槽結構技術為該公司特有的技術,且已在日本、中國、歐洲及北美地區(qū)申請專利。

  此外,羅姆半導體也采用此新溝槽式SiC-MOSFET研發(fā)出“全SiC功率模組”。該產品采用二合一的結構,包含兩個溝槽式SiC-MOSFET及一個SiC-SBD(蕭特基二極體),額定電壓為1,200伏特(V),額定電流180安培(A)。該模組比過往采用平面型SiC-MOSFET的全SiC功率模組,可降低約42%的開關損耗,至于跟IGBT模組相比,開關損耗更是大幅降低約77%。

  未來羅姆半導體將持續(xù)研發(fā)多種SiC相關產品,包括3,300V的全SiC功率模組,及1,700V的SiC-SBD皆已在開發(fā)中。



關鍵詞: ROHM SiC-MOSFET

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