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非易失性光存儲器,利用相變材料實現(xiàn)

作者: 時間:2015-09-29 來源:技術在線 收藏
編者按:首次實現(xiàn)了非易失性光存儲器,革命性的技術帶來存儲領域的新世界。

  由英國和德國大學及研究所的研究人員組成的研究小組開發(fā)出了可用光線寫入信息并用光線讀取信息的光存儲芯片。材料采用了電也使用的相變存儲材料,此次首次實現(xiàn)了非易失性光

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/280790.htm

  預計隨著的光化,將來存儲器的密度將不斷提高,耗電量和訪問時間將大幅減少。介紹技術詳情的論文已發(fā)表在學術雜志《自然光子學》(Nature Photonics)上。

  開發(fā)出這款光存儲芯片的是英國牛津大學、德國卡爾斯魯厄理工學院(KIT)、德國明斯特大學(University of Muenster)、英國??巳卮髮W(Exeter University)的研究者們。

  使用的相變材料是相變存儲器一般使用的Ge2Sb2Te5 (GST)。信息記錄采用的原理是通過GST在結晶狀態(tài)與非晶狀態(tài)之間變化,或在非晶狀態(tài)之間變化時,光的透過性會隨之發(fā)生變化。另外,電相變存儲器則是利用隨著結晶/非晶狀態(tài)的不同,電阻值發(fā)生變化的特點來記錄信息的。

  信息擦寫時,通過向GST照射能量高但波長非常短的光脈沖來實現(xiàn)結晶與非晶狀態(tài)。而讀入時,采用能量較弱的光脈沖,來讀取GST的狀態(tài)。此次開發(fā)的芯片實現(xiàn)了利用尺寸大約為1ns的一個元件便可記錄3bit、8值狀態(tài)的多值化。擦寫時的切換頻率大約為1GHz。



關鍵詞: 存儲器

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