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?半導(dǎo)體 文章 進(jìn)入?半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)
貝爾實(shí)驗(yàn)室宣布未來(lái)將退出芯片研究業(yè)務(wù)
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,日前,貝爾實(shí)驗(yàn)室正式宣布未來(lái)其將退出芯片研究業(yè)務(wù)。 目前作為阿爾卡特-朗訊的一部分,貝爾實(shí)驗(yàn)室曾經(jīng)培養(yǎng)出了六名諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)得主。但在過(guò)去的六年時(shí)間里,自貝爾實(shí)驗(yàn)室剝離其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)后,其材料科學(xué)和設(shè)備物理研究分部的力量正逐年減少,所剩下來(lái)的僅僅是一小部分從事量子計(jì)算、高速電子和納米技術(shù)研究的團(tuán)隊(duì)。 阿爾卡特-朗訊貝爾實(shí)驗(yàn)室研究部負(fù)責(zé)人Gee Rittenhouse表示,“貝爾實(shí)驗(yàn)室未來(lái)將退出芯片研究業(yè)務(wù)的報(bào)道屬實(shí),由于我們沒(méi)有了半導(dǎo)體業(yè)務(wù),所以我們決定淡出材料科
- 關(guān)鍵字: 貝爾實(shí)驗(yàn)室 半導(dǎo)體 移動(dòng)通信 CMOS
能源危機(jī)成為PV發(fā)展良機(jī) 加快太陽(yáng)能電池設(shè)備中國(guó)本地化步伐
- 縱觀世界太陽(yáng)能設(shè)備產(chǎn)業(yè)鼻祖也就三家:美國(guó)應(yīng)用材料(AMAT)、愛(ài)發(fā)科(ULVAC,原日本真空)和瑞士Oerlikon。愛(ài)發(fā)科在FPD行業(yè)擁有豐富的經(jīng)驗(yàn),是日本能夠設(shè)計(jì)和生產(chǎn)薄膜太陽(yáng)能電池成套設(shè)備的最大的公司之一。愛(ài)發(fā)科在薄膜太陽(yáng)能設(shè)備的發(fā)展領(lǐng)域早,是日本知名薄膜太陽(yáng)能生產(chǎn)商包括夏普(Sharp)、三洋(Sanyo)等的主要設(shè)備供貨商,設(shè)備的成熟度高,近年來(lái)隨著薄膜太陽(yáng)能電池市場(chǎng)的快速成長(zhǎng),愛(ài)發(fā)科開(kāi)始為客戶提供技術(shù)轉(zhuǎn)移的服務(wù),中國(guó)臺(tái)灣聯(lián)電集團(tuán)旗下的聯(lián)相就是其主要的客戶,聯(lián)電從愛(ài)發(fā)科訂購(gòu)了整條薄膜太陽(yáng)能電
- 關(guān)鍵字: 太陽(yáng)能 能源危機(jī) PV 砂賀芳雄 半導(dǎo)體
飛兆半導(dǎo)體推出針對(duì)I2C應(yīng)用的電壓轉(zhuǎn)換器
- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設(shè)計(jì)人員提供用于I2C (Inter-Integrated Circuit) 總線的電壓轉(zhuǎn)換器FXM2IC102,在寬泛的電平范圍 (1.65V 到 5.5V) 內(nèi)工作,以適應(yīng)I2C 低電壓應(yīng)用的要求。FXM2IC102為設(shè)計(jì)人員應(yīng)用 (I2C的) 漏極開(kāi)路接口提供了簡(jiǎn)單的方法,以便于手機(jī)與筆記本電腦和其它應(yīng)用設(shè)備的藍(lán)牙和顯示屏接口握手。利用I2C接口,全雙工通信只需要兩條線路 (時(shí)鐘線和數(shù)據(jù)線);而且,轉(zhuǎn)換器采用緊湊的1.6mm
- 關(guān)鍵字: 飛兆 半導(dǎo)體 轉(zhuǎn)換器 藍(lán)牙
2009年70多個(gè)晶圓廠項(xiàng)目將促進(jìn)設(shè)備支出超20%的反彈
- 根據(jù)SEMI近期發(fā)布的World Fab Forecast報(bào)告,報(bào)告顯示2008年半導(dǎo)體設(shè)備支出將減少20%,而2009年將獲得超過(guò)20%的反彈,主要受全球70多個(gè)晶圓廠項(xiàng)目的帶動(dòng)。該報(bào)告的2008年8月版列出了53個(gè)晶圓廠組建項(xiàng)目,2009年還有21個(gè)晶圓廠建設(shè)項(xiàng)目。 2008年,300mm晶圓廠項(xiàng)目占了晶圓廠設(shè)備支出的90%,約69%的支出用于65nm及以下節(jié)點(diǎn)技術(shù)。2008年全年晶圓廠總產(chǎn)能預(yù)計(jì)相當(dāng)于1600萬(wàn)片200mm晶圓,年增長(zhǎng)率僅9%,2007年增長(zhǎng)率達(dá)16%。2009年,總產(chǎn)能預(yù)
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 晶圓 邏輯電路 存儲(chǔ)器
臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體或推遲新工廠設(shè)備安裝
- 臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體表示,由于晶片價(jià)格下跌,公司很可能推遲兩家新12英寸晶片廠的設(shè)備安裝。 綜合外電8月27日?qǐng)?bào)道,力晶半導(dǎo)體股份有限公司(5346.OT)發(fā)言人譚仲民27日表示,由于晶片價(jià)格下跌,公司很可能推遲兩家新12英寸晶片廠的設(shè)備安裝。以收入計(jì),力晶半導(dǎo)體是臺(tái)灣最大的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)晶片生產(chǎn)商。 力晶半導(dǎo)體原計(jì)劃于2009年第三季度臺(tái)灣北部新竹的兩家工廠建設(shè)完工后開(kāi)始安裝新設(shè)備。 譚仲民稱,由于市場(chǎng)狀況較差,目前看來(lái)公司可能會(huì)在2009年第四季度或2010年年初開(kāi)始安裝設(shè)
- 關(guān)鍵字: 力晶 半導(dǎo)體 晶片 12英寸 DRAM
重慶西部硅谷雛形漸顯 臺(tái)資成其重要支撐
- 重慶這個(gè)目前以汽摩、能源和裝備制造為主打產(chǎn)業(yè)的城市正為未來(lái)發(fā)展尋找新增長(zhǎng)點(diǎn),在其建立“西部硅谷”的藍(lán)圖中,臺(tái)資企業(yè)成為其重要支撐。 按照重慶官方規(guī)劃,未來(lái)五年里,重慶將以西永微電園為基礎(chǔ),集群式承接臺(tái)灣地區(qū)及歐、美、日電子信息產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移,建設(shè)中國(guó)重要的集成電路及電子產(chǎn)品制造基地、軟件及服務(wù)外包基地,力爭(zhēng)五年后電子制造產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值達(dá)到一千億元人民幣。 重慶相對(duì)而言是一個(gè)電子工業(yè)基礎(chǔ)較薄弱的城市,較同屬西部的成都和西安并不具備產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢(shì)。然而,三年時(shí)間里,重慶主城西郊的西永微電
- 關(guān)鍵字: 電子工業(yè) 重慶 臺(tái)資 半導(dǎo)體
索尼研發(fā)世界最頂級(jí)紅光半導(dǎo)體激光陣列
- 索尼公司21日宣布已經(jīng)研發(fā)出高功率、短波長(zhǎng)的紅光半導(dǎo)體激光二極管陣列,作為投影器件的理想光源。 為了讓紅光半導(dǎo)體激光二極管陣列能夠適用在投影器件上,它們必須符合高亮度,高效率和室溫下工作的要求。這一新開(kāi)發(fā)的激光二極管陣列,實(shí)現(xiàn)了振幅波長(zhǎng)635nm,產(chǎn)生的亮度水平是傳統(tǒng)紅光半導(dǎo)體激光的1.6倍。 激光陣列是由25個(gè)寬條紋激光組成,每一個(gè)激光棒的長(zhǎng)度是10mm.激光棒安裝在一個(gè)銅散熱器座上。索尼在激光活躍層內(nèi)實(shí)現(xiàn)了最佳的一致性,高純度晶體層,以及在AlInP電鍍層內(nèi)摻雜高濃度的鎂,這一系列措施
- 關(guān)鍵字: 索尼 紅光 半導(dǎo)體 激光二極管
飛兆半導(dǎo)體舉辦第六屆全球功率技術(shù)研討會(huì)
- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 將于9月起舉辦第六屆全球技術(shù)研討會(huì),每個(gè)研討會(huì)均為期一天,內(nèi)容非常豐富,將為功率設(shè)計(jì)工程師提供開(kāi)發(fā)高能效應(yīng)用的設(shè)計(jì)技術(shù)、產(chǎn)品技術(shù)和行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)信息。 2008 至 2009年度功率技術(shù)研討會(huì)的技術(shù)主題包括: 通過(guò)修正的正弦脈寬調(diào)制 (PWM) 減小 BLDC 紋波扭矩 PQFN封裝的板級(jí)評(píng)測(cè) 不對(duì)稱半橋轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)考慮事項(xiàng). 高能效低待機(jī)功耗的輔助電源設(shè)計(jì) 從電源到變壓器. 在低輸出電壓的直流
- 關(guān)鍵字: 飛兆 半導(dǎo)體 PWM 功率
張忠謀:暫無(wú)意在內(nèi)地設(shè)12英寸晶圓廠
- 據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀昨日表示,全球經(jīng)濟(jì)不景氣,今年發(fā)展情況會(huì)比去年差很多,在大環(huán)境不好下,臺(tái)積電已二度下調(diào)今年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)率到4%,目前也無(wú)意申請(qǐng)?jiān)趦?nèi)地設(shè)立12英寸晶圓廠。 張忠謀是在出席海基會(huì)董監(jiān)事會(huì)議后,被媒體追問(wèn)對(duì)全球經(jīng)濟(jì)的看法時(shí),做出上述表示的。他指出,受到美國(guó)次貸風(fēng)暴影響,全球經(jīng)濟(jì)、股市去年以來(lái)開(kāi)始出現(xiàn)疲弱跡象。 早前,臺(tái)積電已將今年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)率從5%下調(diào)到4%,這也是臺(tái)積電今年內(nèi)第二次下調(diào)行業(yè)預(yù)測(cè)。 張忠謀說(shuō),目前大環(huán)境不好,在看不見(jiàn)市場(chǎng)需求下
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 晶圓廠 12英寸 半導(dǎo)體
日本對(duì)現(xiàn)代半導(dǎo)體征收反補(bǔ)貼關(guān)稅降為9.1%
- 當(dāng)?shù)貢r(shí)間本周五,路透社披露消息稱,日本計(jì)劃削減韓國(guó)儲(chǔ)存芯片廠商現(xiàn)代半導(dǎo)體在日本銷售DRAM芯片征收反補(bǔ)貼關(guān)稅。 媒體援引日本經(jīng)濟(jì)、貿(mào)易和工業(yè)部提供的消息報(bào)道說(shuō),日本收取的進(jìn)口反補(bǔ)貼關(guān)稅將從最初的27.2%削減為9.1%。 數(shù)年來(lái),美國(guó)、歐盟和日本以儲(chǔ)存芯片競(jìng)爭(zhēng)者提出抱怨為理由,對(duì)現(xiàn)代半導(dǎo)體和它的DRAM芯片征收了不同比例的關(guān)稅。抱怨者聲稱韓國(guó)政府向現(xiàn)代半導(dǎo)體提供了不公平的補(bǔ)貼,制約了市場(chǎng)的公平競(jìng)爭(zhēng)。 今年三月,歐盟委員會(huì)正式采納了一項(xiàng)決定,取消進(jìn)口現(xiàn)代半導(dǎo)體DRAM儲(chǔ)存芯片的反補(bǔ)貼關(guān)
- 關(guān)鍵字: 儲(chǔ)存 半導(dǎo)體 DRAM 日本 關(guān)稅
此消彼長(zhǎng) 全球半導(dǎo)體投資格局風(fēng)移亞洲
- 受半導(dǎo)體銷售增長(zhǎng)放緩的影響,全球半導(dǎo)體投資緊縮。 據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)的消息,由于內(nèi)存IC產(chǎn)業(yè)的拖累,預(yù)計(jì)2008年半導(dǎo)體銷售增長(zhǎng)放緩,但整體半導(dǎo)體銷售額將在2011年以前保持強(qiáng)勁增長(zhǎng)。 市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)Gartner公司最近發(fā)布報(bào)告,稱由于受到美國(guó)經(jīng)濟(jì)低迷和DRAM芯片市場(chǎng)拖累,預(yù)計(jì)2008年全球半導(dǎo)體廠商支出將下降19.8%,達(dá)475億美元。預(yù)計(jì)今年DRAM市場(chǎng)支出將減少47%,而整個(gè)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)費(fèi)用支出將減少29。Gartner還稱,預(yù)計(jì)今年全球用于芯片設(shè)備制造開(kāi)支將減
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 IC產(chǎn)業(yè) DRAM Numonyx
安森美擴(kuò)充汽車應(yīng)用極低靜態(tài)電流低壓降穩(wěn)壓器系列
- 安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)為了滿足需要極低熄火電流的汽車電子模塊的應(yīng)用需求,擴(kuò)充低壓降(LDO)線性穩(wěn)壓器產(chǎn)品系列。新推出的NCV86xx LDO系列通過(guò)了AEC-Q100規(guī)范認(rèn)證,且工作溫度范圍極寬,并且高度結(jié)合板載功能,典型靜態(tài)電流(Iq)低至22 ?A。 安森美半導(dǎo)體的這些新的極低Iq LDO可以連接電池,提供精確的3.3 V和5.0 V輸出電壓和高達(dá) 350 mA的輸出電流,具有板載保護(hù)功能,并具有上電復(fù)位和延遲時(shí)間選擇功
- 關(guān)鍵字: 安森美 半導(dǎo)體 汽車電子 穩(wěn)壓器 LDO
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