一種無(wú)采樣電阻的功率器件保護(hù)方法

　　MOSFET或IGBT保護(hù)方法有很多，有專(zhuān)門(mén)帶保護(hù)的驅(qū)動(dòng)電路，也有用康銅絲做電流采樣的保護(hù)電路。專(zhuān)門(mén)帶保護(hù)的驅(qū)動(dòng)電路一般成本較高，用康銅絲做電流采樣+比較器容易產(chǎn)生振蕩。下面介紹一種無(wú)采樣電阻的方法。

　　下面介紹一種無(wú)采樣電阻的方法：

　　上圖中，Q1是功率管MOSFET或IGBT，R1是負(fù)載，D1是采樣二極管，R2是上拉電阻。在Q1導(dǎo)通時(shí)D1的K極電壓就是Q1壓降，D1的A極電壓在其基礎(chǔ)上高了D1壓降(Q1壓降+D1壓降)。D1壓降是恒定值，當(dāng)過(guò)載時(shí)Q1壓降增大，從而ADC采樣值增大，大到一定程度時(shí)就可以認(rèn)為是過(guò)載，用程序判斷之。電路中D1的作用是防止Q1判斷時(shí)VPOWER流入ADC引腳燒毀MCU。

　　該方法成本低，是一種行之有效的方法。