嵌入式系統(tǒng)智能化商機旺 MCU廠升級eFlash制程 微控制器（MCU）廠商在嵌入式快閃記憶體（eFlash）新一輪先進制 ...
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高容量 Flash MCU
目前的嵌入式系統(tǒng)中， 軟件代碼一般存儲在諸如EEPROM、F lash等存儲器中， 但其中存儲的程序代碼易被讀取， 非法 ...
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軟件代碼保護 EEPROM FLASH
UCGUI設計中漢字字庫也是大家最關注的問題之一。主要的問題是在于，使用C文件的字庫太大，一個12×12的漢字字庫文件有2M以上，一般的控制器內(nèi)部存儲容量是接受不了的。那么讓UCGUI使用外部FLASH中的字庫就成為大勢所趨。接下來介紹如何讓UCGUI使用外部FLASH中的字庫。
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UCGUI FLASH W25Q64 函數(shù)
市調(diào)機構集邦科技預期，第4季儲存型快閃存儲器(NANDFlash)供過于求情況可望趨緩，10月合約價看漲。
集邦科技表示，海力士(Hynix)中國大陸無錫廠發(fā)生火災意外，不僅帶動動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)價格飆漲，同時激勵9月NANDFlash合約價上漲3%至6%。
集邦科技指出，盡管NANDFlash市場銷售并無好轉跡象，不過，海力士無錫廠復工情況依然混沌不明，NANDFlash供給將連帶受到影響，預期第4季NANDFlash市場供過于求情況可望趨緩。
集邦預期，近期1至2個月
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快閃存儲器 NAND
燒寫前提：已經(jīng)把FS2410開發(fā)板的S3C2410_BIOS.bin通過JTAG燒到了NOR里面了，這樣我們從NOR啟動才可以使用US...
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DNW USB uboot nand
本文提出一個基于FPGA的SPI Flash讀寫硬件實現(xiàn)方案，該方案利用硬件對SPI Flash進行控制，能夠非常方便地完成Fl ...
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FPGA SPI Flash 控制器
啟動匯編代碼 ;********************************************************************* ; 匯編 ...
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Flash SRAM 觸發(fā)中斷
使用LPC2106的Timer 1 進行的簡單的中斷處理。示例代碼中Timer1分為FIQ和IRQ，用戶可以從Flash或者SRAM中運行 ...
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Flash SRAM 觸發(fā)中斷
摘要：本文設計了一種利用MCU內(nèi)部數(shù)據(jù)Flash存儲非易失性數(shù)據(jù)的方法，它將數(shù)據(jù)Flash的若干扇區(qū)劃分為多個數(shù)據(jù)分區(qū)，不同數(shù)據(jù)分區(qū)存儲數(shù)據(jù)在不同歷史時間的拷貝，最新數(shù)據(jù)分區(qū)存儲最新的數(shù)據(jù)拷貝;在數(shù)據(jù)讀操作進行時，計算最新數(shù)據(jù)拷貝的Flash存儲位置，直接讀取該地址;在數(shù)據(jù)寫操作進行時
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嵌入式 MCU Flash 數(shù)據(jù)存儲 EEPROM 201310
狼、羊、草過河問題(也有叫狼、羊、白菜過河之類的名字)是說：有一人帶著一只部分馴化的狼(強調(diào)部分馴化是說明，人在場的情況下狼不會吃羊，不然要被指出邏輯漏洞了)、一只山羊和一些草來到河的左岸，欲乘一只很小的船過到河的右岸，每次人只能帶其中一個過河，當有人在時，狼、羊、草都不會有事;當無人在時，就不允許狼羊在一起，也不允許羊和草在一起，問應如何過河?
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嵌入式 Flash RAM 緩沖區(qū)
編者按：8月初，Spansion宣布兩項重大舉措：一，完成對富士通微控制器(MCU)和模擬業(yè)務的收購;二，簽署與XMC(武漢新芯集成電路制造公司)的技術許可協(xié)議。可見，Spansion由最大的獨立閃存公司變身為多元產(chǎn)品公司，并且加深與中國代工廠的合作。是什么促使Spansion做此決定?Spansion對華戰(zhàn)略如何?
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富士通 Spansion MCU NAND 201309
三星電子在存儲技術上的領先的確無可匹敵，今天又宣布已經(jīng)批量投產(chǎn)全球第一個采用3D垂直設計的NAND閃存“V-NAND”。這年頭，3D堆疊已經(jīng)成了潮流，處理器、內(nèi)存什么的都要堆起來。
三星的V-NAND單顆芯片容量128Gb(16GB)，內(nèi)部采用三星獨有的垂直單元結構，通過3D CTF電荷捕型獲閃存技術、垂直互連工藝技術來連接3D單元陣列。
三星稱，這種新閃存的拓展能力是普通2xnm平面型閃存的兩倍以上，可靠性提升最少2倍、最多10倍，而且寫入性能也可達到1xnm N
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三星 V-NAND
不讓韓國三星專美于前，日本半導體大廠東芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布，將共同斥資4,000億日圓(約新臺幣1,221.2億元)，于日本三重縣四日市興建儲存型快閃存儲器(NAND Flash)新廠，導入最新16至17納米制程，使總產(chǎn)能提升20%，明年4月量產(chǎn)，為在臺后段封測廠力成(6239)營運挹注成長動能。
這是三星在上月宣布調(diào)高今年半導體資本支出后，東芝近兩年來首度做出增產(chǎn)決定，因為蘋果中低價手機和大陸手機的強勁需求。
研究機構統(tǒng)計，去年全球NAND Flash出貨量，三星居全球
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半導體 NAND
單片機的選型是一件重要而費心的事，如果選型得當，則做出來的產(chǎn)品就會性價比較高，且工作穩(wěn)定;反之，則可能會造成產(chǎn)品成本過高或影響產(chǎn)品正常運行，甚至可能根本就達不到預先設計要求。
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單片機 MCU 內(nèi)存 FLASH 編譯器
據(jù)IHS公司的移動與嵌入存儲市場追蹤報告，今年第一季度中國低端智能手機的需求大增，讓內(nèi)存供應商措手不及，刺激了NAND閃存市場的增長并導致其出現(xiàn)供應短缺。
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IHS NAND
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