內(nèi)存價(jià)格終于反彈 業(yè)內(nèi)持不同意見(jiàn)

　　在5月18-25日，DRAM內(nèi)存價(jià)格終于出現(xiàn)了反彈，業(yè)界分析家對(duì)該現(xiàn)象是標(biāo)志著大范圍的調(diào)整開(kāi)始還是僅僅是一個(gè)短期現(xiàn)象持有不同意見(jiàn)。

　　據(jù)DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，從5月18日開(kāi)始，包括eTT在內(nèi)各種頻率型號(hào)的512MB DDR2內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格據(jù)呈上升勢(shì)頭。在所有類型當(dāng)中，eTT壓低內(nèi)存升幅最大，達(dá)到16%。

　　一些業(yè)內(nèi)人士擔(dān)心DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)的價(jià)格反彈將會(huì)影響DRAM合同價(jià)格的調(diào)整。來(lái)自DRAM內(nèi)存廠商的消息稱現(xiàn)還沒(méi)有收到電腦廠商需求急劇變化的反饋，而來(lái)自內(nèi)存模組廠的消息稱，由于DRAM廠商拒絕為戴爾等電腦廠商提供更低的內(nèi)存報(bào)價(jià)是這次價(jià)格上升的主要原因?，F(xiàn)在，eTT內(nèi)存芯片1.35美金的價(jià)格已經(jīng)幾乎接近DRAM廠商的成本價(jià)。

　　DRAM廠商為了防止價(jià)格繼續(xù)下滑已經(jīng)降低了產(chǎn)量，這也是近期價(jià)格上揚(yáng)的原因之一。觀察各家DRAM廠商近期的生產(chǎn)計(jì)劃可以發(fā)現(xiàn)，所有廠家均降低了產(chǎn)量，因此到6月份在市場(chǎng)上應(yīng)該看到由此引起的價(jià)格變化。