內(nèi)存瘋閃存噴 存儲業(yè)界漲勢深度分析

　　臺灣DRAM廠中，原本僅有隸屬美光聯(lián)盟的南科、華亞科有40納米布局藍圖，預計透過共同研發(fā)方式，明年底導入。南韓內(nèi)存制造商Hynix. 12日宣布，將開始量產(chǎn)一款采54納米制程技術的1GB DDR3 DRAM，其耗電量將節(jié)省30%，運算速度則較DDR2增加近1倍。Hynix表示，該公司計劃將能源節(jié)省技術應用于未來推出的產(chǎn)品，包括即將在本季稍晚量產(chǎn)的44納米制程2GB DDR3。此外，Hynix并計劃在09年底前將DDR3產(chǎn)能比重由目前的30%提升至超過50%。

　　根據(jù)科技市調(diào)機構(gòu)iSuppli統(tǒng)計，1GB DDR3 DRAM占總體DDR3市場的比重目前已達87%。提升到先進的生產(chǎn)工藝，可以極大的減少生產(chǎn)成本，由此讓內(nèi)存產(chǎn)品更具價格競爭力。

　　勁永弄到錢了 私募4.75億元入賬

　　最近內(nèi)存業(yè)界有一件大事發(fā)生。內(nèi)存模組廠勁永完成私募案，除了同業(yè)威剛之外，包括NAND Flash設計公司聯(lián)陽、IC通路商益登、記憶卡封裝廠碩達等上下游同業(yè)紛紛力挺，而這次參與私募的伙伴因為聯(lián)電色彩濃厚，也引發(fā)市場關注。勁永這次私募共募得新臺幣4.75億元，趁現(xiàn)在記憶體產(chǎn)業(yè)開始復蘇，DRAM和NAND Flash價格上揚之際，募得資金已獲得下一波營運成長動能。

　　隨著DRAM和NAND Flash價格谷底翻揚，記憶體模組產(chǎn)業(yè)率先走出產(chǎn)業(yè)股底，2009年不但轉(zhuǎn)虧為盈，且獲利能力遠優(yōu)于上游記憶體制造廠，并趁著景氣好轉(zhuǎn)之際，積極進行籌資活動，其中勁永藉由此次私募，更是與威剛進行策略聯(lián)盟，這是繼威剛投資宇瞻后，再度出手投資模組同業(yè)。

　　勁永這次私募價為每股19.56元，共募得新臺幣4.75億元資金中，較受注目的參與者包括威剛、益登、聯(lián)陽和碩達。其中威剛認購6000萬元、益登認購 2000萬元、聯(lián)陽認購1000萬元、碩達認購750萬元，其他投資人包括兆豐國際商業(yè)銀行受托保管漢鼎亞太大中華成長基金投資專戶、香港上海匯豐銀行臺北分行受托保管EFG銀行投資專戶和華升創(chuàng)投等。

　　內(nèi)存廠商認為，由于勁永和威剛在記憶體產(chǎn)業(yè)中，DRAM和NAND Flash供應貨源都相當相近，皆與海力士、英特爾、力晶等大廠交好，這次威剛藉由私募方式投資勁永，未來有機會發(fā)揮聯(lián)合采購的優(yōu)勢，把握這波記憶產(chǎn)業(yè)的多頭行情，加上具聯(lián)電色彩的聯(lián)陽加入，勁永逐漸也冠上聯(lián)電色彩。勁永在DRAM和NAND Flash價格上揚，終端需求轉(zhuǎn)強下，第3季合并營收達55.63億元，較第2季33億元增加達70%，營運明顯走出谷底，加上策略性合作伙伴到位，公司對下半年營運相當有信心。

　　東芝轉(zhuǎn)虧為盈 臺商股指漲停

　　因成本刪減策略奏效、新興國家需求增加以及節(jié)能家電普及方案等政策措施效果顯現(xiàn)，拉抬數(shù)位家電及汽車銷售觸底走揚，激勵日本各制造業(yè)大廠陷入虧損的主要事業(yè)部門紛紛轉(zhuǎn)虧為盈。在業(yè)績獲得改善的事業(yè)中尤以半導體部門改善狀況最為明顯。其中，東芝旗下使用于可攜式音樂播放機、PC記憶媒體的NAND Flash部門因從年初到6月持續(xù)進行減產(chǎn)30%的措施，造成供需緊繃加上價格止跌，故已于今年Q3)轉(zhuǎn)虧為盈，較東芝原先預估于Q4轉(zhuǎn)盈的目標提早了一季達成。雖有日圓走高等不明因素存在，惟若個別部門營業(yè)獲利狀況持續(xù)獲得改善，則可望有效支撐力圖走向回復之路的制造業(yè)整體業(yè)績。

　　另一方面，DRAM現(xiàn)貨價在沖破2美元后，持續(xù)走高，力晶因子公司瑞晶率先轉(zhuǎn)盈而大漲，而華亞科本季也可望轉(zhuǎn)盈攻漲停。近日力晶反映旗下子公司瑞晶率先轉(zhuǎn)盈而大漲，而華亞科本季也可望轉(zhuǎn)虧為盈，隨下周三將率先召開法說會公布季報，近日買盤激增，止跌彈升，帶動類股表現(xiàn)強勢。