凌力爾特推出100V高端/低端N溝道高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器

　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高頻、高輸入電源電壓 (100V) MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC4446，用來(lái)驅(qū)動(dòng)雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器中的高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這個(gè)驅(qū)動(dòng)器與功率 MOSFET 和一個(gè)凌力爾特公司的 DC/DC 控制器一起，可組成一個(gè)完整的高效率雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器，或者可以配置為快速動(dòng)作的高壓 DC 開(kāi)關(guān)。

　　這個(gè)強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)器以 1.2Ω 下拉阻抗驅(qū)動(dòng)高端 MOSFET 時(shí)可以提供高達(dá) 2.5A 的電流，而以 0.55Ω 下拉阻抗驅(qū)動(dòng)同步 MOSFET 時(shí)可提供 3A 的電流，從而非常適用于驅(qū)動(dòng)高柵極電容、大電流 MOSFET。LTC4446 還可以為較大電流應(yīng)用驅(qū)動(dòng)多個(gè)并聯(lián) MOSFET。當(dāng)驅(qū)動(dòng)一個(gè) 1000pF 負(fù)載時(shí)，高端 MOSFET 的快速 8ns 上升時(shí)間和 5ns 下降時(shí)間、以及低端 MOSFET 的 6ns 上升時(shí)間和 3ns 下降時(shí)間最大限度地減小了開(kāi)關(guān)損耗。

　　LTC4446 配置為使用兩個(gè)不受電源影響的輸入。高端輸入邏輯信號(hào)在內(nèi)部將電平移位至自舉電源，在比地電平高 114V 時(shí)還可以工作。另外，該器件在 7.2V 至 13.5V 的電壓范圍內(nèi)同時(shí)驅(qū)動(dòng)高端和低端 MOSFET 柵極。

　　LTC4446EMS8 和 LTC4446IMS8 采用耐熱增強(qiáng)型 MSOP-8 封裝，以 1000 片為單位批量購(gòu)買(mǎi)，每片價(jià)格為 1.69 美元。

照片說(shuō)明：100V 高端/低端 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器

　　性能概要：LTC4446
　　　•高端/低端 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器
　　　•最高電源電壓為 100V
　　　•非常適用于雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器
　　　•高壓開(kāi)關(guān)應(yīng)用
　　　•大驅(qū)動(dòng)電流：在下拉阻抗為 0.55Ω 時(shí)提供 3A 電流
　　　•7.2V 至 13.5V 的柵極驅(qū)動(dòng)電壓
　　　•高端柵極：驅(qū)動(dòng) 1000pF 負(fù)載時(shí)上升時(shí)間為 8ns，下降時(shí)間為 5ns
　　　•低端柵極：驅(qū)動(dòng) 1000pF 負(fù)載時(shí)上升時(shí)間為 6ns，下降時(shí)間為 3ns
　　　•為柵極驅(qū)動(dòng)電壓提供欠壓閉鎖
　　　•耐熱增強(qiáng)型 MSOP-8 封裝