傳感器/ASIC集成縮小電流變送器體積
電力電子的發(fā)展趨勢與其他電子領(lǐng)域的發(fā)展趨勢沒有什么不同——更大規(guī)模集成加降低元件數(shù)量。但是,由于電力電子系統(tǒng)中存在散熱器、磁性元件與線圈等元件,使高水平集成更加困難。微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)已在檢測系統(tǒng)得到應(yīng)用,并可能應(yīng)用于系統(tǒng)的其他部分。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/83627.htm傳統(tǒng)的電流變送器不適合于家電產(chǎn)品和空調(diào)系統(tǒng)市場,因?yàn)樗鼈凅w積太大、價(jià)格高昂。而一種成本較低、體積較小的變送器則使得測量這些系統(tǒng)的電流成為可能,唯一受到的限制是漏電、間隙和絕緣等級等外界因素。
用于LEM自己的LTS電流變送器的應(yīng)用定制集成電路(ASIC)采用一個(gè)尺寸僅有22.2mm(長)×10mm(寬)×24mm(高)的 PCB安裝封裝,實(shí)現(xiàn)了這種霍爾效應(yīng)閉環(huán)變送器。然后,LEM又開發(fā)了使用霍爾效應(yīng)開環(huán)技術(shù)的ASIC,誕生了一系列范圍廣泛的變送器產(chǎn)品,最小型號的尺寸只有18.7mm(長)× 16.7mm(寬)×10.7mm(高)。
這些ASIC集成了電流變送器所需要的電路(場檢測元件,全部有源電子元件,如放大器、晶體管、二極管、齊納管、電壓基準(zhǔn)等)。某些部分采用了專門的硅技術(shù)以改進(jìn)性能,如偏置漂移和增益漂移。磁性電路元件與外殼仍與ASIC分開。
微型化接下來的步驟是將這些余下的磁芯元件集成到ASIC封裝中。
Minisens/FHS可將一個(gè)待測電流的磁場轉(zhuǎn)換為一個(gè)電壓輸出。這個(gè)“初級”電流流經(jīng)一根電纜或PCB走線(此電纜或PCB走線位于IC旁但與IC電氣隔離)。IC中的霍爾效應(yīng)器件測量磁場,這個(gè)磁場通過一個(gè)放置在IC頂部的磁通會聚器,聚焦在霍爾元件部位。
會聚器的形狀對某些方面作了優(yōu)化,包括測量普通PCB電流水平時(shí)會遇到的磁場靈敏度(增益)以及線性度。
會聚器提供系數(shù)約為8的無噪聲增益。霍爾元件的輸出通過自旋技術(shù)作上變頻,這樣既可以探測到小磁場,又不會有偏移或1/f噪聲問題。IC對初級電流磁場的靈敏度最高為600mV/mT。
這就是霍爾效應(yīng)開環(huán)技術(shù)的基本工作原理,而所有這些均集成在一只小型IC封裝中。
探測的電流可以為正,也可以為負(fù)。通過檢測磁場的極性,產(chǎn)生一個(gè)正電壓輸出或負(fù)電壓輸出,該輸出相當(dāng)于由無磁場時(shí)初始偏移所確定的基準(zhǔn)電壓。標(biāo)準(zhǔn)的初始偏移為2.5V(內(nèi)部基準(zhǔn))。用戶可以指定一個(gè)2~2.8V之間的外部基準(zhǔn)。
Minisens最普通的用法是將其放在一個(gè)PCB走線上方,該走線承載著需要測量的電流。為優(yōu)化變送器的功能,需要在走線的尺寸上應(yīng)用一些簡單的規(guī)則。通過改變PCB和走線結(jié)構(gòu),可以測量2~100A之間的電流。一種可行的方法是將IC直接放在某根PCB走線上。我們將這種方式叫“設(shè)計(jì) 1”見圖1。
圖1 一種可行的PCB設(shè)計(jì):走線位于Minisens的正下方
在這種方式中,PCB板用于隔離,可測量的電流大小為2~20A。
將變送器放在電路板的另一面,但仍然直接跨在走線上,這樣可以改善絕緣性能。電路板的厚度及走線本身都會影響靈敏度,因?yàn)樗鼈兌贾苯佑绊懼鴻z測元件(位于IC內(nèi)部)與初級導(dǎo)體之間的距離。值得注意的是,較窄走線的靈敏度更高。不過,走線越窄,溫度升得也越快。
走線的溫升決定了可以連續(xù)施加的最大安全電流值。采用變寬度走線可以獲得靈敏度與走線溫升的最佳組合。銅的溫度受限于PCB材料的玻璃轉(zhuǎn)變溫度(135℃),而Minisens的最大工作溫度為125℃。出于安全邊際考慮,最好讓走線工作在低于115℃的溫度下(UL建議不超過100℃)。為維持這些溫度水平,走線的寬度、厚度和形狀都非常重要。
對于小電流(低于10A),建議用初級走線做幾個(gè)圈,以增加初級電流產(chǎn)生的磁場。對單根走線,Minisens周圍走線的寬度最好大于其下方的走線寬度(以降低溫升)。我們將這種設(shè)計(jì)叫做“多圈”。
舉例來說,可以采用四圈設(shè)計(jì)如圖2所示,Minisens位于PCB的反面,這是一種高絕緣度的結(jié)構(gòu)。另一種增加靈敏度的方法是使用較窄的走線。
圖2 四圈走線設(shè)計(jì)/高絕緣度結(jié)構(gòu)
高絕緣性來自于經(jīng)改善的爬電間距與隔離間距,因?yàn)槌跫墝?dǎo)體(四圈走線)位于低壓電子元件所在PCB板的反面。這種情況下,確保兩種距離都為8mm(PCB的特性:1.6mm/70μm Cu)(走線寬度:Minisens下為0.78mm,其他地方為3mm)。
采用這種設(shè)計(jì),在85℃環(huán)境溫度下,可以測量5A的額定初級電流(條件:自然通風(fēng),30℃走線溫升)。測量范圍為±15A,靈敏度為130mV/A,對15A電流輸出產(chǎn)生2V電壓。
用其他技術(shù)可以進(jìn)一步增加靈敏度,如在Minisens上方用一個(gè)“跳線”與PCB走線構(gòu)成一個(gè)回路,或在不同PCB層之間實(shí)現(xiàn)多個(gè)圈。測量較大電流時(shí),可以將變送器定位于距初級導(dǎo)體較遠(yuǎn)的地方。
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