東芝推出采用56nm工藝的16Gb NAND閃存

 

　　東芝宣布即將推出和美國SanDisk公司共同開發(fā)的采用最先進５６ｎｍ＊1工藝的１６Gb（２gigabyte）、８Gb（１gigabyte）的ＮＡＮＤ閃存。１６Gb是單芯片的業(yè)內(nèi)最大容量＊2。

　　東芝從本月開始量產(chǎn)目前市場上主流的８GbNAND閃存，同時也計劃從今年第二季度的早期開始量產(chǎn)１６GbNAND閃存。繼去年底開始出廠開發(fā)樣品后，今天開始將陸續(xù)出廠產(chǎn)品樣品。

　　本次新產(chǎn)品采用多值單元（MLC）技術(shù)和改進的編程效率，實現(xiàn)了高容量和高寫入性能。采用56nm工藝，實現(xiàn)了上一代產(chǎn)品（8Gb 70nm工藝）2倍的NAND閃存業(yè)內(nèi)單芯片最大容量＊2的1６Gb產(chǎn)品。而且一次處理的數(shù)據(jù)（頁面）達到數(shù)倍增長，寫入速度也達到了以往MLC產(chǎn)品2倍＊3的１０MB/秒，同時實現(xiàn)了大容量化和高速化。

　　東芝公司今后將繼續(xù)微細加工、多值化的新技術(shù)開發(fā)，同時也將不斷增強設(shè)備、改善生產(chǎn)效率，確保滿足NAND閃存市場需求的供應(yīng)能力和成本競爭力。