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臺積電不用當(dāng)盤子了?日本開發(fā)出更便宜EUV 撼動芯片業(yè)
- 荷商艾司摩爾(ASML)是半導(dǎo)體設(shè)備巨頭,臺積電等龍頭公司制造先進(jìn)芯片,都需采用ASML制造商生產(chǎn)的昂貴極紫外光曝光機(jī)(EUV),根據(jù)《Tom's Hardware》報(bào)導(dǎo),日本科學(xué)家已開發(fā)出簡化的EUV掃描儀,可以大幅降低芯片的生產(chǎn)成本。報(bào)導(dǎo)指出,沖繩科學(xué)技術(shù)學(xué)院(OIST)Tsumoru Shintake教授提出一種全新、大幅簡化的EUV曝光機(jī),相比ASML開發(fā)和制造的工具更便宜,如果該種設(shè)備大規(guī)模量產(chǎn),可能重塑芯片制造設(shè)備產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)況。值得關(guān)注的是,新系統(tǒng)在光學(xué)投影設(shè)定中只使用兩面鏡子,與傳統(tǒng)的
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ASML第二臺High-NA設(shè)備,即將導(dǎo)入英特爾奧勒岡廠
- 英特爾正接收ASML第二臺耗資3.5億歐元(約3.83億美元)的新High NA EUV設(shè)備。根據(jù)英特爾8/1財(cái)報(bào)電話會議紀(jì)錄,CEO Pat Gelsinger表示,英特爾12月開始接收第一臺大型設(shè)備,安裝時(shí)間需要數(shù)月,預(yù)計(jì)可帶來新一代更強(qiáng)大的電腦英文。Gelsinger在電話中指出,第二臺High NA設(shè)備即將進(jìn)入在奧勒岡州的廠房。由于英特爾財(cái)報(bào)會議后股價(jià)表現(xiàn)不佳,因此這番話并未引起注意。ASML高階主管7月曾表示,該公司已開始出貨第二臺High NA設(shè)備給一位未具名客戶,今年只記錄第一臺的收入。不過
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臺積電:仍在評估 High NA EUV 光刻機(jī),采用時(shí)間未定
- IT之家 7 月 30 日消息,《電子時(shí)報(bào)》昨日報(bào)道稱,臺積電最快在 2028 年推出的 A14P 制程中引入 High NA EUV 光刻技術(shù)。對此,臺積電海外營運(yùn)資深副總經(jīng)理暨副共同營運(yùn)長張曉強(qiáng)表示,仍在評估 High NA EUV 應(yīng)用于未來制程節(jié)點(diǎn)的成本效益與可擴(kuò)展性,目前采用時(shí)間未定。▲ ASML EXE:5000 High NA EUV 光刻機(jī),圖源:ASML上個月,ASML 透露將在 2024 年內(nèi)向臺積電交付首臺 High NA EUV 光刻機(jī),價(jià)值達(dá) 3.8
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中國大陸仍是ASML光刻機(jī)最大買家 占全球總銷售額49%
- 全球光刻機(jī)大廠ASML近日發(fā)布2024年第2季度財(cái)報(bào),實(shí)現(xiàn)凈銷售額62.4億歐元,同比下滑約7.6%,同比增長約18%,居于官方預(yù)測中間值。雖然半導(dǎo)體設(shè)備出口限制規(guī)定生效造成影響,但中國大陸需求持續(xù)旺盛,依然是ASML的第一大銷售市場,市占比依然高達(dá)49%,主要項(xiàng)目仍在未受限的DUV設(shè)備。 ASML總裁兼首席執(zhí)行官傅恪禮(Christophe Fouquet)表示,正如此前幾個季度,半導(dǎo)體行業(yè)的整體庫存水平持續(xù)得到改善。無論是邏輯芯片還是存儲芯片客戶,對光刻設(shè)備的利用率都在進(jìn)一步提高。宏觀環(huán)境為主的不確定
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ASML發(fā)布2024年第二季度財(cái)報(bào)
- 阿斯麥(ASML)今日發(fā)布2024年第二季度財(cái)報(bào)。2024年第二季度,ASML實(shí)現(xiàn)凈銷售額62億歐元,毛利率為51.5%,凈利潤達(dá)16億歐元。今年第二季度的新增訂單金額為56億歐元2,其中25億歐元為EUV光刻機(jī)訂單。ASML預(yù)計(jì)2024年第三季度的凈銷售額在67億至73億歐元之間,毛利率介于50%到51%。(1)累計(jì)裝機(jī)管理銷售額等于凈服務(wù)和升級方案 (field option) 銷售額的總和。(2)訂單包括所有的系統(tǒng)銷售訂單和通脹調(diào)整,且均經(jīng)過書面確認(rèn)。數(shù)字已經(jīng)四舍五入,方便讀者閱讀?;诿绹ㄓ脮?jì)
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ASML:中國廠商生產(chǎn)成熟制程芯片就行,世界需要
- 全球?qū)Τ墒熘瞥绦酒男枨笳诩眲∩仙鞣叫酒圃焐虒υ擃I(lǐng)域的投資不夠。
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不賣7nm等先進(jìn)光刻機(jī)!ASML:中國廠商生產(chǎn)“落后”制程芯片就行 世界需要
- 7月9日消息,據(jù)外媒報(bào)道稱,由于種種因素,ASML絕不能賣給中國廠商最先進(jìn)的光刻機(jī),但該公司CEO卻表示,世界需要中國生產(chǎn)的"傳統(tǒng)芯片"。ASML的CEO Christophe Fouquet接受采訪時(shí)表示,全球芯片買家,包括德國汽車工業(yè)在內(nèi),都迫切需要中國芯片制造商目前正大力投資的舊一代電腦芯片。根據(jù)行業(yè)組織SEMI的估計(jì),中國芯片制造商將在2025年將產(chǎn)能增加14%,是全球其他地區(qū)的兩倍以上,到2025年將達(dá)到每月1010萬片晶圓,占全球總產(chǎn)量的大約三分之一。"全球?qū)@類
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ASML前總裁稱"意識形態(tài)而非事實(shí)"助長中美芯片戰(zhàn)爭
- 荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備巨頭 ASML 為所有主要企業(yè)提供尖端光刻技術(shù)。該公司最近離職的首席執(zhí)行官剛剛分享了他對這一復(fù)雜地緣政治格局的見解。彼得-溫尼克(Peter Wennink)最近在接受荷蘭 BNR 電臺采訪時(shí),對美國針對中國芯片產(chǎn)業(yè)的貿(mào)易限制毫不諱言。在執(zhí)掌 ASML 十年之后于今年四月卸任的溫尼克聲稱,這類討論不是基于事實(shí)、內(nèi)容、數(shù)字或數(shù)據(jù),而是基于意識形態(tài)。在溫尼克的領(lǐng)導(dǎo)下,ASML 逐漸成為歐洲最大的科技公司。隨著中國政府加倍努力實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體自給自足,中國成為繼臺灣之后 ASML 的第二大市
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ASML或?qū)yper-NA EUV光刻機(jī)定價(jià)翻倍,讓臺積電、三星和英特爾猶豫不決
- ASML去年末向英特爾交付了業(yè)界首臺High-NA EUV光刻機(jī),業(yè)界準(zhǔn)備從EUV邁入High-NA EUV時(shí)代。不過ASML已經(jīng)開始對下一代Hyper-NA EUV技術(shù)進(jìn)行研究,尋找合適的解決方案,計(jì)劃在2030年左右提供新一代Hyper-NA EUV光刻機(jī)。據(jù)Trendforce報(bào)道,Hyper-NA EUV光刻機(jī)的價(jià)格預(yù)計(jì)達(dá)到驚人的7.24億美元,甚至可能會更高。目前每臺EUV光刻機(jī)的價(jià)格約為1.81億美元,High-NA EUV光刻機(jī)的價(jià)格大概為3.8億美元,是EUV光刻機(jī)的兩倍多
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臺積電EUV大舉拉貨 供應(yīng)鏈集體狂歡
- 臺積電2納米先進(jìn)制程產(chǎn)能將于2025年量產(chǎn),設(shè)備廠正如火如荼交機(jī),尤以先進(jìn)制程所用之EUV(極紫外光曝光機(jī))至為關(guān)鍵,今明兩年共將交付超過60臺EUV,總投資金額上看超過4,000億元。在產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)充之下,ASML2025年交付數(shù)量成長將超過3成,臺廠供應(yīng)鏈沾光,其中家登積極與ASML攜手投入次世代High-NA EUV研發(fā),另外帆宣、意德士、公準(zhǔn)、京鼎及翔名等有望同步受惠。 設(shè)備業(yè)者透露,EUV機(jī)臺供應(yīng)吃緊,交期長達(dá)16至20個月,因此2024年訂單大部分會于后年開始交付;據(jù)法人估計(jì),今年臺積電EUV訂
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三井化學(xué)將量產(chǎn)光刻薄膜新品,支持ASML下一代光刻機(jī)
- 日前,日本三井化學(xué)宣布將在其巖國大竹工廠設(shè)立碳納米管 (CNT) 薄膜生產(chǎn)線,開始量產(chǎn)半導(dǎo)體最尖端光刻機(jī)的零部件產(chǎn)品(保護(hù)半導(dǎo)體電路原版的薄膜材料“Pellicle”的新一代產(chǎn)品)。據(jù)悉,此種CNT薄膜可以實(shí)現(xiàn)92%以上的高EUV透射率和超過1kW曝光輸出功率的光阻能力。三井化學(xué)預(yù)期年產(chǎn)能力為5000張,生產(chǎn)線預(yù)計(jì)于2025年12月完工,可為ASML將推出的下一代高數(shù)值孔徑、高輸出EUV光刻機(jī)提供支持。
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可量產(chǎn)0.2nm工藝!ASML公布Hyper NA EUV光刻機(jī):死胡同不遠(yuǎn)了
- 6月16日消息,ASML去年底向Intel交付了全球第一臺High NA EUV極紫外光刻機(jī),同時(shí)正在研究更強(qiáng)大的Hyper NA EUV光刻機(jī),預(yù)計(jì)可將半導(dǎo)體工藝推進(jìn)到0.2nm左右,也就是2埃米。ASML第一代Low NA EUV光刻機(jī)孔徑數(shù)值只有0.33,對應(yīng)產(chǎn)品命名NXE系列,包括已有的3400B/C、3600D、3800E,以及未來的4000F、4200G、4X00。該系列預(yù)計(jì)到2025年可以量產(chǎn)2nm,再往后就得加入多重曝光,預(yù)計(jì)到2027年能實(shí)現(xiàn)1.4nm的量產(chǎn)。High NA光刻機(jī)升級到了
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