阻變存儲(chǔ)器:中國企業(yè)如何“存儲(chǔ)”專利實(shí)力?
目前,閃存芯片存儲(chǔ)技術(shù)以高存儲(chǔ)密度、低功耗、擦寫次數(shù)快等優(yōu)勢(shì)占據(jù)了非揮發(fā)性存儲(chǔ)芯片的壟斷地位,但隨著半導(dǎo)體工藝的不斷發(fā)展,閃存芯片存儲(chǔ)技術(shù)遇到了技術(shù)瓶頸,而新一代存儲(chǔ)技術(shù)——阻變存儲(chǔ)器有望成為閃存芯片存儲(chǔ)技術(shù)的替代者。
有專家指出,在阻變存儲(chǔ)器領(lǐng)域,美國、日本、韓國等國家的企業(yè)研發(fā)起步較早,且企業(yè)之間不斷加強(qiáng)合作,掌握了該領(lǐng)域的諸多核心技術(shù),而中國的研究力量比較分散,只有一些高校和科研機(jī)構(gòu)進(jìn)行了基礎(chǔ)性研究。對(duì)此,專家建議,我國研究機(jī)構(gòu)和企業(yè)應(yīng)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合,共同攻關(guān),同時(shí)加強(qiáng)產(chǎn)學(xué)研合作,將創(chuàng)新成果盡快轉(zhuǎn)化為產(chǎn)品。
已經(jīng)輸在起跑線上?
作為一項(xiàng)新興技術(shù),阻變存儲(chǔ)器于2000年才被人們所關(guān)注。那一年,美國休斯敦大學(xué)的一個(gè)研究小組報(bào)道了PCMO氧化物薄膜電阻轉(zhuǎn)換特性后,各研究機(jī)構(gòu)開始投入大量人力、物力研究阻變存儲(chǔ)器,并展開了專利布局。
國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局于2015年發(fā)布了《高端存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)專利分析報(bào)告》(下稱《報(bào)告》)。該《報(bào)告》由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局專利局審查業(yè)務(wù)管理部組織,國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局專利局電學(xué)發(fā)明審查部負(fù)責(zé)實(shí)施。高端存儲(chǔ)課題組研究成員杭雪蒙經(jīng)過全球?qū)@墨I(xiàn)檢索發(fā)現(xiàn),截至2014年10月30日,在阻變存儲(chǔ)器領(lǐng)域,全球申請(qǐng)人共提交了4168件專利申請(qǐng),其中,美國、日本、韓國的申請(qǐng)人提交的專利申請(qǐng)量位居前三位,分別為1519件、1091件、720件,中國申請(qǐng)人提交的專利申請(qǐng)量為410件,位居第四位。
“美國、日本、韓國的各大半導(dǎo)體公司在阻變存儲(chǔ)器領(lǐng)域的研發(fā)起步較早,掌握了該領(lǐng)域的諸多核心技術(shù),目前,這些公司都已經(jīng)生產(chǎn)出測(cè)試產(chǎn)品,但還沒有實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。此外,在積極開展技術(shù)研發(fā)的同時(shí),這些公司還通過合作和并購等形式,實(shí)現(xiàn)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合、優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)?!焙佳┟稍诮邮苤袊R(shí)產(chǎn)權(quán)報(bào)記者采訪時(shí)介紹。
目前,國外企業(yè)的聯(lián)合研發(fā)已初見成效。杭雪蒙舉例說,索尼由于不具備制造尖端存儲(chǔ)器的能力,其在2011年選擇與美光共同研發(fā)阻變存儲(chǔ)器。2014年,研發(fā)小組研發(fā)出了高速、大容量的阻變存儲(chǔ)器,目前,索尼正在考慮將該技術(shù)用于智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)終端產(chǎn)品。
創(chuàng)新成果難以轉(zhuǎn)化?
近幾年,我國阻變存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)雖然發(fā)展迅速,但仍面臨研發(fā)機(jī)構(gòu)各自為戰(zhàn)、產(chǎn)學(xué)研程度不高等諸多困難。
杭雪蒙對(duì)中國阻變存儲(chǔ)器領(lǐng)域的專利申請(qǐng)人進(jìn)行分析發(fā)現(xiàn),專利申請(qǐng)量較多的國外申請(qǐng)人以三星、夏普、索尼、松下等企業(yè)為主,中國申請(qǐng)人則以北京大學(xué)、中國科學(xué)院微電子研究所、復(fù)旦大學(xué)、清華大學(xué)等院校和研究機(jī)構(gòu)為主,這表明我國針對(duì)阻變存儲(chǔ)器的研究仍停留在研發(fā)階段。
“我國高校和研究機(jī)構(gòu)各自為戰(zhàn)是影響阻變存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的障礙之一,與阻變存儲(chǔ)器相關(guān)的物理學(xué)、材料學(xué)、微電子學(xué)以及其他相關(guān)學(xué)科的科研人員還沒有形成合力。比如中國科學(xué)院微電子研究所在阻變材料、機(jī)理及集成等方面開展了系統(tǒng)的研究工作;復(fù)旦大學(xué)則專注于‘新型半導(dǎo)體存儲(chǔ)及應(yīng)用’關(guān)鍵技術(shù)的研究?!焙佳┟山榻B。
中國科學(xué)院微電子研究所副研究員劉琦在接受本報(bào)記者采訪時(shí)表示:“阻變存儲(chǔ)器面臨的主要問題是創(chuàng)新成果難以轉(zhuǎn)化為產(chǎn)品,目前,雖然已經(jīng)有部分企業(yè)與研究機(jī)構(gòu)合作研發(fā)阻變存儲(chǔ)器相關(guān)技術(shù),但企業(yè)參與度不高,創(chuàng)新成果仍難以產(chǎn)業(yè)化?!?/p>
如何實(shí)現(xiàn)逆勢(shì)趕超?
創(chuàng)新成果難以轉(zhuǎn)化為產(chǎn)品已嚴(yán)重制約了國內(nèi)阻變存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,那么,國內(nèi)阻變存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)應(yīng)如何實(shí)現(xiàn)彎道超車?
“國內(nèi)企業(yè)應(yīng)在加強(qiáng)基礎(chǔ)性研究的同時(shí),開展器件研究,以產(chǎn)品為導(dǎo)向,重點(diǎn)研究器件化過程中的核心技術(shù)。此外,國家相關(guān)部門和企業(yè)需要加大投入,搭建阻變存儲(chǔ)器理論研究和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的橋梁,以加快創(chuàng)新成果的轉(zhuǎn)化進(jìn)程?!焙佳┟山ㄗh,我國研究機(jī)構(gòu)和企業(yè)還應(yīng)加強(qiáng)合作,共同研發(fā),盡快將創(chuàng)新成果轉(zhuǎn)化為產(chǎn)品。
劉琦非常認(rèn)同上述觀點(diǎn),他表示,制約我國阻變存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主要問題在于投入不夠,國家相關(guān)部門和企業(yè)應(yīng)加大投入,并在阻變存儲(chǔ)器材料、工藝、器件、集成等關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域加大研發(fā)力度,加快專利布局,為我國在下一代非揮發(fā)性存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域占據(jù)一席之地奠定基礎(chǔ)。
值得一提的是,在應(yīng)對(duì)困難的同時(shí),我國阻變存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)也迎來一些利好政策,可謂機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存。
“近年來,我國大力支持阻變存儲(chǔ)器領(lǐng)域的研究項(xiàng)目,比如,2009年,中國科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合北京大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、南京大學(xué)和中國科學(xué)院物理研究所申報(bào)的國家科技重大專項(xiàng)課題——32納米阻變存儲(chǔ)器關(guān)鍵工藝和技術(shù)獲得了資助;2011年,由西安華芯半導(dǎo)體有限公司牽頭申報(bào)的國家‘863’科技計(jì)劃重大專項(xiàng)——新型非易失存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)共性關(guān)鍵技術(shù)研究項(xiàng)目獲得科技部批復(fù)。”杭雪蒙表示,希望在利好政策下,我國在阻變存儲(chǔ)器領(lǐng)域的創(chuàng)新成果能盡快轉(zhuǎn)化為產(chǎn)品,以在未來的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)主動(dòng)。
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