中芯國際攜手常憶推出0.18微米嵌入式閃存工藝技術

　　中芯國際集成電路制造有限公司(“中芯國際”),世界領先的集成電路制造公司之一，與領先的非易失性內(nèi)存產(chǎn)品和 IP 供應商常憶科技今日共同宣布，已成功推出中芯國際0.18微米嵌入式閃存工藝技術和 IP 組合包。

　　基于常憶科技第三代 2T PMOS flash (pFLASH(TM)) 單元結構專利，中芯國際的0.18微米嵌入式快閃記憶體工藝，是芯片代工領先業(yè)者和嵌入式非揮發(fā)性記憶體專業(yè)廠商緊密合作的成果，現(xiàn)已全面通過認證并即將批量生產(chǎn)。這一工藝技術可為客戶提供高性能，符合成本效益的非揮發(fā)性記憶體解決方案，具有高耐性(多達100K 的周期)和數(shù)據(jù)保存長久(可達10年)的優(yōu)勢，已通過品質驗證并達成高良率目標。

　　憑借其低功耗，面積小，配置靈活的優(yōu)點，0.18微米嵌入式快閃記憶體工藝對客戶極具吸引力，可參與廣泛的應用，如微控制器，USB 鑰匙，智能卡，以及快速成長的汽車電子應用?？蛻艨蓪?.18微米技術作為一個起點，如已用更大的技術節(jié)點生產(chǎn)，也可快速切入該先進技術進行設計 。

　　“由于潛在的市場規(guī)模及廣泛的應用，尤其是在中國，0.18微米嵌入式閃存工藝技術的推出具有重要意義。”中芯國際市場及業(yè)務中資深副總裁陳秋峰博士表示，“作為全球領先的代工廠商，中芯國際可提供嵌入式閃存和 EEPROM 技術以充分滿足我們客戶的需求。”

　　“這項先進的新技術能使客戶開發(fā)出高性能的產(chǎn)品并取得顯著的成本效益”，常憶科技總裁兼首席執(zhí)行官王筱瑜表示。“我們很高興與中芯國際合作，在如此短的時間內(nèi)成功建立了第三代 pFLASH 平臺。”