爾必達內(nèi)存07財年第三季度結(jié)算時隔兩年出現(xiàn)赤字

爾必達內(nèi)存2008年1月29日發(fā)布了07財年第三季度（2007年10～12月）季報。銷售額比上年同期減少34.1％、降至940億4700萬日元，營業(yè)虧損為89億4000萬日元，自05財年第2季度以來，時隔兩年再次出現(xiàn)赤字。

陷入赤字的原因是在DRAM價格下降的環(huán)境下，爾必達內(nèi)存處于產(chǎn)能擴充階段，成本沒有能夠降低。DRAM的現(xiàn)貨價格方面，07財年第四季度DDR2方式的1Gbit產(chǎn)品下降了48％。目前，下跌趨勢稍有停止，1月28日的價格為2.22美元，不過若價格得不到恢復，估計07財年第四季度（2008年1～3月）“赤字將進一步擴大”（該公司）。

雖然情況較為嚴峻，但該公司代表董事兼CEO的坂本幸雄表示“當前的形勢反而是有利的”。這是因為在成本競爭中跟不上步伐的其他競爭企業(yè)很可能被淘汰。“其他競爭企業(yè)不僅開始減少200mm生產(chǎn)線、甚至減少了300mm生產(chǎn)線的產(chǎn)量。這一減產(chǎn)將使08財年第一季度（4～6月）的1Gbit產(chǎn)品價格恢復到3.5～4美元。本公司將靠這一價格獲得充足的利潤。相反，靠這一價格無法獲利的企業(yè)將難以生存”（坂本幸雄）。

爾必達08財年的設備投資預定為1000億日元左右。具體分配為，面向爾必達內(nèi)存的投資占60％，面向與臺灣力晶半導體（PSC）的生產(chǎn)合資公司瑞晶電子（Rexchip Electronics）的占40％。廣島工廠不打算將產(chǎn)能提高至10萬枚/月以上，而是盡早向50nm工藝過渡。65nm產(chǎn)品已于08年1月開始量產(chǎn)，不過產(chǎn)量控制在1萬枚/月。50nm產(chǎn)品將于08財年第三季度（10～12月）完成開發(fā)，08財年第四季度（09年1～3月）開始量產(chǎn)。50nm產(chǎn)品配合使用了液浸曝光技術和銅布線技術。該公司希望通過在65nm產(chǎn)品上先行引進銅布線技術，盡早地確立50nm技術。瑞晶預定08年3月將“R1工廠”的最大產(chǎn)能提高至7萬枚/月。R1工廠一半的產(chǎn)能（3萬5000枚/月）將于08年9月之前轉(zhuǎn)為65nm工藝。另一半直接轉(zhuǎn)為50nm工藝。