英特爾發(fā)明半導(dǎo)體材料 處理器功耗望降90%
近日,英特爾對(duì)外透露該公司旗下實(shí)驗(yàn)室的全新研究結(jié)果,該項(xiàng)成果可使處理器減低所需功耗,未來(lái)的處理器耗電量甚至可以是當(dāng)今處理器的十分之一,而性能與體積不僅不會(huì)停止不前,還會(huì)大幅度的前進(jìn)。而這項(xiàng)研究的對(duì)象則被英特爾稱之為“P Channel與N-Channel半導(dǎo)體組合協(xié)作”課題.
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P Channel與N-Channel半導(dǎo)體組合協(xié)作技術(shù)的晶圓樣品
在英特爾最新的研究報(bào)告中透露了有關(guān)P-ChannelTransistor的資料,這是一種復(fù)合半導(dǎo)體,也稱為III-V物料,因?yàn)樗褪枪杈w周期表的列于第四周期表中,據(jù)研究指出它擁有極高的效率及極低電阻的物理特征。而英特爾早前透露的采用III-V物料的N-ChannelTranistsor,同樣將會(huì)使用在處理器制程技術(shù)上。
據(jù)英特爾指出,當(dāng)P-ChannelTransistor及N-ChannelTransistor復(fù)合應(yīng)用后,所制造出的CMOS邏輯芯片比傳統(tǒng)物料可減低一半的電壓,而且功耗更可降低至口金只有十分之一。此研發(fā)創(chuàng)新技術(shù)將會(huì)應(yīng)用于未來(lái)一段時(shí)間內(nèi)的處理器量產(chǎn)工作。而該項(xiàng)技術(shù)帶來(lái)的好處則是顯而易見(jiàn)的:首先,該技術(shù)可將處理器效率進(jìn)一
步提高;其次,容許更復(fù)雜的處理器內(nèi)核設(shè)計(jì)及減低了因功耗而出現(xiàn)的散熱問(wèn)題;最后,采用該類處理器的筆記本機(jī)身體積還可進(jìn)一步縮少。
當(dāng)前,英特爾已開(kāi)始進(jìn)行試驗(yàn)上述半導(dǎo)體材料大量生產(chǎn)的可能性,希望可以在未來(lái)一至兩年內(nèi)將該項(xiàng)技術(shù)應(yīng)用于實(shí)際生產(chǎn)中。
評(píng)論