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飛兆半導體宣布推出采用SO-8封裝的80伏N溝道MOSFET器件FDS3572

作者:電子設計應用 時間:2004-12-30 來源:電子設計應用 收藏

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/4259.htm

公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出采用SO-8的80 伏 N溝道MOSFET器件FDS3572,具備綜合的性能優(yōu)勢,能同時為DC/DC轉換器的初級和次級同步整流開關電源設計提供優(yōu)異的整體系統(tǒng)效率。FDS3572提供7.5 nC Miller電荷 (Qgd),比相同RDS(on) 級別的產(chǎn)品低38%。該器件的低Miller電荷加上低RDS(on) (16毫歐) 特性,其品質因數(shù)Figure of Merit (FOM = RDS(on) x Qgd ) 為120, 比最接近的競爭產(chǎn)品低33% 之多。FDS3572還具有最佳的總門電荷 (在VGS = 10 V為31 nC),有助降低損秏;低QRR (70 nC),可降低反向恢復損耗;以及高雪崩性能 (EAS = 515 mJ),以提高耐用性能。這些產(chǎn)品特性再配合小體積的,使得FDS3572成為今日要求嚴格的電源設計的理想選擇。

FDS3572開關特別適用于預穩(wěn)壓的高密度隔離全橋或半橋DC/DC轉換器電路應用,也是初級應用的理想器件,包括低壓電信電源、DC/DC轉換器、網(wǎng)絡和數(shù)據(jù)通信電源、服務器及采用最新總線轉換器拓撲且支持中間母線結構 (IBA) 的調壓模塊 (VRM)。在這些應用中,頻率通常高達250 KHz,而FDS3572極低的Miller電荷可實現(xiàn)快速切換,從而減少動態(tài)損耗;至于其超低門電荷則可通過減少驅動器/PWM控制IC的功耗來提高系統(tǒng)效率。

這種先進的器件還可用于同步整流器,以替代DC/DC轉換器次邊的傳統(tǒng)高壓Schottky整流器,輸出電壓為5V至52V。典型的產(chǎn)品應用包括網(wǎng)絡和數(shù)據(jù)通信DC/DC轉換器及筆記本電腦的外部AC/DC適配器。FDS3572的低RDS(on) 特性可將傳導損耗控制在允許范圍內,并提高筆記本電腦AC/DC適配器的功率密度。功率密度的增強非常重要,因為隨著更多多媒體功能集成于便攜產(chǎn)品平臺上,處理器的功率需求將越來越高。同步整流應用也可得益于FDS3572的高雪崩性能及小尺寸。


技術市務經(jīng)理David Grey稱:“現(xiàn)今的DC/DC轉換器設計者總想在預定的散熱限制范圍內,在越來越小的空間中盡量提高功率。FDS3572便可滿足他們對效率、性能及小尺寸封裝的要求,并且能實現(xiàn)極佳的裸片至封裝的利用率?!?/p>

FDS3572的推出是落實其業(yè)務承諾的又一例證,提供能滿足現(xiàn)今市場趨勢和需求的產(chǎn)品。飛兆半導體針對DC/DC轉換器應用的其它產(chǎn)品還包括光隔離放大器(FOD27XX系列)、快速恢復二極管及PWM控制器等。而這種無鉛產(chǎn)品能達到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020D標準要求,并符合將于2005年生效的歐盟標準。

價格:  FDS3572器件每個1.18美元 (訂購1,000個)
供貨:  現(xiàn)貨
交貨期: 收到訂單后8周內



關鍵詞: 飛兆半導體 封裝

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