相變內存成為研發(fā)熱點 趕超FeRAM與MRAM

　　相變內存(Phase Change Memory，PCM)是近年來內存業(yè)界熱門研發(fā)主題之一，針對此一新式內存技術發(fā)展趨勢與廠商專利現況，工研院IEK-ITIS計劃發(fā)表最新研究報告指出，臺灣地區(qū)已有不少廠商投入該技術的研發(fā)，相較于FeRAM與MRAM，在PCM領域發(fā)展機會較大。  

　　工研院IEK-ITIS計劃分析師陳俊儒表示，相變化材料在1970年代開始有重量級的公司投入研究資源，但受限于當時半導體工藝技術，相變化材料在2000年以前的商業(yè)應用還是以光盤片為主；直到2000年后，相變化材料制作的相變內存無論是在專利布局、芯片試產及學術論文上開始有優(yōu)異的表現。  

　　其中一家PCM廠商Ovonyx于1999年成立，將其PCM發(fā)展策略設定在智財(Intellectual Property，IP)商業(yè)模式，提供技術以推動PCM進入內存市場。陳俊儒指出，目前Ovonyx擁有的他國專利申請數量是全球最多，美國專利數第二(僅次于Micron)，還獲得Intel的投資，以及授權給ST、Elpida、Samsung及Qimonda等半導體大廠。  

　　投資Ovonyx的廠商Intel還準備推出128Mb PCM樣品，并計劃在2007年下半年采用90納米技術進行量產。陳俊儒表示，這種稱為Alverstone的產品是Intel的首款PCM產品，是與NOR Flash兼容的替代產品。Intel技術長Justin Rattner并曾指出，Intel的理想目標是讓128Mb PCM成為NOR Flash閃存的替代品，而該公司將持續(xù)最佳化PCM的量產工藝。  

　　Ovonyx的授權廠商Samsung也將開始供應PCM的評估測試樣品，該公司目前向多家大型手機廠商提供的是256Mb和512Mb的90nm產品。為了準備2008年上半年的量產，該公司還計劃在2007年第2季和2007年年底，分別開始供應工程樣品和商用樣品。  

　　陳俊儒表示，Samsung是從2006年下半年開始量產90nm工藝NOR Flash，落后于同期開始量產65nm產品的Intel。為此，Samsung希望以替代NOR Flash為目的，盡早創(chuàng)造出PCM被采用的實際業(yè)績，以便在與其它公司的競爭中占據領先地位。  

　　根據ITRS預測，PCM的Cell Size于2011年將小于NOR Flash，未來可望大規(guī)模取代NOR Flash市場(營收約72億美元)，未來市場潛力較FeRAM和MRAM大。陳俊儒表示，目前先進廠商投入PCM的研發(fā)較晚，臺灣地區(qū)廠商投入PCM研發(fā)者，相較于FeRAM與MRAM反而來的多，多屬于DRAM揮發(fā)性內存廠商。  

　　因此陳俊儒認為，臺灣地區(qū)廠商若是未來計劃大規(guī)模切入非揮發(fā)性內存市場，相較于FeRAM與MRAM，投入PCM研發(fā)是比較有機會的。