v-nand 文章進(jìn)入 v-nand技術(shù)社區(qū)

美光3D NAND將殺到！打破三星獨(dú)霸、大戰(zhàn)一觸即發(fā)

目前3D NAND由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)，但是先有東芝殺入敵營(yíng)，如今美光也宣布研發(fā)出3D NAND，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將畫(huà)下句點(diǎn)，3D NAND flash大戰(zhàn)即將開(kāi)打!
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Toppan Photomasks, Inc批準(zhǔn)在中國(guó)建設(shè)先進(jìn)光掩模生產(chǎn)線項(xiàng)目

　　全球業(yè)界首選光掩模合作伙伴T(mén)oppan Photomasks, Inc. (TPI)今天宣布批準(zhǔn)對(duì)近期擴(kuò)建的中國(guó)上海廠的下一階段投資計(jì)劃;該廠由TPI獨(dú)資子公司Toppan Photomasks Company Limited, Shanghai (TPCS) 運(yùn)營(yíng)。TPI將對(duì)此工廠再投資8000萬(wàn)美元以展現(xiàn)其對(duì)中國(guó)快速成長(zhǎng)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)及客戶之長(zhǎng)期承諾。TPI先前已投資2000萬(wàn)美元擴(kuò)建上海二廠(TPCS Shanghai II);該廠現(xiàn)已量產(chǎn)并且為中國(guó)唯一提供全方位技術(shù)及產(chǎn)品的商業(yè)光掩模廠。　　
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美光科技推出適用于下一代智能手機(jī)的移動(dòng) 3D NAND 解決方案

　　美光科技有限公司今日推出了首項(xiàng)適用于移動(dòng)設(shè)備的 3D NAND 存儲(chǔ)技術(shù)，并推出了基于通用閃存存儲(chǔ) (UFS) 2.1 標(biāo)準(zhǔn)的首批產(chǎn)品。美光的首項(xiàng)移動(dòng) 3D NAND 32GB 解決方案主要面向中高端智能手機(jī)細(xì)分市場(chǎng)，這一細(xì)分市場(chǎng)大約占據(jù)全球智能手機(jī)總量的 50%[1]。隨著移動(dòng)設(shè)備替代個(gè)人電腦成為消費(fèi)者的主要計(jì)算設(shè)備，用戶行為對(duì)設(shè)備的移動(dòng)內(nèi)存和存儲(chǔ)要求產(chǎn)生了極大影響。美光的移動(dòng) 3D NAND 解決了這些問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)了無(wú)與倫比的用戶體驗(yàn)，包括流暢傳輸高分辨率視頻、更高的游戲帶寬、更快的啟動(dòng)時(shí)間、更好的
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鎂光：3D閃存芯片能讓手機(jī)擁有更多內(nèi)存容量

　　近日在加州圣克拉拉舉行的閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit)上，鎂光公布了他們的首款 3D NAND 閃存芯片。這種閃存芯片在不改變尺寸的情況下能提供更多的儲(chǔ)存空間。據(jù) PCWorld 報(bào)道，鎂光這款 3D 閃存芯片的容量為 32GB，其目標(biāo)市場(chǎng)為中高端的智能手機(jī)。該產(chǎn)品基于新的 UFS 2.1 標(biāo)準(zhǔn)，市面上的智能手機(jī)均未使用這種理論上更快的儲(chǔ)存協(xié)議。　　　　鎂光認(rèn)為智能手機(jī)對(duì)內(nèi)存容量的需求越來(lái)越高，虛擬現(xiàn)實(shí)應(yīng)用和流媒體都將占用大量的儲(chǔ)存空間。他們表示，在幾年
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解讀實(shí)現(xiàn)中國(guó)存儲(chǔ)器夢(mèng)的三條路徑

中中國(guó)下決心做存儲(chǔ)器芯片，是個(gè)特別重大，而又十分艱難的決定，國(guó)存儲(chǔ)器業(yè)要取得成功，總體上產(chǎn)業(yè)發(fā)展有三條路徑，研發(fā)，兼并及合資，合作都是十分有效，然而經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的實(shí)踐，有一定進(jìn)展，但是情況也有些變化，這一切唯有通過(guò)研發(fā)的早日成功，才能扭轉(zhuǎn)被動(dòng)的局面。
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面對(duì)大陸攻勢(shì)　三星海力士強(qiáng)化3D NAND投資

　　據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在政府的強(qiáng)力支援下，清華紫光與武漢新芯采行攻擊性投資策略，迫使南韓、日本、美國(guó)等主要半導(dǎo)體業(yè)者也紛紛強(qiáng)化投資。　　市調(diào)業(yè)者DRAM eXchange表示，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)中，NAND Flash事業(yè)從2011~2016年以年均復(fù)合成長(zhǎng)率(CARG)47%的速度成長(zhǎng);清華紫光以新成立的長(zhǎng)江存儲(chǔ)進(jìn)行武漢新芯的股權(quán)收購(gòu)，成立長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司，未來(lái)可能引發(fā)NAND Flash市場(chǎng)版圖變化。　　清華紫光擁有清華大學(xué)的人脈，在社會(huì)上擁有一定的影響力，武漢新芯擁有技術(shù)方面
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三星年底前量產(chǎn)64層3D NAND

　　上周東芝及WD(西部數(shù)據(jù))宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開(kāi)始量產(chǎn)，不過(guò)恐怕仍無(wú)法超車(chē)NAND Flash市占王三星。外電報(bào)道，三星將搶先于今年底前開(kāi)始量產(chǎn)64層3D NAND，三星表示，目標(biāo)是今年生產(chǎn)4G V-NAND，可能意即為64層3D NAND。　　SSD(固態(tài)硬盤(pán))近年來(lái)制程技術(shù)演進(jìn)，成本價(jià)格逐漸逼近硬盤(pán)(Hard disk)，因此滲透率大增，各大廠陸續(xù)將生產(chǎn)DRAM產(chǎn)能逐漸轉(zhuǎn)向NAND Flash(儲(chǔ)存型快閃記憶體)，大搶市占率，除了比市
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東芝超車(chē)失?。喝悄甑浊傲慨a(chǎn)64層3D NAND

　　上周東芝及WD(西部數(shù)據(jù))宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開(kāi)始量產(chǎn)，不過(guò)恐怕仍無(wú)法超車(chē)NAND Flash市占王三星。外電報(bào)道，三星將搶先于今年底前開(kāi)始量產(chǎn)64層3D NAND，三星表示，目標(biāo)是今年生產(chǎn)4G V-NAND，可能意即為64層3D NAND。　　SSD(固態(tài)硬盤(pán))近年來(lái)制程技術(shù)演進(jìn)，成本價(jià)格逐漸逼近硬盤(pán)(Hard disk)，因此滲透率大增，各大廠陸續(xù)將生產(chǎn)DRAM產(chǎn)能逐漸轉(zhuǎn)向NAND Flash(儲(chǔ)存型快閃記憶體)，大搶市占率，除了比市
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半導(dǎo)體行業(yè)掀起并購(gòu)潮背后的推動(dòng)力是什么？

我們獲取和存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的方式發(fā)生了巨大轉(zhuǎn)變，這是近年來(lái)半導(dǎo)體行業(yè)出現(xiàn)并購(gòu)潮的原因所在。
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陶氏發(fā)表OPTIPLANE 先進(jìn)半導(dǎo)體制造化學(xué)機(jī)械研磨液(CMP)平臺(tái)

　　陶氏電子材料是陶氏化學(xué)公司的一個(gè)事業(yè)部，本日推出 OPTIPLANE™ 化學(xué)機(jī)械研磨液 (CMP) 平臺(tái)。OPTIPLANE 研磨液系列的開(kāi)發(fā)是為了滿足客戶對(duì)先進(jìn)半導(dǎo)體研磨液的需求：能以有競(jìng)爭(zhēng)力的成本，符合減少缺陷的要求和更嚴(yán)格的規(guī)格，適合用來(lái)製造新一代先進(jìn)半導(dǎo)體裝置。　　全球 CMP 消耗品市場(chǎng)持續(xù)成長(zhǎng)，部分的成長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力來(lái)自新的 3D 邏輯、NAND 快閃記憶體和封裝應(yīng)用，這些均要求大幅提高的平坦化效果和最低程度的缺陷率，以符合無(wú)數(shù)先進(jìn)電子裝置的性能需求。　　「生產(chǎn)先進(jìn)半導(dǎo)體晶圓
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英特爾大連55億美元非易失性存儲(chǔ)項(xiàng)目提前投產(chǎn)

　　經(jīng)過(guò)8個(gè)多月的努力，英特爾大連非易失性存儲(chǔ)制造新項(xiàng)目7月初實(shí)現(xiàn)提前投產(chǎn)。7月25日，記者在英特爾半導(dǎo)體(大連)有限公司廠區(qū)內(nèi)看到，1000多名英特爾員工和來(lái)自全世界的數(shù)千名項(xiàng)目建設(shè)供應(yīng)商員工，正井然有序地忙碌著，他們的共同目標(biāo)只有一個(gè)：全力加速非易失性存儲(chǔ)制造新項(xiàng)目的量產(chǎn)步伐。　　去年10月，英特爾公司宣布投資55億美元將大連工廠建設(shè)為世界上最先進(jìn)的非易失性存儲(chǔ)器制造工廠。該項(xiàng)目是迄今為止英特爾在中國(guó)的最大一筆投資，也是大連市乃至遼寧省改革開(kāi)放以來(lái)最大的外資項(xiàng)目。此前的2010年，作為英特爾在亞洲
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NAND快閃記憶體價(jià)格上漲創(chuàng)見(jiàn)威剛笑開(kāi)懷

　　NAND快閃記憶體受惠固態(tài)硬盤(pán)(SSD)銷售熱絡(luò)，加上智能手機(jī)搭載容量提高，帶動(dòng)近月價(jià)格持續(xù)上漲，創(chuàng)見(jiàn)、威剛等模組廠營(yíng)運(yùn)受惠，市場(chǎng)預(yù)期蘋(píng)果將推出的iPhone 7拉貨動(dòng)能如何，將攸關(guān)NAND快閃記憶體價(jià)格續(xù)漲力道。　　市場(chǎng)指出，上半年非蘋(píng)陣營(yíng)智能手機(jī)產(chǎn)品銷售強(qiáng)勁，產(chǎn)品功能提升帶動(dòng)記憶體需求大增，加上6月三星西安廠因變電廠爆炸導(dǎo)致停工，帶動(dòng)NAND快閃記憶體價(jià)格上漲，主流產(chǎn)品在1個(gè)月內(nèi)漲幅超過(guò)2成。　　市況變化帶動(dòng)記憶體模組廠營(yíng)運(yùn)增溫，創(chuàng)見(jiàn)表示，在漲價(jià)預(yù)期心理帶動(dòng)下，通路拉貨力道明顯回升，DRA
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三星西安廠事故導(dǎo)致NAND價(jià)格爆沖22%

　　因中國(guó)大陸、中國(guó)臺(tái)灣智能手機(jī)廠商紛紛強(qiáng)化產(chǎn)品功能、帶動(dòng)記憶體需求大增，加上三星電子西安工廠6月因附近變電廠爆炸而一度停工，帶動(dòng)使用于智能手機(jī)、記憶卡的NAND型快閃記憶體(Flash Memory)交易價(jià)格轉(zhuǎn)趨走揚(yáng)，指標(biāo)性產(chǎn)品6月份批發(fā)價(jià)在1個(gè)月期間內(nèi)飆漲22%。　　報(bào)道指出，6月份MLC(Multi-Level Cell)類型64Gb NAND價(jià)格揚(yáng)升至每個(gè)2.75美元、為2年9個(gè)月以來(lái)首度走升，其中也有部分交易價(jià)格超過(guò)3美元，且進(jìn)入7月以來(lái)價(jià)格仍持續(xù)走揚(yáng)。據(jù)英國(guó)調(diào)查公司指出，2016年全球NA
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東芝將領(lǐng)先三星推出64層3D NAND Flash

　　據(jù)海外媒體報(bào)道，東芝(Toshiba)計(jì)劃領(lǐng)先三星電子(Samsung Electronics)于2016財(cái)年開(kāi)始量產(chǎn)64層3D NAND Flash存儲(chǔ)器芯片。日經(jīng)亞洲評(píng)論(Nikkei Asian Review)報(bào)導(dǎo)，東芝于7月15日舉辦日本三重縣四日市(Yokkaichi)半導(dǎo)體二廠啟用儀式，未來(lái)將在此工廠生產(chǎn)64層NAND Flash。　　64層NAND Flash較東芝和三星目前生產(chǎn)的48層NAND Flash容量高30%，雖然價(jià)格較高，但每單位容量會(huì)比48層版的便宜。若應(yīng)用于智能型手機(jī)
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中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)崛起策略：三駕馬車(chē)并用

有關(guān)中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展的討論已經(jīng)很久了，似乎路徑已經(jīng)清晰，關(guān)鍵在于執(zhí)行，以及達(dá)成何種效果。受現(xiàn)階段產(chǎn)業(yè)大環(huán)境的影響，仍由政府資金主導(dǎo)，因此非市場(chǎng)化的因素尚在，產(chǎn)業(yè)的波浪式前進(jìn)似乎不可避免，中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展需要采用研發(fā)、兼并及合資與合作的三駕馬車(chē)，這三者都十分重要，需要齊頭并進(jìn)。
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