劉忠立:證明中國半導(dǎo)體器件技術(shù)實力

    隨著信息產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，半導(dǎo)體器件和集成電路事業(yè)恰逢東風(fēng)，日新月異。我國在該領(lǐng)域的研究逐步邁入世界先進(jìn)行列，具有一定的發(fā)展優(yōu)勢及規(guī)模。劉忠立教授作為國內(nèi)該學(xué)科研究的領(lǐng)軍人物之一，為半導(dǎo)體器件技術(shù)的國產(chǎn)化做出了卓越的貢獻(xiàn)。 
　　
    劉忠立畢業(yè)于清華大學(xué)無線電電子學(xué)系半導(dǎo)體材料及器件專業(yè)。歷任中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所微電子研究及發(fā)展中心主任、傳感技術(shù)國家重點(diǎn)實驗室副主任?，F(xiàn)任中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員、博士生導(dǎo)師、創(chuàng)新重大項目“特種半導(dǎo)體器件及電路”負(fù)責(zé)人；兼任傳感技術(shù)國家重點(diǎn)實驗室學(xué)術(shù)委員會委員、973國家重大基礎(chǔ)研究項目“面向功能重組結(jié)構(gòu)的DSP&CPU芯片及其軟件的基礎(chǔ)研究”專家委員會委員、中國電子學(xué)會核輻射電磁脈沖專委會委員、中國電子學(xué)會半導(dǎo)體與集成技術(shù)分會ICCAD專委會委員、科技部經(jīng)濟(jì)專家委員會專家、中國國際工程咨詢公司項目評估專家等職。這成串的職位背后蘊(yùn)涵著劉忠立無盡的拼搏與奮進(jìn)。 

　　上世紀(jì)60年代中期，劉忠立和研究小組成員沖破重重障礙，試制成功MOSFET及低噪音JFET等器件，其后，在國內(nèi)率先建立了鈍化柵Si02中鈉離子的PSG(磷硅玻璃)方法、摻HCL高質(zhì)量柵Si02生長等多項新工藝。由他主持的CMOS指針式電子手表電路研究，榮獲北京市科技二等獎。 

　　創(chuàng)新的理念激勵著他不斷前進(jìn)，1980-1982年，他作為訪問學(xué)者在德國多特蒙德大學(xué)電子系從事新CMOS器件研究，首創(chuàng)性地提出并負(fù)責(zé)完成離子注入氮形成隱埋Si3N4的CMOS／SOI研究課題，得到國際同行的認(rèn)可。劉忠立憑借他精湛的專業(yè)理論知識，先進(jìn)的創(chuàng)造性思維觀念，以及他特有的執(zhí)著與頑強(qiáng)向世人證明了中國半導(dǎo)體器件事業(yè)的發(fā)展實力?；貒笏滞度氲娇馆椛銫MOS／SOS集成電路研究中，使CMOS／SOS電路的抗輻射指標(biāo)達(dá)到國際上相應(yīng)電路的最好水平，獲中科院科技進(jìn)步二等獎。1987年承擔(dān)東Ⅱ(甲)長壽命衛(wèi)星5個品種抗輻射CMOS／SOS電路研制，發(fā)明的專利填補(bǔ)了國內(nèi)空白，被中科院授予科技進(jìn)步二等獎。 

　　1990-1991年受聘于德國著名的HMI研究所從事MOS器件抗輻射研究，成果顯著。在此期間完成專著一本，被高校選作參考教材。1992年負(fù)責(zé)的抗輻射加固COMS/SOS電路研制工作順利完成，標(biāo)志這一高難度技術(shù)在我國進(jìn)入成熟及實用階段。突出的成績使他榮獲光華基金個人二等獎。 

　　“八五”及“九五”期間，他負(fù)責(zé)多項國家重大預(yù)研課題，均已通過驗收。同中科院微電子所合作完成64K抗輻射CMOS／SOISRAM院重點(diǎn)創(chuàng)新項目，目前正在開展更大規(guī)模的同類電路研究。同時，他繼續(xù)開展SiGe／SOS、SiGe／SOIRF及寬帶隙（SiC）等器件研究，已取得國內(nèi)一流的研究成果，研制成高反壓SiC二極管、SiC肖特基二極管、SiCMOS管等。出色的科研工作使劉忠立研究員在國內(nèi)建立了一個抗輻射CMOS/SOS及CMOS/SOI研究基地，培養(yǎng)了眾多科研領(lǐng)域的中堅力量。多年來，他把自己的創(chuàng)造性思維與研究心得凝結(jié)成文字，發(fā)表著作多部，重要論文80余篇。 

　　獲得的榮耀激勵著劉忠立教授一如既往的在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域不斷開拓進(jìn)取。