首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> v-nand

三星48層3D V-NAND快閃存儲器揭密

  •   備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃記憶體已經(jīng)出現(xiàn)在市場上了,TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會先睹為快。   三星(Samsung)早在2015年8月就發(fā)布其256Gb的3位元多級單元(MLC) 3D V-NAND快閃記憶體K9AFGY8S0M,并強調(diào)將用于各種固態(tài)硬碟(SSD),也預計會在2016年初正式上市。這些承諾如今真的實現(xiàn)了,我們得以在其2TB容量的T3系列mSATA可攜式SSD中發(fā)現(xiàn)其蹤影(如圖1)。        圖1:三星T3 2TB S
  • 關鍵字: 三星  V-NAND  

東芝沖NAND Flash產(chǎn)量 2018年3D NAND占其九成

  •   東芝(Toshiba)統(tǒng)籌存儲器事業(yè)的副社長成毛康雄于6日舉行的投資人說明會上表示,將沖刺NAND Flash產(chǎn)量,目標在2018年度將NAND Flash產(chǎn)量擴增至2015年度的3倍水準(以容量換算)。   關于已在2016年度開始量產(chǎn)的3D結(jié)構(gòu)NAND Flash,成毛康雄指出,將強化3D Flash的生產(chǎn),目標在2017年度將3D產(chǎn)品占整體生產(chǎn)比重提高至5成、2018年度進一步提高至9成左右水準。   東芝為全球第2大NAND Flash廠商,市占率僅次于三星電子。   日經(jīng)、韓國先驅(qū)報(
  • 關鍵字: 東芝  3D NAND  

Cell on Peri構(gòu)造有利IDM提升3D NAND Flash競爭力

  •   Cell on Peripheral Circuit(以下簡稱Cell on Peri)構(gòu)造由美光(Micron)與英特爾(Intel)陣營開發(fā),采用將3D NAND Flash晶胞(Cell)陣列堆疊在周邊電路CMOS邏輯IC上的方式,以縮減采3D NAND Flash解決方案的晶片面積。DIGITIMES Research觀察,三星電子(Samsung Electronics)已提出類似此一構(gòu)造的COP(Cell Over Peri)方案,將有利整合元件廠(Integrated Device Ma
  • 關鍵字: 3D NAND  美光  

2016年下半3D NAND供應商上看4家 三星仍將具產(chǎn)能技術優(yōu)勢

  •   DIGITIMES Research觀察,2016年上半三星電子(Samsung Electronics)為全球供應3D NAND Flash的主要業(yè)者,然2016年下半隨東芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存儲器業(yè)者陸續(xù)量產(chǎn)3D NAND Flash,三星獨家供應3D NAND Flash的狀況將改變,不過,三星已及早規(guī)劃增產(chǎn)3D NAND Flash及朝64層堆疊架構(gòu)邁進,短期內(nèi)仍將掌握產(chǎn)能與技術優(yōu)勢。   三星已自2013年下半起陸續(xù)量產(chǎn)24層、32層
  • 關鍵字: 三星  3D NAND  

三星3D V-NAND 32層對48層 僅僅是垂直層面的擴展?

  •   三星公司已經(jīng)開始量產(chǎn)其48層(即單NAND內(nèi)48層單元,屬于第三代升級技術)3D V-NAND芯片,預計其將被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企業(yè)級SSD(PM1633a)等SSD產(chǎn)品。在各設備當中,將包含大量48層3D V-NAND存儲芯片且通過引線鍵合技術實現(xiàn)彼此堆疊。三星公司在48層3D V-NAND芯片中集成了512 GB存儲單元,意味著每個NAND晶片為32 GB容量(256 Gb)。三星的32層(第二代方案)3D V-N
  • 關鍵字: 三星  V-NAND  

3D NAND成半導體業(yè)不景氣救世主

  •   韓媒NEWSIS報導,韓國半導體業(yè)者將3D NAND視為克服不景氣的對策。3D NAND是三星電子(Samsung Electronics)最早宣布進入量產(chǎn)的技術,在這之前業(yè)界采用的是水平結(jié)構(gòu),3D垂直堆疊技術成為克服制程瓶頸的解決方案。   3D NAND比20納米級產(chǎn)品的容量密度高,讀寫速度快,耗電量節(jié)省一半;采用3D NAND Flash存儲器的固態(tài)硬碟(SSD)其電路板面積也較小?;谏鲜鰞?yōu)點,對于業(yè)界積極發(fā)展以人工智能平臺的相關服務,3D NAND成為具有潛力,有利于邁入第四次工業(yè)革命的技
  • 關鍵字: 3D NAND  半導體  

NAND Flash供貨吃緊態(tài)勢明顯 價格走揚

  •   第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯,TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價格自4月初以來已連續(xù)三個月份逐步走揚。   TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報價顯示,第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯,TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價格自4月初以來已連續(xù)三個月份逐步走揚,而近一個月漲幅開始增加。   DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,NAND Flash原廠持續(xù)降低對于通路(Channel)的供貨比重來滿足eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟(SS
  • 關鍵字: NAND Flash  

中國成為全球新建晶圓廠主要推手

  •   全球在2016年與2017年將開始興建的晶圓廠至少有19座,其中有半數(shù)以上都是在中國。   根據(jù)SEMI的統(tǒng)計,全球在2016年與2017年將開始興建的晶圓廠至少有19座,其中有半數(shù)以上都是在中國;而2016年全球半導體廠商晶片制造設備支出估計將可達到360億美元,較2015年增加1.5%,2017年則可望再成長13%、達到407億美元。        包括全新、二手與專屬(in-house)晶圓廠設備支出,在2015年衰退了2%;而SEMI預期,3D NAND快閃記憶體、10奈
  • 關鍵字: 晶圓  NAND  

三星否認擴產(chǎn)3D NAND?外資:三星明年3D產(chǎn)能將擴充至37.5%

  •   據(jù)韓國時報報導,三星電子于15日宣稱“2017年底前斥資25兆韓元擴充3D NAND型快閃存儲器產(chǎn)能”的投資內(nèi)容尚未敲定,但有分析師似乎認為韓媒的報導內(nèi)容相當可信。   barron`s.com16日報導,JP摩根發(fā)表研究報告指出,三星應該會在今年底將3D NAND的月產(chǎn)能拉高至接近16萬片晶圓 (西安廠12萬片、Line 16廠接近4萬片)。三星的西安廠目前已接近產(chǎn)能全開,且該公司還計劃把Line 16廠的部分2D NAND產(chǎn)能轉(zhuǎn)換為3D。   另外,三星也將善用Line
  • 關鍵字: 三星  NAND  

中國半導體成效驚人 包攬近兩年過半全球新增產(chǎn)能

  •   中國砸銀彈扶植半導體進度、成效驚人,國際半導體設備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(Semiconductor Equipment and Materials International,SEMI)上周五發(fā)布最新報告指出,今明兩年全球新增的半導體產(chǎn)能,預估有超過一半都將來自中國。   據(jù)SEMI表示,全球2016-2017年共將興建17座半導體廠,當中有10座設在中國,其中兩座生產(chǎn)存儲器、晶圓代工四座、剩余四座規(guī)模較小,主要生產(chǎn)類比式芯片、微機電系統(tǒng)(Micro Electro Mechanical Systems)與
  • 關鍵字: 半導體  NAND   

NAND需求好轉(zhuǎn) 將帶動DRAM市場趨于健康

  •   蘋果iPhone 7已展開備貨,記憶體容量倍增,銷售也看好,業(yè)界預期第3季NAND快閃記憶體的需求將好轉(zhuǎn),大廠的產(chǎn)能將轉(zhuǎn)向NAND快閃記憶體,這將帶動DRAM市況也趨健康,記憶體模組廠創(chuàng)見、威剛、宇瞻等,預估下半年營運會比上半年好。   創(chuàng)見預期今年記憶體市況將比去年好轉(zhuǎn),主要因上游大廠資本支出較保守,產(chǎn)能增加有限,致使價格趨緩跌;受惠智能手機等產(chǎn)品儲存容量不斷上升,加上SSD取代硬盤態(tài)勢成形,SSD需求強勁,儲存型快閃記憶體(NAND Flash)下半年市況比DRAM佳。   威剛董事長陳立白日
  • 關鍵字: NAND  DRAM  

從Nand特性談其燒錄關鍵點

  •   為什么燒錄Nand Flash經(jīng)常失敗?為什么燒錄成功了,一部分Nand芯片貼板之后系統(tǒng)卻運行不起來?…,等等,問了那么多為什么,那我反問一個問題:你了解Nand Flash的特性及其燒錄關鍵點嗎?    ?   一、Nand flash的特性   1、位翻轉(zhuǎn)   在 NAND 閃存是通過對存儲單元(Cell)進行充電來完成數(shù)據(jù)存儲的,存儲單元的閾值電壓就對應著數(shù)據(jù)值。當讀取的時候,通過將它的閾值電壓與參考點對比來獲得其數(shù)據(jù)值。對SLC 而言,就只有兩種狀態(tài)和一個
  • 關鍵字: Nand  燒錄  

中國存儲器“3+1”版圖初現(xiàn)

  • 存儲器是一個嚴格按照摩爾定律前進、追求低成本的規(guī)模經(jīng)濟產(chǎn)業(yè),想做起來太難,在過去的年月里,能夠聽到的只有不斷退出的失敗悲歌,中國這次能否在存儲器市場占有一定規(guī)模呢?
  • 關鍵字: 存儲器  NAND  

2016年第一季NAND品牌營收排行榜

  •   TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示,在平均銷售單價下滑幅度明顯高于位元出貨量成長的情況下,第一季NAND Flash品牌商營收較去年第四季下滑2.9%,已連續(xù)兩個季衰退。   2016年第一季全球NAND Flash市況持續(xù)受供過于求影響,通路顆粒合約價下滑約10%;智慧型手機、平板電腦與筆記型電腦出貨大幅衰退也讓eMMC、用戶級固態(tài)硬碟(SSD)跌價幅度擴大至13~18%。   TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示
  • 關鍵字: NAND  英特爾  

下半年NAND Flash一定缺貨,且會非常缺

  •   全球儲存型快閃記憶體(NAND Flash)晶片最大供應商慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章昨(21)日表示,固態(tài)硬碟(SSD)價格已到甜蜜點,今年出貨將大爆發(fā),成為成長最強勁的記憶體產(chǎn)品;法人預估臺廠概念股群聯(lián)、創(chuàng)見、威剛、宇瞻、廣穎、宜鼎等,可望掀比價效應。   慧榮是以臺灣為研發(fā)重心,立足全球的國際公司,上周五(20日)股價以每股42.19美元創(chuàng)2005年6月在美國那斯達克掛牌以來新高,市值達1.48億美元(約新臺幣48.5億元),同創(chuàng)歷史新高。   茍嘉章昨天主持慧榮愛心園游會后,針對今年NAND Fl
  • 關鍵字: NAND Flash  
共1113條 28/75 |‹ « 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 » ›|

v-nand介紹

您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條 v-nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對 v-nand的理解,并與今后在此搜索 v-nand的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473