華虹半導(dǎo)體推出0.18微米數(shù)?；旌霞扒度胧絆TP/MTP工藝平臺(tái)增強(qiáng)版

　　華虹半導(dǎo)體有限公司(「華虹半導(dǎo)體」或「公司」，連同其附屬公司，統(tǒng)稱「集團(tuán)」)今日推出最新低本高效0.18微米數(shù)模混合及嵌入式OTP/MTP工藝平臺(tái)增強(qiáng)版(0.18CE 工藝平臺(tái)增強(qiáng)版)。該增強(qiáng)型工藝平臺(tái)的推出，進(jìn)一步奠定了華虹半導(dǎo)體在蓬勃發(fā)展的微控制器(Microcontroller Unit, MCU)市場(chǎng)中的領(lǐng)先地位，并把現(xiàn)有0.18CE工藝平臺(tái)擴(kuò)展至數(shù)?；旌想娐芳半娫垂芾硇酒I(lǐng)域，為拓展新的應(yīng)用市場(chǎng)打下了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

　　華虹半導(dǎo)體0.18CE工藝平臺(tái)增強(qiáng)版是在0.18微米低本高效OTP(One-Time Programming)工藝平臺(tái)的基礎(chǔ)上研發(fā)升級(jí)而來(lái)。其最大優(yōu)勢(shì)是通過(guò)利用第三方授權(quán)的OTP Cell，并依托自身經(jīng)驗(yàn)豐富的嵌入式存儲(chǔ)器IP設(shè)計(jì)、制造工藝和IP測(cè)試三方面的整合能力，可為客戶提供優(yōu)化的OTP IP，并實(shí)現(xiàn)更小的OTP面積、更高的速度、更低的功耗。通過(guò)這些改進(jìn)，該工藝平臺(tái)在成本、性能和功耗等諸多方面具有行業(yè)領(lǐng)先的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。目前，已有多個(gè)國(guó)內(nèi)外客戶的產(chǎn)品進(jìn)入量產(chǎn)。

　　瞄準(zhǔn)物聯(lián)網(wǎng)和智慧能源應(yīng)用市場(chǎng)對(duì)低功耗MCU的龐大需求，華虹半導(dǎo)體又與合作伙伴聯(lián)合推出了更豐富的嵌入式存儲(chǔ)器方案。其中，OTP + LogicEE(Logic Technology Compatible EEPROM)的解決方案，以內(nèi)嵌IP取代8位MCU外部成本較高的標(biāo)準(zhǔn)電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)，可大幅度降低生產(chǎn)成本。該解決方案不僅能夠大大提升讀寫速度，還可減少耗電量，有效延長(zhǎng)待機(jī)時(shí)間，更能克服外掛式芯片數(shù)據(jù)容易遭到竊取的缺點(diǎn)，強(qiáng)化數(shù)據(jù)保密功能。

　　另外，在MTP(Multiple-Time Programming)解決方案中，客戶通過(guò)MTP IP可以方便地在系統(tǒng)上反復(fù)修改設(shè)計(jì)程序，從而提升客戶產(chǎn)品的功能及有效改善生產(chǎn)存貨管理。作為OTP MCU的升級(jí)版，MTP可提供的容量由1Kx8位到 8Kx16位，其IP面積極具競(jìng)爭(zhēng)力，可應(yīng)對(duì)客戶多元化和高性價(jià)比的需求。

　　同時(shí)，通過(guò)推出低閾值電壓(Low Vt)、NPN雙極結(jié)型晶體管(BJT)、 耗盡型(Depletion)、齊納二極管(ZenerDiode)、18V LDMOS器件，華虹半導(dǎo)體將擴(kuò)大其在數(shù)?；旌想娐泛碗娫垂芾鞩C領(lǐng)域的產(chǎn)品陣容，為諸如電量計(jì)、溫度傳感器、智能電表、移動(dòng)電源和微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)專用集成電路(ASIC)，提供高性能低成本的解決方案。

　　華虹半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁范恒先生表示：“0.18CE工藝平臺(tái)增強(qiáng)版是華虹半導(dǎo)體與合作伙伴共同耕耘的成果。該增強(qiáng)型工藝平臺(tái)可為客戶提供一系列創(chuàng)新、高性能和有競(jìng)爭(zhēng)力的嵌入式存儲(chǔ)器IP等完整解決方案。其產(chǎn)品應(yīng)用廣泛，可適用于可穿戴式設(shè)備、移動(dòng)通訊、物聯(lián)網(wǎng)和智慧能源。華虹半導(dǎo)體將繼續(xù)加大研發(fā)投入，與國(guó)內(nèi)外合作伙伴攜手，開(kāi)創(chuàng)進(jìn)軍物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)的新局面。”