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向小功率和大功率延伸三菱電機(jī)五大新品看點(diǎn)

在產(chǎn)業(yè)電子化升級(jí)過程中，作為電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)元器件之一的功率半導(dǎo)體器件越來越得到重視與應(yīng)用。而中國(guó)作為需求大國(guó)，已經(jīng)占有約39％的市場(chǎng)份額，在中國(guó)制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的關(guān)鍵時(shí)期，對(duì)功率半導(dǎo)體器件的需求將會(huì)越來越大。自上世紀(jì)80年代起，功率半導(dǎo)體器件MOSFET、IGBT和功率集成電路逐步成為了主流應(yīng)用類型。其中IGBT經(jīng)歷了器件縱向結(jié)構(gòu)、柵極結(jié)構(gòu)以及硅片加工工藝等7次技術(shù)演進(jìn)，目前可承受電壓能力達(dá)到6500V，并且實(shí)現(xiàn)了高功率密度化。在此背景下，6月26-28日，PCIM亞洲展2019將在在上海世博展覽館舉行，三
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IGBT場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理及檢測(cè)方法

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又稱絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,因此,可以把其看作是MOS輸入的達(dá)林頓管。它融合了MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)，具備易于驅(qū)動(dòng)、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開關(guān)頻率高 (10-40 kHz) 等特點(diǎn)，已逐步取代晶閘管和GTO（門極可關(guān)斷晶閘管），是目前發(fā)展最為迅速的新一代電
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更換老化的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器

電機(jī)用于電梯、食品加工設(shè)備、工廠自動(dòng)化、機(jī)器人、起重機(jī)……這樣的例子不勝枚舉。交流感應(yīng)電機(jī)在這種應(yīng)用中很常見，且總是通過用于電源級(jí)的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）來實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)。典型的總線電壓為200 VDC至1,000 VDC。IGBT采用電子換向，以實(shí)現(xiàn)交流感應(yīng)電機(jī)所需的正弦電流。在設(shè)計(jì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器時(shí)，保護(hù)操作重型機(jī)械的人員免受電擊是首要考慮因素，其次應(yīng)考慮效率、尺寸和成本因素。雖然IGBT可處理驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的高電壓和電流，但它們不提供防止電擊的安全隔離。在系統(tǒng)中提供安全隔離的重要任務(wù)由驅(qū)動(dòng)IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)
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安森美半導(dǎo)體基于SiC的混合IGBT 和隔離型大電流IGBT門極驅(qū)動(dòng)器將在歐洲PCIM 2019推出

2019年4月30日 — 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)，將于5月7日開始的德國(guó)紐倫堡歐洲PCIM 2019展會(huì)推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相關(guān)的隔離型大電流IGBT門極驅(qū)動(dòng)器。AFGHL50T65SQDC采用最新的場(chǎng)截止IGBT和SiC肖特基二極管技術(shù)，提供低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，用于多方面的電源應(yīng)用，包括那些將得益于更低反向恢復(fù)損耗的應(yīng)用，如基于圖騰柱的無橋功率因數(shù)校正(PFC)和逆變器。該器件將硅基IGBT與SiC肖特基勢(shì)壘
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現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器提供隔離功能的最大功率限制

　　Maximum power limit for withstanding insulation capabilities of modern IGBT/MOSFETgate drivers? ? ? ?作者/Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司（德國(guó) 慕尼黑）　　摘要：通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能?！　￡P(guān)鍵詞：IGBT; MOSFET; 柵極驅(qū)動(dòng)器；耐受性；隔離? ? &nb
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意法半導(dǎo)體的先進(jìn)IGBT專為軟開關(guān)優(yōu)化設(shè)計(jì) 可提高家電感應(yīng)加熱效率

　　意法半導(dǎo)體的STGWA40IH65DF和STGWA50IH65DF 650V STPOWER?IGBT兩款產(chǎn)品能夠在軟開關(guān)電路中實(shí)現(xiàn)最佳的導(dǎo)通和開關(guān)性能，提高諧振轉(zhuǎn)換器在16kHz-60kHz開關(guān)頻率范圍內(nèi)的能效。　　新IH系列器件屬于意法半導(dǎo)體針對(duì)軟開關(guān)應(yīng)用專門優(yōu)化的溝柵式場(chǎng)截止(TFS) IGBT產(chǎn)品家族，適用于電磁爐等家電以及軟開關(guān)應(yīng)用的半橋電路，現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員可以選用這些IGBT，來達(dá)到更高的能效等級(jí)。除新的IH系列外，意法半導(dǎo)體的軟開關(guān)用溝柵式場(chǎng)截止(TFS) IGBT系列產(chǎn)品
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2019年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模逾人民幣2,900億元

TrendForce在最新《中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度分析報(bào)告》指出，受益新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場(chǎng)需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價(jià)，帶動(dòng)2018年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模大幅成長(zhǎng)12.76%至2,591億元人民幣，其中離散式元件市場(chǎng)規(guī)模為1,874億元人民幣，較2017年成長(zhǎng)14.7%;電源管理IC市場(chǎng)規(guī)模為717億元人民幣，較2017年增長(zhǎng)8%。
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變頻器中IGBT爆炸原因分析，深入透徹！

　　IGBT是電力電子裝置的CPU，在電力電子變流和控制中起著舉足輕重的作用。變頻器中，IGBT模塊更為重要。但是，IGBT模塊會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)爆炸的情況。下面，小編就結(jié)合案例具體分析一下。　　定義　　一、IGBT爆炸：因?yàn)槟承┰?，模塊的損耗十分巨大，熱量散不出去，導(dǎo)致內(nèi)部溫度極高，產(chǎn)生氣體，沖破殼體，這就是所謂的IGBT爆炸?！　《? IGBT爆炸原因分析　　1.爆炸的本質(zhì)是發(fā)熱功率超過散熱功率，內(nèi)部原因應(yīng)該就是過熱?！　?.人為因素 (1)進(jìn)線接在出線的端子上(2)變頻器接錯(cuò)電源(3)沒按要求接負(fù)載3.常
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集邦咨詢：需求持續(xù)擴(kuò)張，2019年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模逾2,900億元

　　Mar. 7, 2019 ---- 全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢?cè)谧钚隆吨袊?guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度分析報(bào)告》中指出，受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場(chǎng)需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價(jià)，帶動(dòng)了2018年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模大幅成長(zhǎng)12.76%至2,591億元人民幣。其中功率分立器件市場(chǎng)規(guī)模為1,874億元人民幣，較2017年同比成長(zhǎng)14.7%;電源管理IC市場(chǎng)規(guī)模為717億元人民幣，較2017年同比增長(zhǎng)8%?！　〖钭稍兎治鰩熤x瑞峰指出，功率半導(dǎo)體作為需求驅(qū)動(dòng)型的產(chǎn)業(yè)，2019年
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除了代工小米9，造車的比亞迪還做了這些事！

比亞迪不僅在汽車制造上實(shí)力深厚，在手機(jī)代工和其它業(yè)務(wù)方面，仍然保持走在行業(yè)前沿的水平。作為我國(guó)重要的制造企業(yè)代表，比亞迪在行業(yè)中具有模范作用，相信經(jīng)過不斷技術(shù)突破和進(jìn)步，比亞迪將會(huì)為我國(guó)眾多制造企業(yè)樹立一個(gè)又一個(gè)全新的示范里程碑!
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本土廠商同歐日三分天下，中國(guó)IGBT不再“一芯難求”

國(guó)內(nèi)汽車界中，“一芯難求”的現(xiàn)狀被打破了。
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關(guān)于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的IGBT，你想知道的都在這里

　　摘要：工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的整個(gè)市場(chǎng)趨勢(shì)是對(duì)更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。功率半導(dǎo)體器件制造商不斷在導(dǎo)通損耗和開關(guān)時(shí)間上尋求突破。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是：更高的短路電流電平、更小的芯片尺寸，以及更低的熱容量和短路耐受時(shí)間。這凸顯了柵極驅(qū)動(dòng)器電路以及過流檢測(cè)和保護(hù)功能的重要性。本文討論現(xiàn)代工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中成功可靠地實(shí)現(xiàn)短路保護(hù)的問題?！　　　」I(yè)環(huán)境中的短路：工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的工作環(huán)境相對(duì)惡劣，可能出現(xiàn)高溫、交流線路瞬變、機(jī)械過載、接線錯(cuò)誤以及其它突發(fā)情況
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富士電機(jī)電子元件事業(yè)本部CTO藤平龍彥博士一行蒞臨青銅劍科技考察交流

　　11月7日，富士電機(jī)株式會(huì)社電子元件事業(yè)本部CTO藤平龍彥博士一行到訪青銅劍科技。這是繼今年5月應(yīng)用技術(shù)部部長(zhǎng)五十嵐征輝博士來訪之后，富士電機(jī)高層再次蒞臨青銅劍科技商談合作事宜，標(biāo)志著雙方合作進(jìn)入新階段。青銅劍科技總工程師高躍博士和市場(chǎng)總監(jiān)蔡雄飛對(duì)藤平龍彥博士一行的來訪表示熱烈歡迎，詳細(xì)介紹了公司的核心產(chǎn)品以及與富士電機(jī)的合作進(jìn)展。藤平龍彥博士對(duì)青銅劍科技最新的IGBT驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品非常關(guān)注，仔細(xì)詢問了產(chǎn)品的性能優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域，對(duì)青銅劍科技的研發(fā)實(shí)力表示充分肯定。會(huì)談期間，雙方對(duì)下一步的合作重點(diǎn)和計(jì)劃
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推進(jìn)航天領(lǐng)域合作 l 航天科工微電院董事長(zhǎng)武春風(fēng)一行到訪青銅劍科技

　　11月8日，成都航天科工微電子系統(tǒng)研究院有限公司董事長(zhǎng)武春風(fēng)一行到訪青銅劍科技，董事長(zhǎng)汪之涵博士、總工程師高躍博士和副總裁傅俊寅陪同接待，雙方就合作事宜進(jìn)行了深入交流?！　⊥糁┦颗阃浯猴L(fēng)一行參觀了公司展廳和研發(fā)實(shí)驗(yàn)室，詳細(xì)介紹了青銅劍科技的核心產(chǎn)品、領(lǐng)先技術(shù)、應(yīng)用領(lǐng)域及公司發(fā)展規(guī)劃等情況。武春風(fēng)對(duì)青銅劍科技的科技創(chuàng)新成果表示積極肯定。座談中，雙方就航天領(lǐng)域的前沿技術(shù)和熱點(diǎn)話題進(jìn)行了深入探討和討論，進(jìn)一步商談了合作細(xì)節(jié)，一致表示未來將擴(kuò)展多渠道的合作?！　『教炜乒の㈦娮酉到y(tǒng)研究院秉持“信息互通、資
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IXYS IGBT驅(qū)動(dòng)模塊可幫助高功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)，縮短設(shè)計(jì)時(shí)間，降低設(shè)計(jì)成本

　　IXYS公司新推出的IXIDM1403驅(qū)動(dòng)模塊旨在為市場(chǎng)提供IGBT驅(qū)動(dòng)器件，使設(shè)計(jì)周期縮短，設(shè)計(jì)成本做到盡可能最低，并具有極高的緊湊性和最高的性能和可靠性。IXIDM1403支持雙通道大功率IGBT模塊，隔離電壓高達(dá)4000 V，開關(guān)速度高達(dá)50 kHz，具有短路保護(hù)和電源電壓監(jiān)控功能。　　IXIDM1403是基于IX6610 / IX6611 / IXDN630芯片組的高壓隔離柵極驅(qū)動(dòng)模塊，它允許創(chuàng)建隔離的IGBT驅(qū)動(dòng)器，在初級(jí)側(cè)和次級(jí)側(cè)之間以及次級(jí)側(cè)驅(qū)動(dòng)器之間設(shè)置高壓隔離柵。它創(chuàng)建了一個(gè)非常靈活
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