美硅谷公司開發(fā)出數(shù)據(jù)存儲新技術(shù) 有望取代NAND閃存
美國硅谷一家公司19日宣布開發(fā)出一種新技術(shù),并計劃利用它來制造比閃存容量更大、讀寫速度更快的新型存儲器。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/94596.htm這家名為“統(tǒng)一半導體”的公司發(fā)布新聞公報說,新型存儲器的單位存儲密度有望達到現(xiàn)有NAND型閃存芯片的4倍,存儲數(shù)據(jù)的速度有可能達到后者的5倍到10倍。
NAND型閃存因為存儲容量大等特點,目前在數(shù)碼產(chǎn)品中應用比較廣泛。但也有一些專家認為,NAND型閃存未來可能遭遇物理極限,容量將無法再進一步提高。“統(tǒng)一半導體”表示,其制造的新型存儲器旨在充當閃存的替代品和“接班人”。
該公司介紹說,新技術(shù)主要基于帶電離子在特定材料之間的運動來實現(xiàn)信息的存儲,其存儲單元不像閃存需要采用晶體管,因此在存儲密度等方面比閃存更有優(yōu)勢。
“統(tǒng)一半導體”是一家創(chuàng)業(yè)公司,2002年創(chuàng)立至今共獲得約7500萬美元風險投資。它計劃于2010年下半年試生產(chǎn)容量達64G的新型存儲器,并打算2011年第二季度將其投入量產(chǎn)。
一些業(yè)內(nèi)人士認為,新產(chǎn)品能否在價格上真正具有競爭力,將是“統(tǒng)一半導體”需要面對的考驗之一。此前也有公司嘗試推出NAND型閃存的替代產(chǎn)品,但都未能解決成本過高的問題。
電容式觸摸屏相關(guān)文章:電容式觸摸屏原理
評論