英特爾發(fā)明半導體材料 處理器功耗望降90%

　　近日，英特爾對外透露該公司旗下實驗室的全新研究結果，該項成果可使處理器減低所需功耗，未來的處理器耗電量甚至可以是當今處理器的十分之一，而性能與體積不僅不會停止不前，還會大幅度的前進。而這項研究的對象則被英特爾稱之為“P Channel與N-Channel半導體組合協(xié)作”課題.

 

　　P Channel與N-Channel半導體組合協(xié)作技術的晶圓樣品

　　在英特爾最新的研究報告中透露了有關P-ChannelTransistor的資料，這是一種復合半導體，也稱為III-V物料，因為它就是硅晶體周期表的列于第四周期表中，據(jù)研究指出它擁有極高的效率及極低電阻的物理特征。而英特爾早前透露的采用III-V物料的N-ChannelTranistsor，同樣將會使用在處理器制程技術上。

　　據(jù)英特爾指出，當P-ChannelTransistor及N-ChannelTransistor復合應用后，所制造出的CMOS邏輯芯片比傳統(tǒng)物料可減低一半的電壓，而且功耗更可降低至口金只有十分之一。此研發(fā)創(chuàng)新技術將會應用于未來一段時間內的處理器量產工作。而該項技術帶來的好處則是顯而易見的：首先，該技術可將處理器效率進一

　　步提高;其次，容許更復雜的處理器內核設計及減低了因功耗而出現(xiàn)的散熱問題;最后，采用該類處理器的筆記本機身體積還可進一步縮少。

　　當前，英特爾已開始進行試驗上述半導體材料大量生產的可能性，希望可以在未來一至兩年內將該項技術應用于實際生產中。