英特爾美光聯(lián)合推出34納米閃存芯片

　　英特爾和美光科技周二發(fā)布了用于閃存卡和優(yōu)盤的高數(shù)據(jù)容量閃存技術。這兩家公司稱，他們已經開發(fā)出了基于34納米技術的NAND閃存芯片，存儲容量為每個儲存單元3比特。這個存儲密度高于目前標準的每個存儲單元2比特的技術，從而將實現(xiàn)高容量的優(yōu)盤。

　　美光NAND閃存營銷經理Kevin Kilbuck說，雖然在一個存儲單元加入更多比特的數(shù)據(jù)能夠提供更大的數(shù)據(jù)密度，但是，這種做法沒有基于更標準的技術的閃存那樣可靠。因此，每個儲存單元3比特的芯片最初將僅限于應用到優(yōu)盤。優(yōu)盤沒有要求固態(tài)硬盤的那種數(shù)據(jù)存儲可靠性。固態(tài)硬盤一般用于筆記本電腦和服務器的主要存儲設備。

　　半導體市場研究公司Objective Analysis的分析師Jim Handy在本周二發(fā)表的研究報告中說，這種芯片不適合所有的市場。這兩家公司解釋說，在他們有信心把這種芯片應用于固態(tài)硬件之前，他們還需要更多的大批量生產的經驗。Handy說，固態(tài)硬盤用戶記錄數(shù)據(jù)的頻繁程度要超過為數(shù)碼相機購買優(yōu)盤的消費者。

　　Handy補充說，他預計英特爾-美光芯片到2010年將給三星電子和海力士/Numonyx等閃存市場的其它廠商帶來壓力，并且有可能比競爭對手獲得更多的利潤。

　　美光目前提供這種芯片的樣品，大批量生產將在今年第四季度。

　　SanDisk和東芝今年2月披露稱他們已經開發(fā)出每個儲存單元4比特的技術。這兩家公司稱這是閃存行業(yè)存儲容量最大的閃存技術。