各大廠搶進(jìn)3D NAND致存儲器價(jià)格大漲

　　據(jù)海外媒體報(bào)道，去年下半年以來NANDFlash市場供不應(yīng)求，主要關(guān)鍵在于上游原廠全力調(diào)撥2DNANDFlash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)3DNAND，但3DNAND生產(chǎn)良率不如預(yù)期，2DNAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小，NANDFlash市場出現(xiàn)貨源不足問題，價(jià)格也因此明顯上漲。

　　不過，隨著3DNAND加速量產(chǎn)，下半年產(chǎn)能若順利開出，將成為NANDFlash市場最大變數(shù)。

　　2DNANDFlash制程持續(xù)往1y/1z納米進(jìn)行微縮，如三星及SK海力士去年已轉(zhuǎn)進(jìn)14納米，東芝及西部數(shù)據(jù)(WD)進(jìn)入15納米，美光導(dǎo)入16納米等。但因芯片線寬線距已達(dá)物理極限，2DNAND技術(shù)推進(jìn)上已出現(xiàn)發(fā)展瓶頸，用1y/1z納米生產(chǎn)的2DNAND并未出現(xiàn)成本效益，因此，NANDFlash廠開始將投資主力放在3DNAND，但也因產(chǎn)能出現(xiàn)排擠，NANDFlash產(chǎn)出量明顯減少，導(dǎo)致下半年價(jià)格強(qiáng)勁上漲。

　　去年NANDFlash價(jià)格自第2季開始全面回升，漲勢直達(dá)年底，主流的SSD價(jià)格漲幅超過4成，eMMC價(jià)格最高逼近6成，完成出乎市場意料。在此一情況下，原廠為了維持競爭優(yōu)勢，決定加速搶進(jìn)3DNAND市場，而今年亦成為3DNAND市場成長爆發(fā)的一年，產(chǎn)能軍備競賽可說是一觸即發(fā)。

　　以各原廠的技術(shù)進(jìn)展來看，三星去年進(jìn)度最快已成功量產(chǎn)3DNAND，去年底出貨占比已達(dá)35%，最先進(jìn)的64層芯片將在今年第1季放量投片，3DNAND的出貨比重將在本季達(dá)到45%。另外，三星不僅西安廠全面量產(chǎn)3DNAND，韓國Fab17/18也將投入3DNAND量產(chǎn)。

　　包括東芝及WD、SK海力士、美光等其它業(yè)者，去年是3DNAND制程轉(zhuǎn)換不順的一年，良率直到去年底才見穩(wěn)定回升，生產(chǎn)比重均不及1成。不過，今年開始3DNAND量產(chǎn)情況已明顯好轉(zhuǎn)，東芝及WD已開始小量生產(chǎn)64層芯片，今年生產(chǎn)主力將開始移轉(zhuǎn)至64層3DNAND，除了Fab5開始提高投片外，F(xiàn)ab2將在本季轉(zhuǎn)進(jìn)生產(chǎn)64層3DNAND，F(xiàn)ab6新廠將動土興建并預(yù)估2018年下半年量產(chǎn)。

　　SK海力士去年在36層及48層3DNAND的生產(chǎn)上已漸入佳境，M12廠已量產(chǎn)3DNAND，今年決定提升至72層，將在第1季送樣，第2季進(jìn)入小量投片，而韓國M14廠也將在今年全面進(jìn)入3DNAND量產(chǎn)階段。

　　美光與英特爾合作的IMFlash已在去年進(jìn)行3DNAND量產(chǎn)，去年底第二代64層3DNAND已順利送樣，今年將逐步進(jìn)入量產(chǎn)，F(xiàn)10x廠也會開始全面轉(zhuǎn)向進(jìn)行3DNAND投片。英特爾大陸大連廠則已量產(chǎn)3DNAND，并將在今年開始量產(chǎn)新一代XPoint存儲器。