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美光奇夢達(dá)趕在三星前推出DDR3內(nèi)存

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作者: 時間:2007-03-26 來源: 收藏
    內(nèi)存生產(chǎn)商先于電子,推出了DDR3 DRAM內(nèi)存的樣品。該公司的營銷副總裁簡尼-馬凱(Jenn Markey)稱,長期以來市場一直期待,速度有希望比DDR2高一倍、能耗卻不會顯著增加的DDR3的出現(xiàn),只是奇怪能在DRAM市場傳統(tǒng)領(lǐng)先者之前推出。

  DDR3的數(shù)據(jù)傳輸速率可達(dá)到1600Mb/s(1600兆位/秒),電源電壓卻從1.8伏特下降到1.5伏特,這可降低能耗和延長移動設(shè)備的電池壽命。內(nèi)存部門高級營銷主管比爾-勞爾(Bill Lauer)表示,公司計(jì)劃投產(chǎn)1GB(1吉兆) DDR3芯片,并在今年年中推出2GB的DDR3樣品,DDR3是為下一代高性能處理和消費(fèi)系統(tǒng)提供的內(nèi)存解決方案,在很多方面都有顯著優(yōu)勢。Semiconductor Insights公司預(yù)計(jì),隨著512兆和1吉兆,速度在800MHz以上芯片的推出,DDR3市場將在今年形成規(guī)模。



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