亞洲市場(chǎng)成為Ramtron 2008年前最大目標(biāo)設(shè)計(jì)市場(chǎng)

　　非易失性鐵電存儲(chǔ)器 (FRAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation日前發(fā)布其亞太區(qū)的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)擴(kuò)展戰(zhàn)略以及持續(xù)發(fā)展的最新部署，同時(shí)推出首款4Mb非易失性FRAM 存儲(chǔ)器FM22L16，成為推動(dòng)該公司在區(qū)內(nèi)繼續(xù)增長(zhǎng)的主要元素。

　　FRAM 技術(shù)的核心是將微小的鐵電晶體集成進(jìn)電容內(nèi)，使到FRAM產(chǎn)品能夠象快速的非易失性RAM那樣工作。通過施加電場(chǎng)，鐵電晶體的電極化在兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)之間變換。內(nèi)部電路將這種電極化的方向感知為高或低的邏輯狀態(tài)。每個(gè)方向都是穩(wěn)定的，即使在電場(chǎng)撤除后仍然保持不變，因此能將數(shù)據(jù)保存在存儲(chǔ)器中而無需定期更新。

　　FRAM 存儲(chǔ)器將易失性DRAM的快速存取和低功耗特點(diǎn)與不需要電能保存數(shù)據(jù)的能力結(jié)合起來。EEPROM和閃存等其它非易失性存儲(chǔ)器由于必需以多個(gè)掩模步驟、更長(zhǎng)的寫入時(shí)間及更多的功耗來寫入數(shù)據(jù)，因此對(duì)于嵌入式應(yīng)用不太合適。此外，F(xiàn)RAM的小單元尺寸和增加最少的掩模步驟特點(diǎn)，使到面向嵌入式應(yīng)用的FRAM可以低于SRAM的成本生產(chǎn)。FRAM所消耗的功率亦較MRAM低很多，并且已在要求嚴(yán)格的汽車、測(cè)量、工業(yè)及計(jì)算等應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)商業(yè)化應(yīng)用。

　　Ramtron的FM22L16是采用44腳薄型小尺寸塑封 (TSOP) 的3V、4Mb并行非易失性FRAM，具有高存取速度、幾乎無限的讀/寫次數(shù)和低功耗等特點(diǎn)。FM22L16與異步靜態(tài) RAM (SRAM) 在管腳上兼容，并適用于工業(yè)控制系統(tǒng)如機(jī)器人、網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用、多功能打印機(jī)、自動(dòng)導(dǎo)航系統(tǒng)，以及許多以SRAM為基礎(chǔ)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。這種4Mb FRAM是標(biāo)準(zhǔn)異步SRAM完全替代器件，但其性能卻優(yōu)越很多，因?yàn)樗谶M(jìn)行數(shù)據(jù)備份時(shí)毋需電池，并且具有單片芯片方式固有的高可靠性。FM22L16是真正的表面安裝解決方案，與SRAM不同的是它不在需要電池而且具有很高的耐潮濕、抗沖擊和振動(dòng)特性。

　　Ramtron 在亞太區(qū)的產(chǎn)品銷售量由2001至2006年每年增長(zhǎng)達(dá) 99%，當(dāng)中的主要?jiǎng)恿碜杂陔娏τ?jì)量、汽車電子及磁碟列陣等控制器應(yīng)用等方面。為了推動(dòng)區(qū)域內(nèi)的業(yè)務(wù)持續(xù)增長(zhǎng)，Ramtron最近進(jìn)行了大量投資，全面擴(kuò)大其在中國(guó)、香港、臺(tái)灣及韓國(guó)的辦事處規(guī)模，將銷售、戰(zhàn)略事務(wù)及應(yīng)用支持的專門人員數(shù)目增加了接近一倍，組建了公司最龐大的區(qū)域性營(yíng)銷和市場(chǎng)拓展團(tuán)隊(duì)。

　　此外，Ramtron還調(diào)整了其產(chǎn)品戰(zhàn)略，以緊跟亞洲區(qū)內(nèi)出現(xiàn)的各個(gè)新興機(jī)會(huì)。其中，最近宣布推出得汽車用獨(dú)立式FRAM存儲(chǔ)器產(chǎn)品，包括符合超高溫AEC Q100 Grade 1規(guī)范要求的器件。擴(kuò)大FRAM-Enhanced處理器配對(duì)產(chǎn)品系列，將常用的系統(tǒng)外設(shè)與高性能的非易失性FRAM存儲(chǔ)器集成在單芯片上是Ramtron的另一舉措。

　　Ramtron還在磁碟列陣控制器市場(chǎng)上推出業(yè)內(nèi)首款4Mb非易失性FRAM產(chǎn)品FM22L16，其存儲(chǔ)量是現(xiàn)有產(chǎn)品的四倍。這款4Mb FRAM是標(biāo)準(zhǔn)異步SRAM的管腳 替代產(chǎn)品，而其性能更為優(yōu)異，因無需外部電池或電容器來進(jìn)行數(shù)據(jù)備份，并采用單片電路形式，因此更為可靠。該新型并行FRAM器件將德州儀器公司公認(rèn)的130nm 制造工藝與Ramtron先進(jìn)的FRAM單元架構(gòu)相結(jié)合，創(chuàng)制出現(xiàn)今最高密度的FRAM器件。